• 제목/요약/키워드: High-Power Amplifier

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0.25${\mu}{\textrm}{m}$ 표준 CMOS 공정을 이용한 RF 전력증폭기 (RF Power Amplifier using 0.25${\mu}{\textrm}{m}$ standard CMOS Technology)

  • 박수양;전동환;송한정;손상희
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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    • pp.851-854
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    • 1999
  • A high efficient, CMOS RF power amplifier at a 2.SV power supply for the band of 902-928MHz was designed and analyzed in 0.25${\mu}{\textrm}{m}$ standard CMOS technology. The output power of designed amplifier is being digitally controlled from a minimum of 2㎽ to a maximum of 21㎽, corresponding to a dynamic range of l0㏈ power control. The frequency response of this power amplifier is centered roughly at 915MHz. The power added efficiency of designed amplifer is almost 48% at maximum output power of 21㎽.

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출력 전력 및 효율 개선을 위한 3-스택 구조의 Ku 대역 CMOS 전력 증폭기 (Ku-Band Three-Stack CMOS Power Amplifier to Enhance Output Power and Efficiency)

  • 양준혁;장선혜;정하연;주태환;박창근
    • 전기전자학회논문지
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    • 제25권1호
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    • pp.133-138
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    • 2021
  • 본 논문에서는 높은 출력 전력을 확보함과 동시에 효율을 개선시킬 수 있는 전력 증폭기 구조를 제안하였다. 전력 소모를 최소화하기 위하여 구동 증폭단은 공통-소스 구조를 적용하였으며, 높은 출력 전력 확보를 위하여 전력 증폭단은 스택 구조를 적용하였다. 제안하는 구조의 검증을 위하여 아홉 개의 금속층을 제공하는 65-nm RFCMOS 공정을 이용하여 Ku 대역 전력 증폭기를 설계하였다. 동작 주파수 14 GHz에서 16 GHz 일 때, P1dB, power-added efficiency 및 전력 이득은 각각 20 dBm 이상, 23 dB 이상 및 25% 이상으로 확인 되었다.

Single FET와 CRLH 전송선을 이용한 이중대역 고효율 전력증폭기 설계 (Design of a Dual Band High PAE Power Amplifier using Single FET and CRLH-TL)

  • 김선숙;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제47권2호
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    • pp.56-61
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    • 2010
  • 본 논문에서는 단일 FET와 composite right/left-handed (CRLH) 전송선을 이용하여 2.14GHz/5.2GHz 이중대역 고효율 전력 증폭기를 설계 구현하였다. 전송선로를 이용하여 초기의 정합값을 적절히 이동시켜 하나의 능동소자로 2.14GHz/5.2GHz의 이중대역에서 동작되는 전력증폭기를 설계하였다. 이중 대역에서 모든 고조파 성분을 조절하는 것은 매우 어렵기 때문에, CRLH 전송 선로를 이용하여 이중 대역에서 고효율 특성을 얻도록 오직 2차, 3차 고조파 성분만을 조절하였다. 또한, 이중 대역에서의 출력특성이 균형을 이루도록 하였다. 전력증폭기의 측정된 출력 전력은 각각 2.14 GHz에서 28.56 dBm, 5.2 GHz에서 29 dBm이다. 이 지점에서 얻은 전력 효율, PAE는 2.14 GHz에서 65.824 %, 5.2 GHz에서 69.86 %이다.

적응형 바이어스 기법과 DGS를 이용한 와이브로용 고효율 고선형 도허티 전력증폭기 설계 (Design of High Efficiency and Linearity Doherty Power Amplifier Using Adaptive Bias Technique and DGS for Wibro Applications)

  • 오정균;손성찬
    • 정보통신설비학회논문지
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    • 제8권1호
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    • pp.12-17
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    • 2009
  • In this paper, We play it for the purpose of study about the power amplifier which applied DGS and adaptive bias circuit structure to general Doherty amplifier for the efficiency of a RF power amplifier and a linearity improvement in the WiBro band. As for the IMD3, 3.4dBc was improved with -26.3dBc when we did the measurement result existing Doherty power amplifier and comparison of the Doherty power amplifier which applied an adaptive bias circuit and the DGS which proposed in this paper, and the mean power efficiency verified what was increased in 37%. Also, we were able to know PAE of 36.6% with output power 34.0dBm in P1dB when magnitude of an input signal was 25.6dBm. we did 6dB back off in output P1dB in order to confirm the ACPR which was a nonlinear characteristic and measured the ACPR. we showed the -34.55dBc which was a value of -34.5dBc or below in the 4.77MHz off-set that was a transmission standard. Therefore, we were able to know that we were satisfied with a spectrum mask standard.

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Novel Design of Ultrashort Pulse Excimer Laser Amplifier System I (Energy Characteristics)

  • Lee, Young-Woo
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제1권1호
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    • pp.39-43
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    • 2003
  • The technology required to advance the state of the art of ultra-high-intensity excimer amplifier construction to the 100 J/100fs output pulse level is identified. The preliminary design work for very large final amplifier pumped by electron beam module is described, and key design problems and approaches are presented and discussed in detail based on the recent experimental and theoretical results.

