SOI (Silicon-on-Insulator) 기반의 비휘발성 메모리 소자의 부분공핍 및 완전공핍 상태에서의 프로그램 효율 (Program Efficiency of Nonvolatile Memory Device Based on SOI(Silicon-on-Insulator) under Partial and Full Depletion Conditions)
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- 대한전자공학회:학술대회논문집
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- 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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- pp.395-396
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- 2008