Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.75-75
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2009
반도체 및 전자기기 산업에 있어 비활성메모리 (NVM)는 중요한 부운을 차지한다. NVM은 디스플레이 분야에 많은 기여를 하고 있으며, 특히 AMOLED에 적용이 가능하여 온도에 따라 변하는 구동 전류, 휘도, color balance에 따른 문제를 해결하는데 큰 역할을 한다. 본 연구는 NNN 구조에서 터널 층을 $SiN_X$ 박막에서 $SiO_XN_Y$ 박막으로 대체하기위한 $SiO_XN_Y$ 박막을 이용한 NNO구조의 NVM에 관한 연구이다. 이로 인하여 보다 얇으면서 우수한 절연 특성을 가지는 박막을 사용함으로써 실리콘 층으로부터 전하의 터널링 효과를 높여 전하 저장 정도를 높이고, 메모리 retention 특성을 향상시키는 터널 박막을 성장 시킬 수 있다. 최적의 NNO 구조의 메모리 소자를 제작하기 위하여 MIS 상태로 다양한 조건의 실험을 진행하였다. 처음으로 블로킹 박막의 두께를 조절하는 실험을 진행하여 최적 두께의 블로킹 박막을 찾았으며, 다음으로 전하 저장 박막의 band gap을 조절하여 최적의 band gap을 갖는 $SiN_X$ 박막을 찾았다. 마지막으로 최적두께의 $SiO_XN_Y$박막을 찾는 실험을 진행하였다. MIS 상태에서의 최적의 NNO 구조를 이용하여 유리 기판 상에 NNO 구조의 NVM 소자를 제작하였다. 제작된 메모리 소자는 문턱전압이 -1.48 V로 낮은 구동전압을 보였으며, I-V의 slope 값 역시 약 0.3 V/decade로 낮은 값을 보인다. 전류 점멸비($I_{ON}/I_{OFF}$)는 약 $5\times10^6$로 무수하였다. $SiN_X$의 band gap을 다양하게 조절하여 band gap 차이에 의한 밴드 저장 방식을 사용하였다. 또한 $SiN_X$은 전하를 전하 포획(trap) 방식으로 저장하기 때문에 본 연구에서의 메모리 소자는 밴드 저장 방식과 전하 포획 방식을 동시에 사용하여 우수한 메모리 특성을 갖게 될 것으로 기대된다. 우수한 비휘발성 메모리 소자를 제작하기 위해 메모리 특성에 많은 영향을 주는 터널 박막과 전하 저장 층을 다양화하여 소자를 제작하였다. 터널 박막은 터널링이 일어나기 쉽도록 최대한 얇으며, 전하 저장 층으로부터 기판으로 전하가 쉽게 빠져나오지 못하도록 절연 특성이 우수한 박막을 사용하였다. 전하 저장 층은 band gap이 작으며 trap 공간이 많은 박막을 사용하였다.
Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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v.20
no.3
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pp.54-62
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2016
Micro plasma thruster (${\mu}PT$) was studied experimentally with a dual-stage micro-hollow cathode discharge (MHCD) plasma. Electrostatic-like acceleration exhibiting more directional and elongated exhaust plume was achieved by a dual layer MHCD at the total input power less than 10 W with argon flow rate of 40 sccm. V-I characteristic indicated that there was an optimal regime for dual-stage operation where the acceleration voltage across the second stage remained constant. Estimated exhaust plume length showed a similar trend to the analytic estimate of exhaust velocity which scales with an acceleration voltage. ${\mu}PT$ with multiple holes exhibited similar performance with single-hole thruster indicating that higher power loading is possible owing to decreased power through each hole. Boltzmann plot of atomic argon spectral lines showed average electron excitation temperature of about 2.6 eV (~30,170 K) in the exhaust plume.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.05c
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pp.83-87
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2002
Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride ($SiN_X$) is widely used as a gate dielectric material for the hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) thin film transistors (TFT's). We investigated $SiN_X$ films were deposited PECVD at low temperature ($300^{\circ}C$). The reaction gases were used pure nitrogen and a helium diluted of silane gas(20% $SiH_4$, 80% He). Experimental investigations were carried out with the variation of $N_2/SiH_4$ flow ratios from 3 to 50 and the rf power of 200 W. This article presents the $SiN_X$ gate dielectric studies in terms of deposition rate, hydrogen content, etch rate and C-V, leakage current density characteristics for the gate dielectric layer of thin film transistor applications. Electrical properties were analyzed through high frequency (1MHz) C-V and current-voltage (I-V) measurements. The thickness and the refractive index on the films were measured by ellipsometry and chemical bonds were determined by using an FT-IR equipment.
