The magnetic and metallurgical characteristics of Mischmetal(MM) -Ferroboron (FeB) Permanent magnets have been investigated by X-ray diffractometer, scanning and transmission electron microscope and vibrating sample magnetometer under hot-pressing and die-upsetting process. The best magnetic properties obtained in these studies were $H_c$=5.8 kOe, $B_r$=5.0 kG with $(BH)_{max}=7.6 MGOe for melt-spun ribbons, $H_c$=3.0 kOe, $B_r$=4.6 kG with $(BH)_{max}$=2.9 MGOe for hot-pressed magnets and $H_c$=1.8 kOe, $B_r$=5.5 kG with $(BH)_{max}$=4.1 MGOe for die-upset magnets. The higher magnetic properties in die-upset magnets were resulted from alignment of the c-axis along the die-upsetting direction.
The temperature in hot forming of metallic materials, such as hot extrusion and hot forging, ranges from $300^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$. Correspondingly, the die also exhibits high temperatures close to that of a work piece and its life is limited generally by high temperature fatigue. Thus, the analysis of high temperature fatigue would need the mechanical properties over the wide ranges of temperature. However, very few studies on the high temperature fatigue of brittle materials have been reported. Especially, the study on the fatigue behavior over such transition temperature regime is very rare. In this paper, the stress-strain curves and stress-life curves of a die steel such as STD61 are experimentally obtained. The wide ranges of temperature from $300^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$ are considered in experiments and the transition temperature zone is carefully examined.
Hot embossing has been widely accepted as an alternative to photolithography in generating patterns on polymeric substrates. The optimization of embossing process should be accomplished based on polymer substrate materials. In this paper, the effect of polymer substrates on nano scale hot embossing process was studied. Silicon molds with nano size patterns were fabricated by e-beam direct writing. Molds were coated with self-assembled monolayer (SAM) of (1, 1, 2.2H -perfluorooctyl)-trichlorosilane to reduce the stiction between mold and substrates. For an embossing, pressure of 55, 75 bur, embossing time of 5 min and temperature of above transition temperature were peformed. Polymethylmethacrylates (PMMA) with different molecular weights of 450,000 and 950,000, MR-I 8010 polymer (Micro Resist Technology) and polyaliphatic imide copolymer were applied for hot embossing process development in nano size. These polymers were spun coated on the Si wafer with the thickness between 150 and 200 nm. The nano size patterns obtained after hot embossing were observed and compared based on the polymer properties by scanning electron microscopy (SEM). The imprinting uniformity dependent on the Pattern density and size was investigated. Four polymers have been evaluated for the nanoimprint By optimizing the process parameters, the four polymers lead to uniform imprint and good pattern profiles. A reduction in the friction for smooth surfaces during demoulding is possible by polymer selection.
포공영의 총 페놀함량에서는 열수 추출물 7.80$\pm$0.97 mg/g, 에탄올 추출물 9.12$\pm$0.51 mg/g으로 나타났다. 플라보노이드함량은 열수 추출물 54.20$\pm$1.95 mg/g, 에탄올 추출물 79.43$\pm$4.44 mg/g으로 항산화 활성에 관련된 페놀 및 플라보노이드 화합물들이 에탄올 추출물에 많이 존재함을 확인할 수 있었다. 전자공여능에 있어서도 포공영 에탄올 추출물이 열수 추출물 $IC_{50}$값에 비해 3배 정도의 뛰어난 활성을 보였다. 아질산염 소거능은 모든 pH 조건하에서 에탄올 추출물이 열수 추출물보다 높은 아질산염 소거능을 나타내었으며, pH가 증가할수록 감소하였다. SOD 유사활성을 측정한 결과 열수 추출물에서는 18.34$\sim$37.26 $\mu$g/mL, 에탄올 추출물에서는 16.60$\sim$49.03 $\mu$g/mL의 범위로 분석되었으며, 농도에 따른 유의적 증가현상을 나타내었다. Tyrosinase 및 elastase 저해활성은 모든 추출물에서 대조구에 비해 다소 약한 활성을 나타내었다. 포공영 추출물은 뛰어난 항산화 활성을 나타나 기능성 식품 및 화장품 소재로 개발 가능성이 높을 것으로 사료된다.
