Cr2O3 doped Pb(Zr0.525 Ti0.475)O3 piezoelectric ceramics were prepared from reagent grade oxide mixture, PbO, ZrO2, TiO2 and Cr2O3. Piezoelectric and aging properties of specimens were measured for various additions of Cr2O3. Generally, it has been known that aging rate decreased with Cr2O3 addition by stabilizing the domain wall. But hysteresis loops showed that the domain destabilization was occurred at high electric field (larger than 10KV/cm). In smaller additions of Cr2O3 (0-0.2mol%), aging rate increased and microcracks were created with increasing poling filed due to increasing internal stress. In larger additions of Cr2O3(0.4∼0.6mol%), aging rate decreased with increasing poling field.
UV, $O_3$, $H_2O_2$, $Fe^{2+}$ 등의 산화반응을 조합한 고급산화 공정(advanced oxidation process)을 이용하여 아세트산 분해실험을 수행하였다. 적용된 고급산화 공정은 $UV/H_2O_2$, $UV/H_2O_2/Fe^{2+}$, $O_3$, $O_3/H_2O_2$, $UV/O_3/H_2O_2$ 및 $UV/O_3/H_2O_2/Fe^{2+}$ 공정이었다. 낮은 pH (3.5)에서의 아세트산 분해율은 $UV/H_2O_2/Fe^{2+}$, $O_3/H_2O_2$, $UV/O_3/H_2O_2$ 및 $UV/O_3/H_2O_2/Fe^{2+}$ 공정은 비교적 높고, $UV/H_2O_2$와 $O_3$ 공정은 20% 이하로 낮게 나타났다. $O_3/H_2O_2$, $UV/O_3/H_2O_2$ 공정의 아세트산 분해율은 반응시간 180 min까지 반응시간에 따라 지속적으로 증가하였으나 $UV/H_2O_2/Fe^{2+}$, $UV/O_3/H_2O_2/Fe^{2+}$ 공정에서는 반응시간 90 min까지 아세트산 분해율이 급격히 증가한 후 그 이후에는 분해율의 증가가 미미하였다. 고급산화 공정별 아세트산 분해율은$UV/H_2O_2/Fe^{2+}$ 공정은 55%, $O_3/H_2O_2$ 공정 및 $UV/O_3/H_2O_2$ 공정은 66%, $UV/O_3/H_2O_2/Fe^{2+}$ 공정은 64%이었다.
$BaTiO_3$는 일반적으로 $BaCO_3$와 $TiO_2$의 고상반응으로 얻어지는데 BaO의 활성이 높고 이차상이 생성되므로 순수하게 합성하기가 어렵다. 순수한 $BaTiO_3$를 얻기 위해서 공침법, 가수분해법등이 연구되고 있으나 출발 원료가 비싸고 제조 공정상 문제로 고상반응으로 합성한 것과 별차이가 없다. 그래서 고상반응의 공정을 개선하는 연구가 다시 진행되고 있으며 본 연구에서도 $BaTiO_3$를 고상반응으로 합성할 때 물성에 좋지 않은 영향을 주는 이차상인 $Ba_2TiO_4$의 생성기구를 밝히고, 그것을 조절하려 했다. $BaTiO_3$의 이론조성중 Ba가 과잉인 영역에서는 $Ba_2TiO_4$가 $TiO_2$가 과잉인 영역에서는 $BaTiO_2O_5$와 $BaTiO_3O_7$이 소지의 팽창에 원인이 되었다. 환원에서 소결되는 $CeAIO_3$와 $BaTiO_3$계의 유전체는 공기중에서 $CeAIO_3$가 분해되고 이때 생성되는 $CeO_2$가 $BaTiO_3$의 전기적 물성에 큰 영향을 주었다.
