Background: Human papillomavirus (HPV) integration within the E2 gene has been proposed as a critical event in cervical carcinogenesis. This study concerned whether HPV16 status and E2 gene intactness are predictive of radiation response in patients with cervical cancer. Materials and Methods: Biopsies of 44 patients with cervical cancer were collected before or after radiotherapy. The presence of HPV16 was assessed by polymerase chain reaction (PCR) using specific primers for the L1 region. E2 disruption was detected by amplifying the entire E2 gene. Results: HPV16 DNA was found in 54.5% of the clinical samples. Overall, 62.5% of the HPV16 positive tumors had integrated viral genome and 37.5% had episomal genome. There was a tendency of increase of HPV16 E2 negative tumors compared with HPV16 L1 ones in advanced stages (75% versus 20% in stage III respectively). Detection of E2 gene appeared influenced by the radiotherapy treatment, as the percentage of samples containing an intact HPV16 E2 was more frequent in pretreated patients compared to radiotherapy treated patients (66.6% versus 20%). The radiation therapy caused an eight-fold [OR= 8; CI=1.22-52.25; p=0.03] increase in the risk of HPV16 genome disruption. The integration status is influenced by the irradiation modalities, interestingly E2 disruption being found widely after radiotherapy treatment (75%) with a total fractioned dose of 50Gy. Conclusions: This study reveals that the status of the viral DNA may be used as a marker to optimize the radiation treatment.
Electronic interconnection and packaging is mainly performed in a planar, 2D design style. Further miniaturization and performance enhancement of electronic systems will more and more require the use of 3D interconnection schemes. Key technologies for realizing true 3D interconnect schemes are the realization of vertical connections, either through the Si-die or through the multilayer interconnect with embedded die. Different applications require different complexities of 3D-interconnectivity. Therefore, different technologies may be used. These can be categorized as a more traditional packaging approach, a wafer-level-packaging, WLP ('above' passivation), approach and a foundry level ('below' passivation) approach. We define these technologies as respectively 3D-SIP, 3D-WLP and 3D-SIC. In this paper, these technologies are discussed in more detail.
We have investigated the crystallinity, preferential ordering, and interfacial stability of 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexanitrile (HATCN) thin film interconnected with organic/inorganic multilayer. At the region close to the organic-organic interface, HATCN formed low crystalline order with substantial amorphous phase. As film growth continued, HATCN stacked with high crystalline phase. After a sputtering deposition of the indium zinc oxide (IZO) layer on top of HATCN/organic layer, the volume fraction of preferentially ordered HATCN crystals increased without any structural deterioration. In addition, the HATCN surface was kept quite stable by preserving the sharp interface between HATCN and sputtering deposited IZO layers.
We investigate an internal flow pattern of an evaporating droplet where the contact line non-uniformly recedes. By using tomographic Particle Image Velocimetry, we observe a three-dimensional azimuthal vortex pair that is maintained until the droplet is completely dried. The non-uniformly receding contact line motion breaks the flow symmetry. Finally, a simplified scaling model presents that the mechanical stress along the contact line is proportional to the vorticity magnitude, which is validated by the experimental results.
The continuing scaling trend in microelectronic circuit technology has a significant impact on the different IC interconnection and packaging technologies. These latter technologies have not kept pace with the IC scaling trends, resulting in a so-called“interconnect technology gap”. Multilayer thin film technology is proposed as a“bridge”- technology between the very high density IC technology and the coarse standard PCB technology. It is also a key enabling technology for the realisation of true“System-in-a-Package”(SIP) solutions, combining multiple“System-on-a-Chip”(SOC) IC's with other components and also integrating passive components in its layers. A further step is to use this technology to realise new functionalities on top of active wafers. These additional“above-IC”processed layers may e.g. be used for low loss, high speed on chip interconnects, clock distribution circuits, efficient power/ground distribution and to realize high Q inductors on chip.
