열팽창계수의 정확한 측정은 재료과학이나 공업기술 분야에서 가장 중요한 요구량 중의 하나이다. 음향광변조기(AOM)를 이용한 고분해능 간섭식 열팽창계를 제작하여 성능검사를 하였다. 이 계는 이중광로 헤테로다인 간섭계와 복사열 전기로로 구성되어, 정밀한 변위의 측정과 시료의 신속한 가열 및 냉각이 가능토록 하였다. 또한 레이저의 주파수 안정화를 위하여 2차 맥놀이 주파수를 이용한 3종모드 안정화 He-Ne 레이저를 제작하였으며, 이때의 주파수 안정도는 5$\times$$10^{-9}$이었다. 제작된 계의 길이 측정은 실온에서 1100k온도영역에서 나노미터 정도의 정밀도를 주었다.
광속의 수렴 발산을 판단하기 위하여 무아레 무늬 발생기(moir$\acute{e}$ deflectometry)를 가상격자를 사용하는 제작하였다. 광원으로 He-Ne laser(3mW)와 무아레 무늬 발생기 광학계 중 광속확대기를 구성하기 위하여 제1렌즈와 제2렌즈의 초점거리는 각각 18 mm, 250 mm인 것을 사용하였다. 가상격자(virtual grating)를 발생시키기 위하여 회절격자(격자상수=$1.6{\mu}m/line$)와 전면 평반사경을 결합하여 무아레 무늬 발생기를 제작하였다. 광학계를 사용하여 시험렌즈의 유효초점거리를 측정하였고, 이 측정값과 유도된 식에 의한 이론값을 비교하였다.
In this paper, we investigated the diffraction efficiency of polarization holography using by amorphous Ag/As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/ multi-layer thin films by He-Ne laser. Multi-layer structures were formed by alternating a layer of metal(Ag) and chalcogenide(As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/). The holographic grating in these thin films has been formed using a lineally polarized He-Ne laser light (633nm). The diffraction efficiency was investigated the two sample of Ag/As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/-7 layers and Ag/As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/-15 layers. As the results, we found that the diffraction efficiency of Ag/As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/-7 layers and Ag/As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/-15 layers were 1.7% and 2.5% respectively
직경 $3~5{\mu}m$ 크기의 폴리그티렌 라텍스 입자들을 40배 또는 100배의 대물렌즈로 집속하여 조명한 2mW의 저출력 헬륨 네온 광속의 광압으로 포획하고, 이를 자유로이 이동시키면서 영문자 'A' 형태로 배열하였다. 그리고 수${\mu}m$ 크기의 미생물도 성공적으로 포획하고 이동시킬 수 있었다. 이 결과 저출력 헬륨네온 레이저의 광압을 이용하여 미립자나 미생물을 자유자재로 이동시키거나 모을수 있는 광집게로의 가능성을 확인하였다.
This article describes a FM modulation algorithm to increase the measurement speed by increasing the beat frequency of the laser without acousto-optic modulator(AOM) in the heterodyne laser interferometer. The proposed algorithm can increase the beat frequency of the heterodyne laser which limit the measurement speed by adjusting a carrier frequency through electronic circuit, while AOM is used to shift the frequency of the heterodyne laser in conventional method. Electronic circuit is constructed to modulate the signals from a laser interferometer and a waveform generator. The brier analysis, the measurement scheme of the system, and the experimental results using a Zeeman-stabilized He-Ne laser are presented. They demonstrate that the proposed algorithm is proven to enhance the measurement speed limit by increasing the beat frequency of the heterodyne laser.
마이켈슨 간섭계를 이용한 간섭계형 현미경을 구성하고 특성을 조사하였다. 본 마이켈슨 간섭계형 현미경은 시료 표면의 반사 신호와 거울의 반사 신호가 합쳐져서 일어난 간섭 신호를 이용해서 3차원 영상을 얻는다. He-Ne(λ=633 nm)레이저를 사용한 마이켈슨 간섭계는 반파장 (312.5 nm)의 경로차가 생길 때마다 같은 무늬가 반복해져 나타난다. 본 마이켈슨 간섭계형 현미경은 이러한 간섭 신호를 이용하기 때문에 white-light interferometer 수준의 수직 해상도를 얻을 수 있었다. 구성한 마이켈슨 간섭계형 현미경으로 얻은 영상을 공초점 현미경의 영상과 비교 분석하였다.
광통신에 각종 modulator를 사용할 경우에 대비하여 plano-convex coupling 미세광학소자를 설계하였다. 광섬유에서 회절되는 광을 시준시켜 modulate할 수 있도록 하는 시준렌즈와 modulate된 광을 광섬유에 연결시키는 coupling렌즈를 설계하였다. 광원은 He-Ne 레이저 빔으로하고 렌즈의 초자는 BK-7 크라우ㅌ계 광학유리로 하였다. 곡률반경과, 거리 및 conic costant가 광학계의 광선수차에 미치는 영향을 조사하였다.
서로 수직으로 편광되고 두개의 종모우드로 발진하는 주파수가 안정화된 He-Ne 레이저를 이용하여 넓은 측정 범위를 갖는 헤테로다인 간섭계를 구성하였다. 두 모우드 사이의 맥놀이 주파수인 684MHz에 대한 라디오 주파수 간섭을 이용하여 약 .+-.1.74.mu.m의 분해능으로 광학매질의 광학두께를 측정할 수 있는 장치를 구성하였다. 이와 같은 측정장치를 이용하여 Nd:YAG 레이저의 수동형 Q-스위칭에 포화흡수체로 사용되고 있는 유기염료 박막의 두께와 국부적인 광학두께의 변화에 대한 map을 구할 수 있었다.
Due to the heat confinement in the shallow region of the target for a short time scale, pulsed laser annealing has received increasing interest for the fabrication of poly-Si thin film transistors(TFTs) on glass as a low cost substrate in the flat panel displays. The formation and growth mechanisms of poly silicon(poly-Si) grains in thin films are investigated using an excimer laser crystallization system. To understand the crystallization mechanism, the grain formations are observed by FESEM analysis. The optical reflectance and transmittance during the crystallization process are measured using HeNe laser optics. A two-step ELC(Excimer Laser Crystallization) process is applied to enhance the grain formation uniformity.
Due to the heat confinement in the shallow region of the target for a short time scale, pulsed laser annealing has received an increasing interest for the fabrication of poly-Si thin film transistors(TFTs) on glass as a low cost substrate in the flat panel displays. The formation and growth mechanisms of poly silicon(poly-Si) grains in thin films are investigated using an excimer laser crystallization system. To understand the crystallization mechanism, the grain formations are observed by FESEM photography. The optical reflectance and transmittance during the crystallization process are measured using HeNe laser optics. A two-step ELC(Excimer Laser Crystallization) process is applied to enhance the grain formation uniformity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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