Park, Sung-Hoon;An, So-Yeon;Ko, Hyun-Sung;Jin, Chang-Hyun;Lee, Chong-Mu
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제33권10호
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pp.3368-3372
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2012
The $Bi_2O_3$ nanowires are highly sensitive to low concentrations of $NO_2$ in ambient air and are almost insensitive to most other common gases. However, it still remains a challenge to enhance their sensing performance and detection limit. This study examined the influence of the encapsulation of ${\beta}-Bi_2O_3$ nanorods with $In_2O_3$ on the $NO_2$ gas sensing properties. ${\beta}-Bi_2O_3-core/In_2O_3-shell$ nanorods were fabricated by a two-step process comprising the thermal evaporation of $Bi_2O_3$ powders and sputter-deposition of $In_2O_3$. Multiple networked ${\beta}-Bi_2O_3-core/In_2O_3-shell$ nanorod sensors showed the responses of 12-156% at 1-5 ppm $NO_2$ at $300^{\circ}C$. These response values were 1.3-2.7 times larger than those of bare ${\beta}-Bi_2O_3$ nanorod sensors at 1-5 ppm $NO_2$. The enhancement in the response of ${\beta}-Bi_2O_3$ nanorods to $NO_2$ gas by the encapsulation by $In_2O_3$ can be accounted for based on the space-charge model.
유전율이 높고 온도안정성이 우수하다고 알려져 있는 40Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-30PbTiO3-30Pb(Mg1/2W1/2)O3계 세라믹스에 소결온도를 낮추기 위하여 저온에서 액상을 형성하는 91PbO-9WO3를 과잉첨가하여 소결성, 미세구조 및 유전성의 변화에 대하여 조사하였다. 91PbO-9WO3의 첨가량이 증가함에 따라 소결온도가 저하하였으며 6 mol%첨가시는 875$^{\circ}C$에서 소결이 가능하였다. 유전율은 기본조성에서 16,400이었고, 첨가제가 1 mol% 과잉첨가된 경우 18,500으로 최대값을 나타냈으며 이후 첨가량이 증가함에 따라 감소하였다. 첨가제의 첨가량이 2~4mol%인 시편의 온도에 따른 유전율 변화곡선에서 double peak maxima가 나타났으나, 첨가량이 5 mol% 이상인 시편에서는 입계에 텅스텐을 많이 포함하고 있는 결정상이 생성되었고 double peak maxima는 나타나지 않았다.
We have synthesized some phosphors in the system $CaO-Y_2$$O_3$-$Al_2$$O_3$by combinatorial polymerized-complex method. Composition and synthetic temperature of phosphors in the library was screened from the emission intensities of individual samples under VUV excitation. In $Tb^{ 3+}$-activated $CaO-Y_2$$O_3$-$Al_2$$O_3$, green phosphors showing good intensity were found to be X$O_3$$O_{7}$, CaYA1O$_4$, YA1O$_3$, $Y_3$$Al_{5}$$O_{12}$, $Y_4$$A1_2$$O_{9}$ .
4성분 $Na_2O-B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2$ 유리들을 $R({\equiv}Na_2O\;mole%/B_2O_3\;mole%)$과 $K({\equiv}(Al_2O_3\;mole%+SiO_2\;mole%)/B_2O_3mole%)$에 의해 제작하여 유리들의 구조를 굴절률(refractive index)과 vicker's 경도(hardness)의 변화를 측정하여 분석하였다. 먼저, 굴절률의 증가는 유리 내부구조의 분극률을 증가시키는 $Na^+$ 양이온수의 증가에 우선적으로 의존하여 증가하였다. 적은 양의 소듐 산화물($Na_2O$) 이 첨가된 영역에서 굴절률은 소듐 이온 양에 의존하였으며, 많은 양의 소듐 산화물이 첨가된 영역에서는 큰 몰 부피를 갖고 하나의 비가교 산소를 갖는 $BO_3{^-}$ 단위들의 형성으로 유리 구조 내의몰 부피 증가로 유리들의 굴절률의 증가가 둔화되었다. 그리고 알루미늄 산화물($Al_2O_3$)과 규소 산화물($SiO_2$)의 증가에 따라 굴절률의 감소는 $Al_2O_3$와 $SiO_2$에 의해 형성되어진 $AlO_4$ 단위들과 $SiO_4{^-}$ 단위들이 붕소 산화물($B_2O_3$)에 의해 형성되어진 $BO_4$ 단위들보다 몰 부피의 증가로 감소되어졌다. 또한, 경도의 증가는 유리 망목구조에 형성되어지는 $BO_4$ 단위 수에 의존하였으며, 경도의 감소는 유리 망목구조를 개방화시키는 $BO_3{^-}$ 단위 수에 의존하여 감소함을 알 수 있었다.
