We propose a Ku-band driver and high-power amplifier monolithic microwave integrated circuits (MMICs) employing a compensating gate bias circuit using a commercial 0.5 ${\mu}m$ GaAs pHEMT technology. The integrated gate bias circuit provides compensation for the threshold voltage and temperature variations as well as independence of the supply voltage variations. A fabricated two-stage Ku-band driver amplifier MMIC exhibits a typical output power of 30.5 dBm and power-added efficiency (PAE) of 37% over a 13.5 GHz to 15.0 GHz frequency band, while a fabricated three-stage Ku-band high-power amplifier MMIC exhibits a maximum saturated output power of 39.25 dBm (8.4 W) and PAE of 22.7% at 14.5 GHz.
In this paper, the high efficiency and linearity Doherty power amplifier using DGS and adaptive bias technique has been designed and realized for 2.3GHz WiBro applications. The Doherty amplifier has been implemented us-ing silicon MRF 281 LDMOS FET. The RF performances of the Doherty power amplifier (a combination of a class AB carrier amplifier and a bias-tuned class C peaking amplifier) have been compared with those of a class AB amplifier alone, and conventional Doherty amplifier. The Maximum PAE of designed Doherty power amplifier with DGS and adaptive bias technique has been 36.6% at 34.01dBm output power. The proposed Doherty power amplifier showed an improvement 1dB at output power and 7.6% PAE than a class AB amplifier alone.
Kim, Il-Du;Moon, Jung-Hwan;Kim, Jang-Heon;Kim, Jung-Joon;Kim, Bum-Man
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.19
no.8
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pp.854-861
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2008
We have described a high power hybrid envelope elimination and restoration(H-EER) transmitter for IEEE 802.16e Mobile World Interoperability for Microwave Access(WiMAX) using an efficiency optimized power amplifier(PA). The PA has been designed to have maximum PAE at the important power generation $V_{ds}$, region using Nitronex 100-W PEP GaN HEMT. For the high power application, H-EER transmitter should be considered the regenerative oscillation problem due to the PA's bias fluctuation effect and bias modulator stability issue. Therefore, the bias modulator for H-EER transmitter has been designed to suppress the regenerative oscillation. For the interlock experiment, the bias modulator has been built with the efficiency of 72% and peak output voltage of 30 V for the envelope signal with a PAPR of 8.5 dB. The H-EER transmitter for WiMAX application has been achieved a high PAE characteristic, 38.8 % at an output power of 41.25 dBm. By using digital predistortion(DPD) technique, the Relative Constellation Error (RCE) has been satisfied the specification of -34.5 dB. This is the first work at 2.655 GHz high power H-EER transmitter for WiMAX application.
The general objective of the present study was to investigate the potential application of the UV spectroscopic method for determination of the polymeric additives present in papermaking fibrous stock solutions. The study also intended to establish the surface-chemical retention model associated with the adsorption kinetics of additives on fiber surfaces. Polyamide epichlorohydrin (PAE) wet strength resin and imidazolinium quaternary (IZQ) softening agents were selected to evaluate the analytical method. Concentrations of PAE and IZQ in solution were proportional to the UV absorption at 314 and 400 nm, respectively. The time-dependent behavior of polymeric additives obeyed a mono-molecular layer adsorption as characterized in Langmuir-type expression. The kinetic modeling for polymeric adsorption on fiber surfaces was based on a concept that polymeric adsorption on fiber surfaces has two distinguishable stages including initial dynamic adsorption phase and the final near-equilibrium state. The simulation model predicted not only the real-time additive adsorption behavior for polymeric additives at high accuracy once the kinetic parameters were determined, but showed a good agreement with the experimental data. The spectroscopic method examined on the PAE and IZQ adsorption study could potentially be considered as an effective tool for the wet-end retention control as applied to the paper industry.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.25
no.1
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pp.53-61
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2014
In this paper, we present the design, fabrication and measurement of high efficiency GaN HEMT power amplifier using harmonic matching technique. In order to achieve high efficiency, harmonic load-pull simulation is performed, that is, the optimum load impedances are determined at $2^{nd}$ and $3^{rd}$ harmonic frequencies as well as at the fundamental. Then, the output matching circuit is designed based on harmonic load-pull simulation. The measurement of the fabricated power amplifier shows the linear gain of 20 dB and $P_{1dB}$(1 dB gain compression point) of 33.7 dBm at 1.85 GHz. The maximum power added efficiency(PAE) of 80.9 % is achieved at the output power of 38.6 dBm, which belongs to best efficiency performance among the reported high efficiency power amplifiers. For W-CDMA input signal, the power amplifier shows a PAE of 27.8 % at the average output power of 28.4 dBm, where an ACLR (Adjacent Channel Leakage Ratio) is measured to be -38.8 dBc. Digital predistortion using polynomial fitting was implemented to linearize the power amplifiers, which allowed about 6.2 dB improvement of an ACLR performance.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.15
