• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.366-366
• /
• 2012

현재 사용되고 있는 투명전극재료 중에 ITO(Indium Tin Oxide)가 가장 투명하면서 전기도 잘 통하고 생산성도 좋다. 투명전극은 비저항이 $1{\times}10^{-3}{\Omega}/cm$이하, 면 저항이 $10^3{\Omega}/sq$이하로 전기전도성이 우수하고 380에서 780 nm의 가시광선 영역에서의 투과율이 80%이상이라는 두 가지 성질을 만족시키는 박막이다. 본 연구에서 X-ray Film을 제작하기 위하여 상용화된 ITO Glass 전극 기판에 X-ray가 조사되면 직접 전자 전공 쌍(electron-hole pair)을 발생시켜 전기적 신호를 발생하는 광도전체 물질(Photoconductor)인 PbO, $PbI_2$, $HgI_2$를 스크린 프린팅(Screen Printing)법을 이용하여 각각 제작하였다. 상부 전극으로 마그네틱 스퍼터링(Magnetic Sputtering) 진공 증착 장치를 사용하여 전류, 전압, 아르곤 및 산소 유입량등을 조절하면서 상부 전극을 증착하였다. 이때 타켓으로 $In_2O_3;SnO_2$ (조성비:90:10wt%)를 사용 하였고, base pressure는 $9{\times}10^{-7}torr$, deposition pressure는 $3{\times}10^5torr$를 고정하였다. 또한 전류와 전압은 각각 0.4A, 800V로 유지하고, $O_2$:0.3 ppm, Ar의 경우 4.9 ppm에서 70 ppm까지 올려 플라즈마를 활성화 시킨 후 90초 동안 ITO를 증착하였다. 본 실험에 제작된 박막으로 X-ray을 조사하여 검출기로써 특성 평가를 실시하였으며, 실험결과 X-선 투과와 전도성 등 두가지 특성이 동시에 만족 될 만한 성능을 가질 수 있음을 확인 할 수 있었다.

• Journal of Sensor Science and Technology
• /
• v.8 no.2
• /
• pp.177-183
• /
• 1999

A Polymer material, PU-BCN and a low molar mass material D-BCN with the same chromophore were evaluated by fabricating various electroluminescent(EL) devices. A molecular structure of the chromophore was composed as two cyano groups for electron-injection and transport and two triphenylamine groups for hole-injection and transport. Various kinds of EL devices with two different types of EL materials, PU-BCN and D-BCN were fabricated, which were an Indium-tin oxide(ITO)/PU-BCN or D-BCN/MgAg device as a single-layer device(SL) and an ITO/PU-BCN or D-BCN/oxadiazole ferivative/MgAg as a double-layer device(DL-E) and an ITO/triphenylamine derivative/D-BCN/MgAg as a double-layer device(DL-H) device. Two kinds of materials, PU-BCN and D-BCN showed the same emission characteristics in the high current density and excellent EL characteristics even in the SL devices. Maximum EL peaks revealed red emission of about 640 nm, which were corresponded with the fluorescence peaks of the films of two materials.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.02a
• /
• pp.387-387
• /
• 2011

ITO (Indium-Tin Oxide)는 전기전도도, 가시광선투과도가 높으며, 패터닝하기 쉬운 장점을 가지나 Indium의 자원 고갈에 의한 재료비 상승의 문제점을 가지고 있어, 이를 대체하기 위한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 ITO 대신 AZO (ZnO:Al)를 기판온도에 따라 마그네트론 DC 스퍼터를 이용하여 소다라임 글래스에 증착하여 투명전극의 전기, 광학적 특성을 분석하였다. 조건에 따라 증착된 AZO 투명전극위에 유기 태양전지 흡수층으로 Poly (3-hexylthiophene) (P3HT)와 (phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM)를 사용하였으며, Glass/AZO/P3HT:PCBM/PEDOT:PSS/Ag의 구조를 갖는 Inverted 유기 태양전지를 제작하여 ITO 투명전극에 제작된 유기태양전지와의 특성을 비교, 분석 하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.02a
• /
• pp.477-477
• /
• 2010

태양전지용 TCO(Transfer Conductivity Oxide)는 가시광선 영역에서 높은 광 투과도(optical transmittance), 낮은 저항(resistivity), 우수한 박막 표면 거칠기(roughness) 등의 특성이 요구된다. 현재 가장 많이 사용되는 투명전극은 ITO(Indium Tin Oxide)가 보편적이다. 하지만 ITO에 사용되는 원료 재료인 In이 상대적으로 열적 안정성이 낮아 제조과정에서 필수적으로 수반되는 열처리가 제한적이며, 높은 원료 단가로 인하여 경제적인 측면에서 약점으로 지적되고 있다. 이러한 ITO 투명전극의 대체 재료로서 최근 ZnO 박막의 연구가 활발히 이루어지고 있다. MOCVD(Metal-Organic chemical vapor deposition)로 Soda lime glass 기판위에 약 900nm의 두께로 증착한 BZO(Boron-zinc-oxide)박막을 수소 플라즈마 처리공정을 한 뒤 산소 플라즈마를 이용하여 재처리 하였다. 산소 플라즈마 처리 공정은 RIE(Reactive Ion Etching)방식의 플라즈마 처리 장치를 사용하였고 공정 조건은 13.56 MHz의 RF주파수를 사용하여 RF 전력, 압력, 기판 온도 등을 변화시켜 BZO 박막의 전기적 특성을 측정 및 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2008.11a
• /
• pp.91-91
• /
• 2008

다양한 증착 조건에서 DC 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 플라스틱 기판위에 $SnO_2$가 5, 7, 10wt% 도핑된 고밀도 ITO타겟으로 증착한 ITO박막의 기계적, 전기적 특성을 연구하였다. $SnO_2$가 7wt% 도핑된 ITO타겟으로 증착한 박막에서 $3.19{\times}10^{-4}{\Omega}cm$의 가장 낮은 비저항 값을 관찰할 수 있었고, 기계적 내구성 또한 가장 우수하였다.

