• 제목/요약/키워드: Hopping mechanism

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La2NiO4+δ세라믹스의 유전이완 및 전기전도특성 (Dielectric Relaxation and Electrical Conduction Properties of La2NiO4+δ Ceramics)

  • 정우환
    • 한국재료학회지
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    • 제21권7호
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    • pp.377-383
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    • 2011
  • Thermoelectric power, dc conductivity, and the dielectric relaxation properties of $La_2NiO_{4.03}$ are reported in the temperature range of 77 K - 300 K and in a frequency range of 20 Hz - 1 MHz. Thermoelectric power was positive below 300K. The measured thermoelectric power of $La_2NiO_{4.03}$ decreased linearly with temperature. The dc conductivity showed a temperature variation consistent with the variable range hopping mechanism at low temperatures and the adiabatic polaron hopping mechanism at high temperatures. The low temperature dc conductivity mechanism in $La_2NiO_{4.03}$ was analyzed using Mott's approach. The temperature dependence of thermoelectric power and dc conductivity suggests that the charge carriers responsible for conduction are strongly localized. The relaxation mechanism has been discussed in the frame of the electric modulus and loss spectra. The scaling behavior of the modulus and loss tangent suggests that the relaxation describes the same mechanism at various temperatures. The logarithmic angular frequency dependence of the loss peak is found to obey the Arrhenius law with activation energy of ~ 0.106eV. At low temperature, variable range hopping and large dielectric relaxation behavior for $La_2NiO_{4.03}$ are consistent with the polaronic nature of the charge carriers.

PAN계 탄소섬유의 Hopping 전도기구에 관한 연구 (A Study on the Hopping Conducting Mechanism in PAN Carbon Fiber)

  • 한세원;이희웅
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1989년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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    • pp.65-67
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    • 1989
  • To study hopping conducting mechanism in PAN(polyacrylonitrile) carbon fiber, the temperature and frequency dependence of electrical conductivity and magnetoresistance characteristics were investigated. Electrical conductivity in the range of $60^{\circ}K-300^{\circ}K$ show VRH(variable range hopping) properties which introduced by Mott's theory, and also such properties can be explained by the frequency dependence of electrical conductivity below $5{\times}10^6$ Hz. The negative magnetoresistance observed below 35KG magnetic field, and the properties difference between M40 and T300 with increasing magnetic field is supposed due to on effect connected with crystalline state and orientation of structure.

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주파수 홉핑 기반 인지무선 애드 혹 네트워크에서 동적 스펙트럼 센싱 및 채널 엑세스 방안 (Dynamic Spectrum Sensing and Channel Access Mechanism in Frequency Hopping Based Cognitive Radio Ad-hoc Networks)

  • 원종민;유상조;서명환;조형원
    • 한국통신학회논문지
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    • 제40권11호
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    • pp.2305-2315
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    • 2015
  • 무선통신의 발전에 따라 주파수 자원 가치는 더욱 커지고 있다. 또한 정보화 사회 발전에 따라 주파수 자원의 수요가 공급에 비하여 매우 크기 때문에 주파수 부족 현상이 심각한 실정이다. 따라서 사용하지 않는 주파수 자원을 효율적으로 이용하기 위한 기술로서 최근 Cognitive Radio (CR) 기술이 각광 받고 있다. 본 논문에서는 주파수 홉핑 기반 인지무선 애드 혹 네트워크에서 새로운 out-of-band 주파수 센싱 기법과 동적 채널 엑세스 방법에 대해 제안한다. 제안된 방법에서 CR 멤버노드들은 현재 홉핑 시간의 초반부에 다음 홉핑 채널에 대한 센싱을 수행하고, 제안된 주사용자 감지 신호 방송 기법에 따라 각 노드는 현재 채널에 대한 홉핑 시간 연장여부를 결정한다. 주사용자가 발견되어 잠정적으로 사용하지 않았던 채널이 다시 사용가능한 상태가 되면 해당 채널을 원래의 홉핑 패턴에 포함시키는 채널 복구절차를 수행한다. 본 논문에서는 제안된 동적 주파수 센싱과 홉핑 채널 연장 메커니즘에 대해 다양한 무선 환경에서의 성능평가를 수행하였다. 제안된 방식은 기존 방식에 비하여 채널 효율을 높이고 신뢰할 수 있는 채널 관리를 수행할 수 있음을 확인하였다.