no.2
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pp.280-285
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2015
A fully integrated high-efficiency linear CMOS power amplifier (PA) is developed for 802.11n WLAN applications using the 65-nm standard CMOS technology. The transformer topology is investigated to obtain a high-efficiency and high-linearity performance. By adopting a 2:2 output transformer, an optimum impedance is provided to the PA core. Besides, a LC harmonic control block is added to reduce the AM-to-AM/AM-to-PM distortions. The CMOS PA produces a saturated power of 26.1 dBm with a peak power-added efficiency (PAE) of 38.2%. The PA is tested using an 802.11n signal, and it satisfies the stringent error vector magnitude (EVM) and mask requirements. It achieves -28-dB EVM at an output power of 18.6 dBm with a PAE of 14.7%.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.45
no.9
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pp.49-54
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2008
In this paper, the power added efficiency(PAE) of class F power amplifier is improved by applying a new Photonic Bandgap (PBG) structure on the output of amplifier. The proposed spiral PBG structure is a two-dimensional (2-D) periodic lattice patterned on a dielectric slab that does not require nonplanar fabrication process. This structure bas higher suppression performance at second harmonic. Also, It has a sharp skirt property. This new PBG structure can be applied with class F power amplifier for efficiency improvement. We obtained the PAE of 73.62 % for CDMA applications, and the PAE performance is improved as much as 6.2 % compared with that of a conventional class F power amplifier.
This paper proposes that an inverse class-E amplifier is used a tunable parallel resonator at output port in order to maintain a high power-added efficiency(PAE) and output power with wide frequency ranges. A tunable circuit has a constant Q factor at operating frequency ranges and because of using varactor diode, the inductor and capacitor values of resonator can be changed. Also, the inductance value for zero-current switching (ZCS) is implemented a lumped element and the capacitance value is made a distributed element for phase compensation. The inverse class E amplifier using tunable parallel resonator is obtained to deliver 25dBm output power and achieve maximum power added efficiency(PAE) of 75% at 65-120MHz frequency ranges.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.47
no.12
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pp.78-83
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2010
In this paper, a novel dual-band power amplifier using metamaterials has been realized with one RF GaN HEMT diffusion metal-oxide-semiconductor field effect transistor. The CRLH TL can lead to metamaterial transmission line with the dual-band tuning capability. The dual-band operation of the CRLH TL is achieved by the frequency offset and the nonlinear phase slope of the CRLH TL for the matching network of the power amplifier. We have managed only the second- and third-harmonics to obtain the high efficiency with the CRLH TL in dual-band. Also, the proposed power amplifier has been realized by using the harmonic control circuit for not only the output matching network, but also the input matching network for better efficiency. Two operating frequencies are chosen at 900 MHz and 2140 MHz in this work. The measured results show that the output power of 39.83 dBm and 35.17 dBm was obtained at 900 MHz and 2140 MHz, respectively. At this point, we have obtained the power-added efficiency (PAE) and IMD of 60.2 %, -23.17dBc and 67.3 %, -25.67dBc at two operation frequencies, respectively.
he objective of this study is to evaluate and analyze Sincheon basin water environment system. The data were collected from 2010 August to 2016 December including BOD, SS, T-N, T-P. The results were as followed. As the result of comparing the amount of BOD generated by pollution sources in the Sincheon water system, industrial was the highest at 33,259.4 kg/day. In comparison with the tributary, it was estimated that Dong-Du water system reveals the highest level of BOD in the industry. Population and livestock was high in CheongDam and Sang-Pae water system. With the inflow stream of Hyo-Chon, Suk-Woo and Sang-Pae, the pollution degree of BOD and T-N level of Sincheon increased and pollution degree of tributary was higher than that of Sincheon's main stream. The main reason of pollutant of Suk-Woo was from untreated wastewater, and it influenced downstream of Suk-Woo. Hyo-Chon stream satisfy the water quality standard, but Zn was designated as a Monitoring contaminants, was high as 14.670 mg/L (standard 0.02~2.45mg/L)because of textile wastewater. And Sang-Pae stream was polluted by livestock wastewater of livestock farms as a nonpoint source.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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