본 논문에서는 IMT-2000 기지국용 30 W 전력증폭기를 구현하고 전파흡수제를 사용하여 발진과 상호간섭에 의한 신호의 왜곡을 제거하므로써 이득평탄도 및 상호 변조 왜곡을 개선하였다. 사용된 전파흡수체의 흡수능은 3.6 GHz 대역에서 -10 dB이하, 2.3 GHz 대역에서 -4 dB 이하가 측정되었다. 기존의 전력증폭기의 특성을 측정한 결과 이득은 57.37 dB(측정시 40 dB 감쇠기 부가)이상, 이득평탄도는 $\pm$0.33 dB였으며, 출력의 세기가 33.3 W일 때 IMD 특성은 27 dBc 로 나타났다. 한편 전력증폭기의 최종단인 고출력 전력결합기 부분에 전파흡수체를 부착한 후의 이득은 약 58.43 dB(측정시 40 dB 감쇠기 부가)이상, 이득평탄도는 $\pm$0.0935 dB 가 나타났으며, 출력이 33.3 W 일 때 3차 IMD 성분은 약 29 dBc 였다. 측정 결과 전파흡수체를 사용하였을 경우와 사용하지 않았을 경우 이득은 1 dB, 이득평탄도는 0.3 dB, IMD 특성은 1.77 dBc 가 각각 개선됨을 확인하였다.
In various manufacturing industries, an in-mold decoration (IMD) process for plastic objects is widely utilized because a film forming and an injection molding processes run simultaneously. In the present study, the deformation of polymer film and filling of resin in the IMD process were numerically investigated to evaluate the quality of the plastic object formed by the IMD process, which consists of thermoforming and injection molding processes. To obtain the initial shape of the polymer film during the injection molding process, the deformation of the polymer film in the thermoforming process was pre-formed using the vacuum conditions to attach the film to a cavity. Since the properties and deformation of polymer film are greatly affected by the behavior of polymer resin being injected into a mold cavity, numerical simulations for the injection molding and film forming were performed with one-way coupling method. The results showed that the injected resin could lead to the tearing of the polymer film in local regions near the corners. In order to verify the proposed numerical methodology, the numerical results of the deformation patterns printed on the initial polymer film were compared with the experimental data. The proposed methodology to couple film forming analysis with injection molding analysis can be used to predict the deformation of film in IMD process.
본 논문은 전력증폭기의 크기를 줄이고 선형성을 개선하기 위한 새로운 광전자밴드갭 (PBG) 구조를 제시하였다. 제안된 구조는 비평면 제조 공정을 요구하지 않는 유전체 판위에 패턴을 뜬 2차원의 규칙적인 격자이다. 실험 결과를 통해서 보면, 이 구조는 접지 평면에 세 개의 셀을 식각시킨 기본적인 PBG와 distorted uniplanar compact_PBG (DUC_PBG)보다 더 넓은 저지대역과 더 높은 저지 특성을 갖는다. 이 새로운 PBG 구조는 선형성 개선을 위하여 전력증폭기에 적용되어 질 수 있다. 새로운 PBG 구조를 이용한 전력증폭기의 3차 혼변조 왜곡 (IMD3)은 코드분할 다중접속 (CDMA) 응용에서 -36.16 dBc이다. 제안된 PBG 구조가 없는 전력증폭기와 비교했을 때, 개선된 IMD3는 -13.49 dBc이다.
해사채취 지역에서의 저서동물은 채취에 따른 해저퇴적층의 교란 및 부유탁도에 의한 재침전 등의 영향을 직접적으로 받고 있으나, 이에 대한 연구는 매우 적다. 지금까지 대부분의 해사채취의 규모에 따른 저서생태계 변화 및 회복에 대한 연구는 단시간의 소규모 교란에 의해 실시되었으며, 일반적으로 대규모로 이루어지는 해사채취에 따른 생태계 교란을 평가하기에는 많은 어려움이 있다. 그러므로 본 연구에서는 해사채취가 많이 이루어지는 경기만 지역에서, 대량$(70,000m^3)$의 시범 해사채취를 실시하여 저서생태계 군집구조에 미치는 영향을 조사하였다. 저서생태계 조사는 2005년 11월부터 시범채취가 시작되기 전과 채취기간 동안에 실시되었다. 시범채취가 시작되기 전에 출현한 대형저서동물의 종수는 해사채취가 진행되고 있는 주변 지역에서와 비슷하였다. 시범채취 예정 지역(정점 1과 2)에서 단각류 U. grimaldii japonica가 우점했으며, 다차원척도분석에서도 시범채취 예정해역은 하나의 그룹으로 구분되었다. 그러나 시범채취가 시작되면서, 정점 0과 1에서의 종수 및 밀도가 급격히 감소하였다. 특히 이곳에 우점했던 단각류 U. grimaldii japonica가 급격히 감소했으며, 시범채취 2개월 후에 조사된 3차 조사에서는 정점 0과정점 1에서는 출현하지 않았다. 그렇지만, 정점 2에서는 뚜렷한 변화가 나타나지 않았다. 종간의 유사도 분석과 IMD 그리고 rIMD 그리고 P/A ratio분석에서 정점 0과 1에서 변화가 크게 나타났다. 본 연구의 결과, 해사채취의 직접적인 영향은 정점 0과 1에서 나타났으며, 정점 2에서는 직접적인 영향이 나타나지 않았다. 본 연구에서 해사채취에 따른 저서생태계의 영향을 평가하는데 이용한 IMD과 r.IMD및 P/A ratio 분석 결과는 모두 비슷하였으며, 장기간의 모니터링 검증을 통해 생태평가지수의 개발이 필요할 것으로 여겨진다.