It is suggested that a flying-by star in a hot accretion disk may cool the hot accretion disk by the Comptonization of the stellar emission. Such a stellar cooling can be observed in the radio frequency regime since synchrotron luminosity depends strongly on the electron temperature of the accretion flow. If a bright star orbiting around the supermassive black hole cools the hot disk, one should expect a quasi-periodic modulation in radio, or even possible an anti-correlation of luminosities in radio and X-rays. Recently, the unprecedentedly accurate infrared imaging of the Sagittarius A$\ast$ for about ten years enables us to resolve stars around it and thus determine orbital parameters of the currently closest star S2. We explore the possibility of using such kind of observation to distinguish two quite different physical models for the central engine of the Sagittarius A$\ast$, that is, a hot accretion disk model and a jet model. We have attempted to estimate the observables using the observed parameters of the star S2. The relative difference in the electron temperature is a few parts of a thousand at the epoch when the star S2 is near at the pericenter. The relative radio luminosity difference with and without the stellar cooling is also small of order $10^{-4}$, particularly even when the star S2 is near at the pericenter. On the basis of our findings we tentatively conclude that even the currently closest pass of the star S2 is insufficiently close enough to meaningfully constrain the nature of the Sagittarius A$\ast$ and distinguish two competing models. This implies that even though Bower et al. (2002)have found no periodic radio flux variations in their data set from 1981 to 1998, which is naturally expected from the presence of a hot disk, a hot disk model cannot be conclusively ruled out. This is simply because the energy bands they have studied are too high to observe the effect of the star S2 even if it indeed interacts with the hot disk. In other words, even if there is a hot accretion disk the star like S2 has imprints in the frequency range at v $\le$ 100 MHz.
ZnTe films have been grown on (100) GaAs substrate with two representative problems. The one is lattice mismatch, the other is thermal expansion coefficients mismatch of ZnTe /GaAs. It claims here, the relationship of film thickness and defects distribution with (100) ZnTe/GaAs using hot wall epitaxy (HWE) growth was investigated by transmission electron microscopy (TEM). It analyzed on the two-sort side using TEM with cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) and high-resolution electron microscopy (HREM). Investigation into the nature and behavior of dislocations with dependence-thickness in (100) ZnTe/ (100) GaAs hetero-structures grown by transmission electron microscopy (TEM). This defects range from interface to 0.7 $\mu\textrm{m}$ was high density, due to the large lattice mismatch and thermal expansion coefficients. The defects of low density was range 0.7$\mu\textrm{m}$~1.8$\mu\textrm{m}$. In the thicker range than 1.8$\mu\textrm{m}$ was measured hardly defects.
Electron beam treatment was applied for improving dissolution of cellulose with ionic liquids. Two ionic liquids, 1-allyl-3-methylimidazolium chloride ([Amim]Cl]: AC) and 1,3-dimethylimidazolium methylphosphite ([Dmim][$(MeO)(H)PO_2$]: Me) were used for this experiment. Treatment with electron beams up to dose of 400 kGy resulted in the increase of hot water extract and alkali extract of cotton pulp and the great reduction in the molecular weight of cellulose. For the dissolution of cotton pulp with two ionic liquids, the electron beam treated samples showed faster dissolution. The dissolved cellulose with Me ionic liquid were regenerated with acetonitrile and the structure of regenerated cellulose showed distinct difference depending on the electron beam treatment. Those results provide the electron beam pre-treatment could be applied as an energy efficient and environmentally benign method to increase the dissolution of cellulose with ionic liquids.