본 발표에서는 flexible display의 back plane 구동 소자, organic sensor, 그리고 organic radio frequency identification (RFID) Tag 등으로의 응용을 목표로 최근 활발히 연구 중인 유기 반도체 박막 트랜지스터에 대한 소개를 바탕으로 유기 반도체를 전자회로 분야에서 사용하기 위해 해결해야 할 문제점과 연구 개발이 절실히 필요한 부분에 대해 소개하고 자 함. organic RFID 응용 기술에 초점을 두고 RFID 기술의 개요, 종류, 주파수 대역 등에 대한 기초적인 지식을 바탕으로 organic RFID의 향후 시장 전망에 대해 토론한 후 현재 PolyIC, Organic ID, IMEC 등의 선진사에서 상용화를 목표로 활발히 연구 중인 organic RFID의 세계적 기술 수준과 최근 연구 결과들을 공유하고자함. 최근 ETRI에서 향 후 바코드 대체용으로 활발히 연구 중인 item level tagging용 13.56 MHz프린팅 RFID 기술을 소개하고 이를 구현하기 위한 유기반도체 트랜지스터, 정류기 등 다양한 종류의 회로들을 프린팅 소재와 공정으로 제작할 때의 문제점을 공유하고, 더 나아가 프린팅 전자 소자의 상용화를 위한 향 후 연구 개발 주제 및 방향 등에 대해 토론하고자함.
It is important for operators of poly-pipelines in petroleum industry to continuously monitor characteristics of transferred fluid such as its type and amount. To achieve this aim, in this study a dual energy gamma attenuation technique in combination with artificial neural network (ANN) is proposed to simultaneously determine type and amount of four different petroleum by-products. The detection system is composed of a dual energy gamma source, including americium-241 and barium-133 radioisotopes, and one 2.54 cm × 2.54 cm sodium iodide detector for recording the transmitted photons. Two signals recorded in transmission detector, namely the counts under photo peak of Americium-241 with energy of 59.5 keV and the counts under photo peak of Barium-133 with energy of 356 keV, were applied to the ANN as the two inputs and volume percentages of petroleum by-products were assigned as the outputs.
As semiconductor device architecture develops, from planar field-effect transistors (FET) to FinFET and gate-all-around (GAA), there is an increased need to measure 3D structure sidewalls precisely. Here, we present a 3-Dimensional Atomic Force Microscope (3D-AFM), a powerful 3D metrology tool to measure the sidewall roughness (SWR) of vertical and undercut structures. First, we measured three different dies repeatedly to calculate reproducibility in die level. Reproducible results were derived with a relative standard deviation under 2%. Second, we measured 13 different dies, including the center and edge of the wafer, to analyze SWR distribution in wafer level and reliable results were measured. All analysis was performed using a novel algorithm, including auto fattening, sidewall detection, and SWR calculation. In addition, SWR automatic analysis software was implemented to reduce analysis time and to provide standard analysis. The results suggest that our 3D-AFM, based on the tilted Z scanner, will enable an advanced methodology for automated 3D measurement and analysis.
Scanning probe microscopy (SPM) has become an indispensable tool in efforts to develop the next generation of nanoelectronic devices, given its achievable nanometer spatial resolution and highly versatile ability to measure a variety of properties. Recently a new scanning probe microscope was developed to overcome the tip degradation problem of the classic SPM. The main advantage of this new method, called Reverse tip sample (RTS) SPM, is that a single tip can be replaced by a chip containing hundreds to thousands of tips. Generally for use in RTS SPM, pyramid-shaped diamond tips are made by molding on a silicon substrate. Combining RTS SPM with Scanning spreading resistance microscopy (SSRM) using the diamond tip offers the potential to perform 3D profiling of semiconductor materials. However, damage frequently occurs to the completed tips because of the complex manufacturing process. In this work, we design, fabricate, and evaluate an RTS tip chip prototype to simplify the complex manufacturing process, prevent tip damage, and shorten manufacturing time.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.