다양한 표준에서 사용 가능한 CMOS 전력 증폭기 (A Reconfigurable CMOS Power Amplifier for Multi-standard Applications)

  • 윤석오;유형준
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제44권11호
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    • pp.89-94
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    • 2007
  • 다양한 표준에서 사용이 가능한 송신기를 구성하기 위해서는 이에 적합한 송신기의 구조와 부품의 개발이 반드시 필요하다. 본 논문에서는 다양한 표준에서 사용이 가능한 전력 증폭기를 CMOS 0.25 um 공정을 사용하여 구현하였다. 설계된 전력 증폭기는 중간단의 정합을 바꿈으로써 0.9, 1.2, 1.75, 1.85 GHz의 주파수에서 동작하고, bonding wire를 활용하였을 때 2.4 GHz에서 동작한다. 중간단의 정합회로는 2개의 인덕터를 4개의 스위치가 제어하도록 구성되어 있다. 제안된 전력 증폭기는 낮은 전력을 요구하는 ZigBee나 Bluetooth 표준에서는 전력증폭기로 사용될 수 있고, 높은 전력을 요구하는 CDMA 표준에서는 구동증폭기로 사용이 가능하다. 설계된 전력 증폭기는 0.9 GHz에서 18.2 dB의 이득, 10.3 dBm의 출력 전력 특성을 보였으며, 1.75 GHz와 2.4 GHz에서는 10.3 dB, 18.1 dB의 이득, 5.2 dBm, 10 dBm의 출력 전력 특성을 나타내었다.

EMS 측정용 광대역 전력 증폭기 설계기술에 관한 연구 (Design Technology of the Wideband Power Amplifier for Electromagnetic Susceptibility Measurement)

  • 조광윤;류근관;홍의석
    • 한국통신학회논문지
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    • 제24권8B호
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    • pp.1464-1471
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    • 1999
  • EMS(Electromagnetic Susceptibility) 시험 중, RF 복사내성 시험에 사용되는 전력증폭기는 80MHz~1000MHz 대역에서 IEC1000-4-3 규격에 맞는 특성을 가져야 한다. 본 논문은 전력 구동단과 고출력 증폭단으로 광대역 전력증폭기를 구성하였으며 임피던스 추정방법을 근간으로 한 광대역 정합 회로 기술과 출력 역반사로부터 증폭 소자를 보호할 수 있는 부정합 보호 회로 기술을 검토, 고찰하였다. 80HMz~300MHz 대역에서 설계, 제작된 전력 증폭기는 100watts 이상의 출력, 40dB 이상의 이득 및 $\pm$0.3dB의 출력 평탄 특성을 얻었으며, 20dBc 이상의 고조파억압 특성을 얻었다. 본 논문의 광대역 고출력 증폭기는 IECI1000-4-3 규격의 EMS 복사내성 시험에 이용할 수 있겠다.

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RFID 대역에서 동작하는 이중 대역 전력증폭기 설계 (Design of Dual-Band Power Amplifier for the RFID Frequency-Band)

  • 김재현;황선국;박효달
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제25권3호
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    • pp.376-379
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    • 2014
  • 본 논문은 910 MHz와 2.45 GHz 대역에서 동작하는 RFID 트랜시버용 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 이중 대역 전력증폭기는 집중정수 소자로 구현된 910 MHz 대역의 정합 회로와 분포정수 소자로 구현된 2.45 GHz 대역의 정합 회로로 구성되며, 두 대역의 격리를 위하여 910 MHz 대역에 대하여 대역 제거 필터(band rejection filter)로 동작하고, 2.45 GHz 대역에서는 대역 통과 필터(band pass filter)로 동작하는 ${\lambda}/2$ 직렬 마이크로스트립 전송 선로로 구성되어 있다. 제작된 이중 대역 전력증폭기는 910 MHz와 2.45 GHz에서 이득이 각각 8 dB와 1.5 dB를 나타냈으며, 입력 전력 10 dBm을 인가하여 얻은 출력 전력은 두 대역 모두 20 dBm을 얻었다.

이중 바이어스 조절과 PBG를 이용한 도허티 증폭기 전력 효율 개선에 관한 연구 (Research on PAE of Doherty Amplifier Using Dual Bias Control and PBG Structure)

  • 김형준;서철헌
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제17권8호
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    • pp.707-712
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    • 2006
  • 본 논문에서는 이중 바이어스 조절과 PBG 구조를 이용하여 Doherty 증폭기의 효율을 개 선하였다. PBG 구조를 출력 정합 회로에 구현하였으며, 이중 바이어스 조절을 carrier amplifier에 적용하여 낮은 입력 레벨에서도 Doherty 증폭기의 효율을 개선할 수 있었다. 제안된 구조를 이용한 Doherty 증폭기는 기존의 전력 증폭기에 비해 PAE는 8%, $IMD_3$는 -5 dBc 개선하고, 모든 입력 전력 레벨에서 30% 이상의 고효율을 가질 수 있었다.