It is known that a pulse of electrons of high kinetic energy (1-3 eV) in metals can be generated with the deposition of external energy to the surface such as in the absorption of light or in exothermic chemical processes. These energetic electrons are not in thermal equilibrium with the metal atoms and are called "hot electrons" The concept of photon energy conversion to hot electron flow was suggested by Eric McFarland and Tang who directly measured the photocurrent on gold thin film of metal-semiconductor ($TiO_2$) Schottky diodes [1]. In order to utilize this scheme, we have fabricated metal-semiconductor Schottky diodes that are made of Pt or Au as a metallic layer, Si or $TiO_2$ as a semiconducting substrate. The Pt/$TiO_2$ and Pt/Si Schottky diodes are made by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) for $SiO_2$, magnetron sputtering process for $TiO_2$, e-beam evaporation for metallic layers. Metal shadow mask is made for device alignment in device fabrication process. We measured photocurrent on Pt/n-Si diodes under AM1.5G. The incident photon to current conversion efficiency (IPCE) at different wavelengths was measured on the diodes. We also show that the steady-state flow of hot electrons generated from photon absorption can be directly probed with $Pt/TiO_2$ Schottky diodes [2]. We will discuss possible approaches to improve the efficiency of photon energy conversion.
두경부 종양의 방사선치료에서 비대칭 콜리메이터를 이용한 이분조사는 두 조사면을 겹침없이 연결시켜 조사할 수 있는 효과적인 방법이고, 동일 방사선 조사면을 분리하여 X-선과 전자선을 인접시켜 조사하는 경우는 빈번히 사용되는 방법이다. 본 연구는 X-선의 이분조사면을 이용한 두 조사면의 인접면의 선량과, X-선과 전자선 조사면의 인접면에서 선량을 측정하여 임상에 적용할 수 있는 자료를 얻고자 하였다. X-선의 반쪽 조사면의 선량측정에서 하부 전방 단일 이분조사면의 선량분포는 Y축이 0 cm인 면(콜리메이터가 닫힌 면)에서 0.5 cm, 1 cm 거리에서는 각각 개방조사 선량의 93%, 95%, 전후방 이분조사의 경우 Y축이 0 cm인 면에서 0.3 cm, 0.5 cm, 1 cm거리에서는 각각 개방조사 선량의 92%, 95%, 98%로 선량감소를 보였다. X-선과 전자선의 조사면을 인접시켰을 때 깊이 0 cm, 0.5 cm, 1.5 cm, 2 cm, 3 cm에서의 두 조사면의 인접면에서의 선량 분포의 분석에서 X-선 조사면에서 선량 증가는 깊이 1.5 cm에서 폭 7 mm에 걸쳐 있었고 최고 6%의 증가를 보였으며 다른 측정 깊이에서는 선량증가가 허용범위 내에 있었다. 그리고 전자선 조사면쪽에서 선랑 감소는 전 측정 깊이 0.5 cm-3 cm에서 각각 폭이 1mm-12.5 mm에 걸쳐 4.5%- 30%의 주변부 보다 선량감소를 보였다. 본 연구에서 이분 조사면의 선량은 콜리메이터가 닫힌 면에서 감소함을 확인하였다. 그리고 X-선과 전자선을 인접시켜 조사 할 때 두 조사면의 인접면을 중심으로 X-선 조사면 쪽에서 선량증가, 전자선 조사면쪽에서 선량 감소를 보임을 확인하였다.
This experimental focus to characterize luminescence properties related to CNT (Carbon Nano Tube) element dispersedly implanted in ZnS-based phosphor thin film panel fabricated by a screen printing method. More specifically FE-SEM measurements, L-V(Luminescence vs. Voltage) and photo luminescence were carried out to determine an optimum value of CNT concentration and film thickness for the thin film structure of CNT-ZnS:(Cu, Al) by the screen printing method. We confirmed that an optimum value of CNT concentration in the ZnS:(Cu, Al) film panel is about 0.75 wt% resulting that the electric conductivity is 1.6 times higher than that of pure CNT sample and showing that the luminescence intensity is increasing until the optimum concentration. Clearly, CNT is presenting in the luminescence process providing a pathway for the creation of hot electron and a channel for the electron-hole recombination but overly inserted CNT may hinder to produce the hot electron for making an avalanching process. In case of the overly doped CNT 1.0 wt% in the ZnS-based phosphor, the luminescence intensity is decreasing although the electric conductivity is exponentially increasing. Based on these results, we realized that hot electron occurred by the external electric field or exciton arose by the external photon source are reduced dramatically over the critical value of CNT concentration because CNT element provide various isolated residues in the composites of ZnS based phosphor rather than pathway or channel for the D-A(Donnor to Acceptor) pair transition or the radiative recombination of electron-hole.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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