Al$_2$O$_3$/ZrO$_2$복합체의 기계적 성질 향상을 위하여 분산되는 ZrO$_2$상을 Zr-Y-polyester의 고분자화(polyesterization) 공정(Pechin법)을 이용하여 알루미나 기지 중에 초미립으로 균질하게 분산시키기 위한 방안을 고찰하여 보았다. 일반적으로 공침법에 의해 제조되는 $Al_2$O$_3$/ZrO$_2$ 복합체의 경우 초기 ZrO$_2$입자의 크기가 매우 작아도 알루미나 내에 분산되는 ZrO$_2$입자가 소결시에 비교적 빠르게 성장 및 입자간의 응집이 발생하게 되며 이로 인해 분산의 불균일을 유발하여 미세하고 균질한 복합체를 얻기가 힘들다. 따라서 상용 이소결성 $\alpha$-Al$_2$O$_3$분말(Sumitomo.AES-11(0.5$mu extrm{m}$))에 ZrO(NO$_3$)$_2$와 Y(NO$_3$)$_3$를 citric acid/ethylene glycol과 혼합한 polyesterization시켜 $\alpha$-Al$_2$O$_3$입자 표면에 미세하고 균질하게 코팅 형태로 부착되도록 하였다. 이를 90$0^{\circ}C$에서 하소한 후 1450∼1$600^{\circ}C$의 온도에서 소결하여 미세한 ZrO$_2$입자가 매우 균질하게 분산된 $Al_2$O$_3$/ZrO$_2$ 복합체를 제조하였으며 이의 기계적 성질을 관찰하였다.
In order to investigate the excited-state intramolecular proton transfer (ESIPT) process of dihydroxyanthraquinones (DHAQ; 1,5-DHAQ and 1,8-DHAQ) in organic-inorganic hybrid matrices, transparent SiO2, SiO2- Al2O3, and Al2O3 matrices chemically bonded with DHAQ were prepared using a sol-gel technique. The absorption maxima of 1,5- and 1,8-DHAQ in SiO2 matrices are observed at around 420 nm, whereas those of DHAQ in both SiO2-Al2O3 and Al2O3 matrices are markedly shifted to longer wavelength compared with those in SiO2 matrix. This indicates that DAHQ forms a chemical bond with an Al atom of Al2O3. The DHAQ in SiO2 matrix shows a markedly Stokes-shifted emission which is originated from the ESIPT in DHAQ. Based on the emission lifetimes of DHAQ, the ESIPT of DHAQ was found to be strongly affected by the chemical interaction with Al atom in the Al2O3-related matrices.
$ZnO-Bi_2O_3-CoO-Sb_2O_3$와 $ZnO-Bi_2O_3-CoO-Sb_2O_3-Cr_2O_3$계에서 미세구조 변화 및 전기적 특성에 미치는 개재물의 영향을 조사하였다. 소결동안에 ZnO입자 성장은 스피넬 입자들에 의해 제어되었으며, 스피넬 입자들의 양의 증가에 의해 입자성장은 감소하였다. $Cr_2O_3(0.5mol\%)$의 첨가는 비직선성지수에는 큰 영향을 미치지 못하였으며 임계전압(breakdown voltage)을 증가시켰다. 계산에 의해 구한 장벽전압은 $ZnO-Bi_2O_3-CoO-Sb_2O_3$와 $ZnO-Bi_2O_3-CoO-Sb_2O_3-Cr_2O_3$ 계에서 각각 3.1V와 2.9V이었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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