Phonon-Assisted Electron Hopping Conduction in the Uranium Doped One-Dimensional Antiferromagnet Ca2CuO3

  • Thanh, Phung Quoc;Yu, Seong-Cho;Nhat, Hoang-Nam
    • Journal of Magnetics
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    • 제13권4호
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    • pp.132-135
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    • 2008
  • The authors studied the conduction mechanism in an uranium doped low dimensional magnetic system $Ca_2CuO_3$. This system exhibits the S=1/2 quasi 1D antiferromagnetic chains of -Cu-O- with strong magnetic coupling, and demonstrates continuous semiconductor-like behavior with constant covalent insulator character. This paper identifies the conduction is due to thermally activated phonon-assisted electron hopping between dopant uranium sites. The parameter a, the characteristic for hopping probability, was determined to be 0.18 ${\AA}^{-1}$. This value manifests a relatively stronger hopping probability for $Ca_2CuO_3$ as compared with other uranium doped ceramics.

LaNi1-xTixO3(x∼0.5) 세라믹스의 전기전도 특성 (Electrical Transport Properties of LaNi1-xTixO3(x∼0.5) Ceramics)

  • 정우환
    • 한국재료학회지
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    • 제19권4호
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    • pp.186-191
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    • 2009
  • Thermoelectric power and resistivity are measured for the perovskite $LaNi_{1-x}Ti_xO_3$ ($x{\leq}0.5$) in the temperature range 77 K - 300 K. The measured thermoelectric power of $LaNi_{1-x}Ti_xO_3$ ($x{\leq}0.5$) increases linearly with temperature and is represented by A + BT. The x = 0.1 sample showed metallic behavior, the x = 0.3 showed metal and insulating transition around 150 K, and x = 0.5 showed insulating behavior the over the whole temperature range. The electrical resistivity of x = 0.1 shows linear temperature dependence over the whole temperature range and $T^2$ dependence. On the other hand, the electrical resistivity of x = 0.3 shows a linear relation between $ln{\rho}$ and $T^{-1/4}$ (variable range hopping mechanism) in the range of 77 K to 150 K. For x = 0.5, the temperature dependence of resistivity is characteristic of insulating materials; the resistivity data was fitted to an exponential law, such as ln(${\rho}/T$) and $T^{-1}$, which is usually attributed to a small polaron hopping mechanism. These experimental results are interpreted in terms of the spin polaron (x = 0.1) and variable range hopping (x = 0.3) or small polaron hopping (x = 0.5) of an almost localized $Ni^{3+}$ 3d polaron.

La0.7Sr0.3FeO3 세라믹스의 교류 전도특성 (Alternating - Current Electrical Properties of La0.7Sr0.3FeO3 Ceramics)

  • 정우환
    • 한국세라믹학회지
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    • 제44권11호
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    • pp.627-632
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    • 2007
  • We have studied the ac conductivity of insulating $La_{0.7}Sr_{0.3}FeO_3$ in the frequency range 20 Hz-l MHz and in the temperature range 80-300 K. We have analyzed experimental results in the frame works of the quantum-mechanical tunneling mechanism (QMT) and the hopping of barrier mechanism (HOB). We observed that small polaron QMT model is the most suitable mechanism for the low temperature ac conductivity of $La_{0.7}Sr_{0.3}FeO_3$.

