태양열은 투과되고 인체 및 내부 열원에서 발생하는 적외선은 내부로 반사시키는 산화인듐 주석막은 수동 태양열 포집기로 사용되어 에너지 절약용 창유리로 활용된다. 졸겔 담금 코팅으로 제조된 산화 인듐 주석막의 선택 흡수 투과 특성의 막의 두께, 열처리 조건, 기판의 영향을 UV-VIS-IR spectroscopy를 이용하여 관찰하였다. 졸겔 담금 코팅막은 $500^{\circ}C$, 환원 분위기에서 열처리하면 고유의 산화 인듐 주석막이 형성된다. 알칼리 이온 확산 방지막은 $SiO_2-ZrO_2$막은 태양에너지 투과 효율을 증진시킨다. $SiO_2-ZrO_2/ITO$막은 태양 에너지의 투과를 유지시키고 파장 2700 nm 이상에서의 내부열 방출을 억제하여 에너지 절약 특성을 갖는다.
정보 통신 분야의 발전에 따라 기존의 전자 기기들은 평면성을 벗어나 투명 유연하고 깨지지 않는 특성이 요구되고 있다. 이러한 부가적인 특성을 갖춘 기기들의 제조를 위해서는 전극의 투명성과 유연성을 동시에 갖고 있어야 하지만, 현재 가장 대표적으로 이용되는 투명전극인 ITO (Indium Tin Oxide)는 유연하지 못하다는 단점과 자원적인 한계를 갖고 있다. 이에 따라 ITO의 한계를 극복하기 위해 다양한 물질들을 이용한 대체 재료 개발이 활발히 연구되고 있으며 대체 물질들의 복합화를 통해 더 향상된 물성을 발현시키기 위한 연구가 진행되고 있다. 본 총설에서는 ITO의 한계를 극복하고 투명전극으로서의 응용 가능한 대체 물질들에 대한 연구 현황을 정리하였다.
AC PDP에 사용되는 ITO 전극의 공정시간을 단축시키고 생산성을 향상시키기 위해서 Nd:$YVO_4$ laser를 사용하여 ITO 전극 패턴을 하였다. ITO etchant를 사용하여 ITO 전극패턴을 형성한 샘플과 비교해서 laser를 사용하여 제작한 샘플은 ITO 라인 끝 부분에 shoulder와 물결무늬가 형성되었다. shoulder와 물결무늬의 제거를 위해서 laser의 펄스반복율과 스캔 속도에 변화를 주었다. 또한 shoulder와 물결무늬를 갖는 ITO 전극이 PDP에 주는 영향을 알아보기 위해서 방전특성분석을 하였다. 실험결과 40 kHz와 500 mm/s를 기본 조건으로 결정하였다. 본 실험을 통하여 레이저를 이용한 PDP용 ITO 전극막의 직접 패터닝 가능성을 확인할 수 있었다.
현재 투명전극(Transparent Conductive Oxide: TCO)은 평판 디스플레이, 태양전지, 터치패널, 투명 트렌지스터의 전극 등 여러 분야에서 연구되어지고 있으며, 주로 IT 산업의 핵심재료로 ITO (Indium Tin Oxide)가 사용되고 있다. ITO 박막은 주로 스퍼터 공정을 통해 제작이 되며, 전기전도도가 우수하며 높은 Optical Band Gap을 가지고 있어 투명전극으로 많이 사용되고 연구되어지고 있다. 산화물 박막을 증착할 때 산소유량에 따라 박막의 물성이 변하거나 박막의 특성이 저하되는 현상 등을 가지고 있어 공정시 산소유량이 중요한 변수로 작용하게 된다. 본 연구에서는 증착 공정 중 발생하는 플라즈마의 방출광을 가지고 산소의 대표적인 파장의 방출광을 관찰하여 방출광이 변화함에 따라 실시간으로 산소가스유량이 제어됨을 확인하였으며, 또한 산소유량제어를 통해 생성된 박막의 전기적 특성 및 광학적 특성 등 박막의 물성을 비교하였다.
Indium tin oxide (ITO) layers are of considerable interest on account of the combination of properties they provide high electrical conductivity, high infrared reflection with high solar energy transmission, high transmission in the visible range. We are concerned about the variation of the spectral transmittances and sheet resistances as the thickness of SiO2-ZrO2 barrier layer and ITO layers and heat treating conditions are changed. Transmittances and reflectivities were studied by measuring UV-VIS-NIR-, FT-IR spectroscopy. ITO films are crack free, homogeneous and of polycrystalline cubic structure. The microstructure of good ITO films shows a narrow grain size distribution and mean value of 100 nm. The selectivity of absorbing properties is improved by increasing the thickness of ITO films. The increase of sheet resistance of ITO films are due to the increase in the reaction between films and glass substrate.
ITO thin films $({\sim}150\;nm)$ are deposited on glass substrates by different deposition condition. The sheet resistance of ITO thin films measured by using a four probe station. The microstructure of these films is determined using a X-ray diffractometer (XRD) and a scanning electron microscope (SEM) and a atomic force microscope (AFM). The sheet resistance of ITO thin films compared $s_{11}$ values by using a near field scanning microwave microscope.
저항특성이 다른 ITO박막의 구조특성과 표면특성을 XRD와 AFM(atomic force microscopy), SEM(scanning electron microscopy)을 이용하여 관측하였다. 접촉방식인 4단자 법을 사용하여 ITO박막의 표면전기저항을 측정하였다. 관측된 구조 및 표면특성을 바탕으로 비파괴 비접촉방식을 이용한 근접장 마이크로파 현미경을 이용하여 얻은 ITO박막의 표면저항특성과 비교 연구하였다.
Indium Tin Oxide (ITO) has been used widely for transparent conducting thin films. In this work, the feasibility of a laser sintering process to fabricate ITO thin films on flexible substrates is examined. Nanoparticles of ~10 nm were spin coated on a Si wafer and then sintered by a KrF excimer laser. The sintered structure was characterized by scanning electron microscopy. Polycrystalline structures were fabricated by the process without thermally damaging the substrate. The electrical resistivity of the film was reduced to ~ 1/1000 of the initial value. This work demonstrates that nanosecond laser sintering of ITO particles can be a useful tool to fabricate ITO films on various flexible substrates.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제11권2호
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pp.77-80
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2010
Indium tin oxide (ITO) films with a 5 nm thick Au interlayer were prepared on glass substrates. The effects of the Au interlayer on the gas sensitivity for detecting methanol vapors were investigated at room temperature. The conductivity of the film sensor increased upon exposure to methanol vapor and the sensitivity also increased proportionally with the methanol vapor concentration. In terms of the sensitivity measurements, the ITO film sensor with an Au interlayer shows a higher sensitivity than that of the conventional ITO film sensor. This approach is promising in gaining improvement in the performance of ITO gas sensors used for the detection of methanol vapor at room temperature.
Transparent conducting indium tin oxide (TC-ITO) thin films are deposited on soda lime glass by a dc magnetron sputtering technique having the unbalanced-magnet structure in order to improve the electrical/material characteristics and to avoid the surface damages. The material properties are measured by the x-ray diffractometer (XRD) and atomic force microscope (AFM). The (400) peak as the preferred orientation of <100> direction for ITO thin films is stabilized with the increase of substrate temperature. The surface roughness estimated by AFM 3D image at the substrate temperature of 40$0^{\circ}C$ is extremely uniform. The best resistivity of ITO films (5500 $\AA$ thick) at 40$0^{\circ}C$ is about 1.3$\times$10$^{-4}$$\Omega$cm on the position of 4 cm from substrate center.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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