초고주파 트랜지스터를 이용한 증폭기는 트랜지스터의 비선형 특성에 의해 여러 선호들이 입력되는 경우 입 력 선호의 상호 관계에 의해, 입력된 신호의 출력 외에 혼변조 신호들이 발생하게 된다. 혼변조 신호는 입력 신 호에 대해 잡음으로 존재하게 된다. 증폭기에서의 혼변조 선호를 포함하는 출력 신호의 세기와 위상은 증폭기 입력 신호의 세기와 위상 변화에 따라 변하게 된다. 입력신호의 변화에 따른 출력신호의 세기 및 위상 변화를 정확하게 알 수 있다면, 보다 정확한 트랜지스터의 해석과 증폭기에서 발생하는 혼변조 신호 감쇄에 가치있는 정보를 얻을 수 있게 된다. 본 실험에서는 증폭기의 입력 신호의 변화에 따른 출력 신호의 세기 및 위상 변화를 측정할 수 있는 회로를 제작하고, 이를 이용하여 초고주파 트랜지스터에서의 출력 선호 세기 및 위상 변화 특성 을 살펴보았다.
본 논문에서는 C-대역에서 입출력 정합 회로가 패키지에 내장된 10 W급 내부 정합 증폭기 설계 및 제작을 하였다. 전력증폭기 설계에 사용한 트랜지스터로 GaAs pHEMT bare-chip을 사용하였다. 트랜지스터 패드 위치와 커패시터 크기를 고려한 와이어 본딩 해석으로 정확도 높은 설계를 하였다. 패키지와 정합 회로를 함께 EM simulation하여 패키지가 정합 회로에 미치는 영향을 해석하였다. 2-tone 측정 시 memory effect로 인해 발생되는 IMD3의 비대칭성을 줄이기 위한 memory effect 감쇄 바이어스 회로를 제안 및 설계하였다. 측정 결과, 7.1~7.8 GHz 대역에서 $P_{1dB}$는 39.8~40.4 dBm, 전력 이득은 9.7~10.4 dB, 효율은 33.4~38.0 %을 얻었고, 제안된 memory effect 감쇄 바이어스 회로로 IMD3(Upper)와 IMD3(Lower)차는 0.76 dB 이하를 얻었다.
본 논문은 일반적으로 고효율 특성을 가지고 있는 class-F 전력 증폭기의 출력 단에서 기생되는 2차 고조파 성분을 제거함으로 3차 IMD (Intermodulation distortion) 특성을 개선하였다. class-F 전력 증폭기의 경우 과부동 특성으로 인해 고효율을 얻을 수 있으나 선형성 측면에서는 많은 단점을 가지고 있다. 따라서 본 논문은 특별한 선형화 기술을 적용하지 않고 CMRC 구조를 적용하여 2차 고조파를 제거하여 선형성을 나타내는 U 특성을 개선하였다. CMRC 구조의 경우 광대역 저지대역 특성을 가지고 있으며 PBG 구조 보다 작은 크기로 더 좋은 특성을 얻을 수 있다.
본 논문은 일반적인 Doherty amplifier보다 더 작은 부하저항을 갖도록 설계하였으며 출력 정합 회로에 PBG구조를 적용하여 IMD(Inter-modulation Distortion)를 억제 시키고 PAE (Power Added Efficiency)를 향상시켰다. 본 논문에서 제안된 전력 증폭기는 기존의 Doherty 전력 증폭기를 기준으로 IMD3는 5.5 dEC, PAE는 $5\%,$ 최대 출력 전력은 8dB back-off point 에서 $18\%$의 성능 개선을 시켰다.
사전 왜곡형 선형 증폭기는 회로가 간단하고 제작 비용이 적은 장점이 있으나, 상호 변조 왜곡 hump 특성 때문에 낮은 출력 전력에서 상호 변조 왜곡 특성이 나빠지는 단점이 있다. 본 논문에서는 출력 전력에 따라 전력 증폭기의 바이어스를 제어하는 방법으로 이와 같은 단점을 개선하였다. AB급 바이어스를 사용한 16 W급 사전 왜곡형 전력 증폭기에 본 논문에서 제안한 방법을 적용한 결과, 넓은 출력 전력 범위에서 약 10 dB의 3차 상호변조 왜곡 특성이 개선됨을 확인하였다.
본 논문에서는 적응형 바이어스와 PBG 구조를 이용하여 Doherty 증폭기의 효율 및 선형성을 개선하였다. PBG 구조를 출력 정합회로에 구현하였으며, 적응형 바이어스를 peaking amplifier에 적용하여 Doherty 증폭기의 효율뿐 아니라 선형성을 개선할 수 있었다. 제안된 구조를 이용한 Doherty 증폭기는 기존의 전력증폭기에 비해 PAE $12\%$, $IMD_3-7.5dBc$ 개선하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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