비선형광학 단결정 KTP의 상전이 및 완화특성에 관한 연구 (Phase Transition and Relaxation Properties of Nonlinear-Optical KTP Single Crystal)

  • 최병춘
    • 센서학회지
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    • 제7권6호
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    • pp.386-393
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    • 1998
  • 비선형광학 단결정 KTP에 대해 고온 분말 X-선 회절실험과 복소 유전상수 측정실험 등을 수행하였다. 고온분말 X-선 회절 실험 결과를 Lipson과 Cohen의 해석적 방법을 사용하여 분석하였으며, 그 결과 $900^{\circ}C$ 이하의 온도에서는 어떠한 구조상전이도 없음을 확인하였다. 그리고 KTP는 $900^{\circ}C$ 이상에서 구조상전이가 있으며, 상전이 온도 이상의 온도영역에서도 직방정계(orthorhombic)에 속함을 확인하였다. 한편, 복소 유전상수 측정결과를 현상론적인 유전완화식에 적용하였으며, 이로부터 $K^+$ 이온의 hopping에 의한 KTP의 유전완화 mechanism은 $-78^{\circ}C$부터 $200^{\circ}C$까지 단일모드로 Cole-Cole relation을 만족함을 알았다. 이때 완화시간은 Vogel-Fulcher relation을 따르고 있으며, $200^{\circ}C$ 이상의 온도영역에서는 hopping mechanism과 더불어 열적으로 활성화된 확산 mechanism이 KTP의 전도특성을 지배하는 것으로 보인다.

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IEEE 802.11 무선랜 재밍 환경에서의 측정 기반 채널 도약 기법 (Measurement-based Channel Hopping Scheme against Jamming Attacks in IEEE 802.11 Wireless Networks)

  • 정승명;정재민;임재성
    • 한국통신학회논문지
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    • 제37권4A호
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    • pp.205-213
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    • 2012
  • 본 논문에서는 IEEE 802.11 무선 네트워크에서 재밍 (jamming) 공격에 효과적으로 대처할 수 있는 IEEE 802.11h 기반의 채널 도약 기법을 제안한다. IEEE 802.11h의 Dynamic Frequency Selection (DFS)은 현재 사용하는 채널에서 군 레이더와 같은 높은 간섭을 감지할 경우 임의의 채널을 선택하지 않고 전체 채널 측정을 통해 가장 좋은 채널로 도약하는 기법이다. 이러한 기법은 재밍 공격이 발생하는 환경에서는 채널 도약을 위해 모든 채널 측정을 위한 시간이 소요되며 그 시간만큼의 통신 단절이 발생해 네트워크 성능이 저하되는 단점을 가진다. 제안하는 기법에서는 기존의 기법과는 달리 재밍 공격 이전에 도약할 채널을 모든 단말이 알게 함으로써 재머에 대해 즉각적인 대처가 가능하다. 이를 위해 제안하는 기법에서는 비콘 (Beacon)을 통해 도약할 채널을 매번 갱신하며 이것은 이전 비콘 구간마다 전채널 상태 측정을 수행하는 것으로 가능하다. 다양한 환경에서의 모의 실험을 통해 제안 기법이 재머에 즉각적인 대응을 수행함으로써 네트워크 성능 저하를 완화할 수 있음을 확인할 수 있다.

HW/SW Co-Design of an Adaptive Frequency Decision in the Bluetooth Wireless Network

  • Moon, Sang-Ook
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제7권3호
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    • pp.399-403
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    • 2009
  • In IEEE 802.15.1 (Bluetooth) Ad-hoc networks, the frequency is resolved by the specific part of the digits of the Device clock and the Bluetooth address of the Master device in a given piconet. The piconet performs a fast frequency hopping scheme over 79 carriers of 1-MHz bandwidth. Since there is no coordination between different piconets, packet collisions may occur if two piconets are located near one another. In this paper, we proposed a software/hardware co-design of an adaptive frequency decision mechanism so that more than two different kinds of wireless devices can stay connected without frequency collision. Suggested method was implemented with C program and HDL (Hardware Description Language) and automatically synthesized and laid out. The adaptive frequency hopping circuit was implemented in a prototype and showed its operation at 24MHz correctly.