• Solar Energy
• /
• v.7 no.2
• /
• pp.7-13
• /
• 1987

Indium-Tin-Oxide (ITO)/Selenium heterojunction solar cells which fabricated by vacuum deposition technique and annealing process has been investigated. Prior to the Selenium deposition, a thin tellurium layer (about $10{\AA}$) was deposited onto the ITO layers to provide a sufficient mechanical bond between the Oxide and Selenium layers. The amorphous Selenium layer was deposited onto the Te-ITO layers, and then the crystallization of the amorphous Selenium was carried out using a hot plate at about $180^{\circ}C$ for 4 min. Efficient Selenium solar cells with conversion efficiency as high as 4.52% under AM1 condition has been fabricated in polycrystalline Selenium layer ($6{\mu}m$). The optimum data in manufacturing Se solar cell was listed in table.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• v.5 no.2
• /
• pp.77-82
• /
• 2005

We compare electrical and optical properties of organic light emitting diodes (OLEDs) using rhodium-oxide-coated indium-tin-oxide ($O_2$-Rh/ITO) to that using $O_2$-plasma-treated ITO (ITO) anodes. The turn-on voltage decreased from 7 V to 5 V and luminance value increased when the $O_2$ plasma treated Rh layer was deposited on ITO. Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy results showed the dipole energies of both ITO and $O_2$-Rh/ITO were same with each other, - 0.3 eV, meaning the formation of same amount of interface dipole. The secondary electron emission spectra revealed that the work function of $O_2$-Rh/ITO is higher hy 0.2 eV than that of ITO, resulting in the decrease of the tum-on voltage via reduction ofhole injection barrier.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.02a
• /
• pp.345-346
• /
• 2013

InGaN material is being studied increasingly as a prospective material for solar cells. One of the merits for solar cell applications is that the band gap energy can be engineered from 0.7 eV for InN to 3.4 eV for GaN by varying of indium composition, which covers almost of solar spectrum from UV to IR. It is essential for better cell efficiency to improve not only the crystalline quality of the epitaxial layers but also fabrication of the solar cells. Fabrication includes transparent top electrodes and surface texturing which will improve the carrier extraction. Surface texturing is one of the most employed methods to enhance the extraction efficiency in LED fabrication and can be formed on a p-GaN surface, on an N-face of GaN, and even on an indium tin oxide (ITO) layer. Surface texturing method has also been adopted in InGaN-based solar cells and proved to enhance the efficiency. Since the texturing by direct etching of p-GaN, however, was known to induce the damage and result in degraded electrical properties, texturing has been studied widely on ITO layers. However, it is important to optimize the ITO thickness in Solar Cells applications since the reflectance is fluctuated by ITO thickness variation resulting in reduced light extraction at target wavelength. ITO texturing made by wet etching or dry etching was also revealed to increased series resistance in ITO film. In this work, we report a new way of texturing by deposition of thickness-optimized ITO films on ITO nano dots, which can further reduce the reflectance as well as electrical degradation originated from the ITO etching process.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.18 no.10
• /
• pp.521-528
• /
• 2008

We present the structural, optical, and electrical properties of amorphous silicon suboxide (a-$SiO_x$) films grown on indium tin oxide glass substrates with a radio frequency magnetron technique from a polycrystalline silicon oxide target using ambient Ar. For different substrate-target distances (d = 8 cm and 10 cm), the deposition temperature effects were systematically studied. For d = 8cm, oxygen content in a-$SiO_x$ decreased with dissociation of oxygen onto the silicon oxide matrix; temperature increased due to enlargement of kinetic energy. For d = 10 cm, however, the oxygen content had a minimum between $150^{\circ}\;and\;200^{\circ}$. Using simple optical measurements, we can predict a preferred orientation of liquid crystal molecules on a-$SiO_x$ thin film. At higher oxygen content (x > 1.6), liquid crystal molecules on an inorganic liquid crystal alignment layer of a-$SiO_x$ showed homogeneous alignment; however, in the lower case (x < 1.6), liquid crystals showed homeotropic alignment.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
• /
• 2010.11a
• /
• pp.57.1-57.1
• /
• 2010

ITO(Indium Tin Oxide)는 전도도와 투과도 특성이 뛰어나 디스플레이, 태양전지, LED 등 여러 산업에서 전극 물질로 널리 사용 되어져 왔다. 최근 ITO의 사용이 급격히 증가하면서 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. ITO는 막의 특성을 좋게 하기 위하여 증착 시 Ar gas와 함께 $O_2$가스를 첨가하기도 한다. 본 연구에서는 산소 분압에 따른 ITO 박막의 전기적, 광학적 특성에 대하여 연구하였다. Corning사의 eagle 2000 glass 기판위에 스퍼터링을 이용하여 ITO layer를 증측하였고, 증착시, $O_2$ partial pressure를 0 - 0.5%까지 0.1% 간격으로 가변하였다. 증착된 샘플은 Sinton사의 UV-vis 장비를 이용하여 광학적 특성을 측정하였고, Hall measurement 장비를 이용하여 전기적 특성을 측정하였다. ITO 박막은 $O_2$의 partial pressure가 증가할수록 향상된 전기적, 광학적 특성을 나타내었다.