$C_4F_{8}O_2$ 공정기체와 E-ICP를 이용한 산화막 식각
($SiO_2$ Etching in $C_4F_{8}$ Plasma by E-ICP)
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- 대한전자공학회:학술대회논문집
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- 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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- pp.197-200
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- 2001