Jo, Chun-Nam;Kim, Jin-Sa;Sin, Cheol-Gi;O, Jae-Han;Choe, Un-Sik;Kim, Chung-Hyeok;Lee, Jun-Ung
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.2
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pp.107-112
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2000
$(Sr_{0.85}Ca_{0.15})TiO_3$(SCT) thin films were deposited on Pt-coated $TiO_2/SiO_2/Si$ wafer by the rf sputtering method. Experiments were conducted to investigate the electrical properties of SCT thin films with various top electrodes. Various top electrodes as Pt, Al, Ag, Cu were deposited on SCT thin films by sputter and thermal evaporator. The characteristics of C-F and C-V of SCT thin films were not obviously varied with various top electrodes, SCT thin films annealed at $600^{\circ}C$ represents as favorable capacitance characteristics than SCT thin films not annealed, and Pt top electrode have the most high capacitance. The characteristic of I-V of SCT thin films showed that Pt top electrode revealed more less leakage current density than other electrodes, had a leakage current density below 10-8$[A/cm^2]$ until 25[V] applied voltage.
Within the framework of the density functional theory combined with the method of non-equilibrium Green's functions (DFT + NEGF), the features of electron transport in fullerene nanojunctions, which are «core-shell» nanoobjects made of a combination of fullerenes of different diameters C20, C80, C180, placed between gold electrodes (in a nanogap), are studied. Their transmission spectra, the density of state, current-voltage characteristics and differential conductivity are determined. It was shown that in the energy range of -0.45-0.45 eV in the transmission spectrum of the "Au-C180-Au" nanojunction appears a HOMO-LUMO gap with a width of 0.9 eV; when small-sized fullerenes C20, C80 are intercalation into the cavity C180 the gap disappears, and a series of resonant structures are observed on their spectra. It has been established that distinct Coulomb steps appear on the current-voltage characteristics of the "Au-C180-Au" nanojunction, but on the current-voltage characteristics "Au-C80@C180-Au", "Au-(C20@C80)@C180-Au" these step structures are blurred due to a decrease in Coulomb energy. An increase in the number of Coulomb features on the dI/dV spectra of core-shell fullerene nanojunctions was revealed in comparison with nanojunctions based on fullerene C60, which makes it possible to create high-speed single-electron devices on their basis. Models of single-electron transistors (SET) based on fullerene nanojunctions "Au-C180-Au", "Au-C80@C180-Au" and "Au-(C20@C80)@C180-Au" are considered. Their charge stability diagrams are analyzed and it is shown that SET based on C80@C180-, (C20@C80)@C180- nanojunctions is output from the Coulomb blockade mode with the lowest drain-to-source voltage.
Oxovanadium(IV) complexes with salicylaldoxime, o-vanilline oxime, 2-hydroxy-4-methoxybenzaldoxime, 2-hydroxy-5-methoxybenzaldoxime and 2-hydroxy-5-nitrobenzaldoxime were synthesized. The complexes have been characterized by elemental analysis, electric conductivity measurement, infrared spectrometry, electronic spectrometry, mass spectrometry, and thermal analysis. The results of elemental analysis were well coincided with the theoretical values. The values of molar conductance of the complexes in DMF implicated that the complexes were non-electrolyte. The characteristic stretching frequency of V=O appeared strong band in the range of $980{\pm}20\;cm^{-1}.$ All the complexes showed two d-d transition in visible spectra and two charge transfer transitions in ultraviolet spectra. Results of mass spectrometry of $VO(sal)_2\;and\;VO(van)_2$ indicated two peaks corresponding to vanadium containing ion(I) of 1 : 2(metal to ligand) chelate and a fragment ion(II) of 1 : 1 chelate due to loss of ligand radical from ion(I). The thermal analysis showed the endothermic peak due to the thermal decomposition.
This study aimed at simulating several responses to stresses caused by the ground water level variations around the K-1 oil stockpile. For this simulation, we considered the characteristic hydrogeological condition including the special occurrence of long and thick acidic dyke, which is regarded as the main geological structure dominating the ground water flow system at this study area. We activated twenty-four imaginary wells which are located in northern and southern area around central K-1 site. Each neighboring distance is altogether 300 m and whole distance between K-1 site and remote wells is 1,200 m. Through the modeling, we operated the long-term and continuous pumping tests and finally categorized five zones based on maximum pumping rates for the imaginary wells; zone I within 300 meter distance from K-1 site with a pumping rate of 50 $m^3/day$; zone II between 300 to 600 meter distance from K-1 site with a pumping rate of 75 $m^3/day$; zone III between 600 to 900 meter distance from K-1 site with 150 $m^3/day$; zone IV between 900 to 1,200 meter distance from K-1 site with 300 $m^3/day$; and zone V of acidic dyke area. At zone V, especially because of their possibility of high transmissivity for groundwater flow, it is necessary to control and restrict groundwater discharge.
Journal of the Korean Society of Environmental Restoration Technology
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v.18
no.4
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pp.29-41
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2015
Abandoned paddy field provides an excellent opportunity to improve the species diversity and habitat quality. Ecological characteristic on the changing of plant communities at different seral stages is a major basis data for ecological restoration. In this study, we investigated changes of the species composition and community indices on the plant community associated with abandonment of cultivated rice paddies. The ecological stability of the habitat was evaluated by using eco-floristic characters(Di; Disturbance index, AUI; Actual urbanization index). Survey sites were grouped into six stages(stageI (${\leq}3years$), stageII(3-5years), stageIII(5-7years), stageIV(7-10years), stageV(10-15years), stageVI(${\geq}20years$). Vegetation investigation was done from May 2009 to October 2012 and carried out phytosociological approach. The total flora were summarized as 176 taxa including 58 families, 127 genera, 157 species, 3 subspecies, 15 varieties and 1 forms. At each of successional stages, 64 taxa in stage I, 34 taxa in stage II, 84 taxa in stage III, 83 taxa in stage IV, 92 taxa in stage V, 23 taxa in stage VI were identified. Of the occurrence plants, the species with the highest r-NCD value were Alopecurus aequalis, Juncus effuusus var. decipiens, Persicaria thunbergii, Artemisia princeps, Salix koreensis and Alnus japonica at each stages. Herbaceous annual plants were dominated in the early stage, but its r-NCD value declined in the middle stage and the late stage. On the other hand, herbaceous perennial plants and Persicaria thunbergii, annual hydrophytes, increases in the middle stage. Woody plant and herbaceous plant which appeared in the forest edge increases in the late stage. Community indices correlate with successional stages. Richness and diversity index increase along the successional gradient. But dominance index decrease along the successional gradient. Evenness index was correlated with lower. In the ecological stability analysis of the habitat that evaluated by eco-floristic characters, stage I was the most unstable habitat. And the stability of the habitat has improved according to the successional stage.
The SPECT radiopharmaceuticals labeled with I-123 for dopamine transporter imaging have been used to measure dopamine transporters in patients with movement disorders. However, a cyclotron produced I-123 limits its availiability and ease of use as a radioisotope to be labeled with pharmaceuticals in routine clinical diagnostic procedures. Recently, new radiophannaceuticals for Tc-99m which has optimal characteristic for SPECT imaging have been developed to overcome the limits of using I-123. The purpose of this study was to compare the quality of [Tc-99m]TRODAT-1 with [I-123]IPT SPECT data and then to evaluate the usefulness of [Tc-99m]TRODAT-1 SPECT by using three noninvasive simplified quantitative methods. TRODAT-1 labeled with Tc-99m($15.93{\pm}0.82mCi$) and IPT labeled with I-123($6.60{\pm}0.11mCi$) were injected into five normal controls. Dynamic [Tc-99m]TRODAT-1 SPECT scans of brain were performed for 10 minutes each over 180 minnutes, and for 20 minutes at 4 hrs and 5 hrs. [I-123]IPT SPECT scans were performed for 5 minutes each over 120 minutes. Time activity curves were generated for the left basal ganglia(LBG), right basal ganglia(RBG), and occipital cortex(OCC). Dopamine transporter parameters were ohtained using (BG-OCC)/OCC, graphical method($R_V$), and area ratio method($R_A$). TRODAT-1 and IPT SPECT imaging showed high uptake at the level of the basal ganglia. (BG-OCC)/OCC ratios for TRODAT-1 and IPT were $0.80{\pm}0.14$, and $3.22{\pm}0.81$, $R_Vs$ were $0.62{\pm}0.12$, and $2.30{\pm}0.35$, and $R_As$ were $0.37{\pm}0.08$ and $1.73{\pm}0.31$, respectively. In conclusion, further improvement of [Tc-99m]TRODAT-1 imaging characteristics may be required to estimate the dopamine transporter concentrations in human brains although it shows clear BG localization.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2005.07a
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pp.28-29
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2005
본 논문에서는 MEH-PPV와 DFPP의 폴리머 물질을 이용하여 photovoltaic device가 제작되었고, 그림 1에 두 물질의 분자 구조가 보여진다. Photovoltaic cell의 전기-광학적 특성은 활성층의 폴리머 물질에 의해 결정된다. 이러한 특성을 알아보기 위해서 홉수 스펙트럼이 측정되었다. DFPP는 chloroform, chlorobenzen, THF, acetone에 잘 녹았으며, 본 논문에서는 chloroform이 용매로 사용되었다. 제작 공정은 다음과 같다. 인듐 주석 산화물 (ITO)이 증착된 유리기판은 photolithography 공정을 거친 후, 왕수(HNO$_{3}$ + HCL)로 식각됨으로서 전극의 패턴이 제작되었다. 그리고 ITO 전극 패턴 된 유리기판 위에 PEDOT (CH8000, Baytron)이 코팅된 후 Ar이 주입되는 Convection Oven을 이용하여 120$^{\circ}$C에서 2시간 동안 열처리되어 수분이 제거되었다. 활성층에는 MEH-PPV와 DFPP가 9:1과 2.33:1로 혼합된 폴리머가 사용되었고, 이것은 0.3 %w.t.가 되도록 chloroform에 넣어 5시간 동안 스핀바를 돌려서 용해되었다. 이 용액은 ITO 전극 패턴이 형성된 글라스 위에 3000 rpm으로 45 초간 스핀코팅 되었다. 이 때 얻어진 유기물 박막층은 80$^{\circ}$C의 Ar이 주입되는 convection oven에서 3시간 동안 경화되었다. 경화된 단층 유기물 박막층 위에 Li-Al이 1000 ${\AA}$의 두께로 증착되어 전극이 형성되었고, 이후 질소가 채워진 globe box에서 소자는 encapsulation되어 산소와 수분에 대한 영향으로부터 차단되었다. 상기의 공정으로 제작된 소자의 박막구조는 그림 2에서 보여진다. 그림 3은 MEH-PPV와 DFPP를 혼합했을 때의 흡수 스펙트럼이다. 최대 흡수 파장은 511 nm였다. 그리고 photovoltaic cell의 V-I 특성 결과가 그림 4와 같이 측정되었다. 측정에서는 300${\sim}$700 nm의 파장대를 갖는 태양광 모사계가 사용되었고, 셀의 면적은 10 mm$^{2}$였다. 그림 5의 I-V 특성으로부터 MEH-PPV와 DFPP가 9:1 로 혼합했을 때보다 2.33:1 로 혼합했을 때, photovoltaic device의 효율이 향상됨을 확인할 수 있다. 빛이 75 mW/cm$^{2}$ 의 세기로 조사될 때 9:1과 2.33:1로 혼합된 소자의 open circuit voltage (V$_{oc}$)는 비슷하지만, short circuit current Density (J$_{sc}$)는 각각 -1.39 ${\mu}$A/cm$^{2}$ 와 -3.72${\mu}$A/cm$^{2}$ 로 약 2.7배 정도 증가되었음을 볼 수 있다. 이러한 결과를 통해 electron acceptor인 DFPP의 비율이 높아질수록 photovoltaic cell의 conversion efficiency가 더 크게 됨을 확인할 수 있다. 그러므로 효율이 최대가 되는 두 폴리머의 혼합 비율이 최적화되는 조건을 찾는 것은 매우 중요한 연구가 될 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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