• 대한전자공학회논문지
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• 제13권6호
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• pp.16-19
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• 1976

InSb-Sn 박막 Hall소자를 InSb-Sn분말을 flash흡착법으로 슬라이드 글래스 위에 흡착하여 만들었다. 이 소자를 자속계로 사용할 때 특성이 재현성이 좋고 직선성이 양호하였다. InSb-Sn thin film Hall device Was drepared by flash evaporation of InSb-Sn powder on the Slide qlass. The Characteristics Curve of this device showcd good linearity and reproducibility.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제18권1호
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• pp.35-40
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• 2018

This study presents a vertical-type CMOS Hall device with improved sensitivity to detect a 3D magnetic field in various types of sensors or communication devices. To improve sensitivity, trenches are implanted next to the current input terminal, so that the Hall current becomes maximum. The effect of the dimension and location of trenches on sensitivity is simulated in the COMSOL simulator. A vertical-type Hall device with a width of $16{\mu}m$ and a height of $2{\mu}m$ is optimized for maximum sensitivity. The simulation result shows that it has a 23% better result than a conventional vertical-type CMOS Hall device without a trench.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권8호
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• pp.681-687
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• 2000

Magnetic Characteristics of an InSb hall device of multilayered structures were investigated. For the measurement of electrical properties of the hall device InSb thin films fabricated with series and parallel multilayers wee evaporated. Hall coefficient hall mobility carrier density and hall voltage were measured as a function of the intensity of magnetic field. We found that the XRD analysis of InSb thin film showed good properties at 20$0^{\circ}C$ 60 minutes. Resistance of ohmic contact was increased linearly due to increasing current. Hall voltages at 0.01 T showed 5$\times$10$^{-4}$ [V] and $1.5\times$10$^{-3}$ [V]. Some of device fabrication technique and analysis of magnetic characteristics were discussed.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1994년도 추계학술대회 논문집
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• pp.86-89
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• 1994

This paper describes the fabrication and basic characteristics of a Si Hall device fabricated on a SOI(Si-on-insulator) structure. In which SOI structure was formed by SOB(Si-wafer direct bonding) technology and the insulator of the SOI structure was used as the dielectrical isolation layer of a Hall device. The Hall voltage and sensitivity of the implemented SDB SOI Hall devices showed good linearity with respectivity to the applied magnetic flux density and supple iud current. The product sensitivity of the SDB SOI Hall device was average 670 V/A$.$T and its value has been increased up to 3 times compared to that of bulk Si with buried layer of 10$\mu\textrm{m}$. Moreover, this device can be used at high-temperature, high-radiation and in corrosive environments.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제9권4호
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• pp.25-29
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• 2002

기존 홀 센서의 단점을 개선하기 위해서 트랜치를 이용한 수직 홀 센서를 제작하였다. 수직 홀 센서는 센서의 칩 표면에 수평 자계를 검출할 수 있으며, 홀 센서는 실리콘 직접 본딩 기술에 의해 제작된 SOI 기판 위에 제작하였다. 기판 아래의 $SiO_2$층과 마이크로머시닝에 의한 트랜치가 홀 센서의 동작 영역을 정의한다. 홀 센서의 감도는 150V/AT로 측정되었으며 안정된 값을 나타내었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권10호
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• pp.1890-1896
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• 2008

본 연구는 칩 표면에 수평 한 자기장을 검출하는 종형 Hall 소자를 바이폴라 기술로 제조하여 동작 및 잡음 특성을 조사하였다. P+ Isolation 댐을 설치한 소자(type B)가 설치하지 않는 소자(type A)보다 자기 감도는 약 1.2배 증가하였고, 역시 잡음도 증가하였다. 측정된 이 종형 Hall소자의 자기 검출 분해능은 f=1[KHz], 대역폭 1[Hz] 구동조건에서 type A는 약 $0.97[{\mu}T]$, type B는 $1.25[{\mu}T]$였다. 따라서 Hall 소자 구조 설계나 재료적인 면에서 볼 때, 낮은 잡음즉, 자기 검출분해능과 높은 감도 상관관계를 고려하여야 한다.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권3호
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• pp.72-78
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• 1992

The Silicon vertical Hall devices are fabricated using standard bipolar process and characterized in terms of the Hall voltage, sensitivities, and offset voltage. The Hall voltage and sensitivity of the devices showed good linearity with respect to the magnetic flux density and reverse supply voltage Vr. The sensitivity of device with P$^{+}$ isolation dam has been increased up to 1.2 times compared to that of device without the dam. With the condition of V$_{r}$=-5.0[V], B=0.4[T] and I$_{sup}$=1.0[mA], the Hall voltage and sensitivity of the device with P$^{+}$ isolation dam were about 29[mV] and 74[V/AT], respectively. These vertical Hall devices can be used as the adjustable magnetic fields sensor.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.2023-2025
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• 2002

We have fabricated a novel vertical trench-Hall device sensitive to the magnetic field parallel to the sensor chip surface. The vertical trench-Hall device is built on SOI wafer which is produced by silicon direct bonding technology using bulk micromachining, where buried $SiO_2$ layer and surround trench define active device volume. Sensitivity up to 350 V/AT is measured.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.251-253
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• 2002

We have fabricated a novel Vertical Trench Hall-Effect Device sensitive to the magnetic field parallel to the sensor chip surface for non-contact angular position sensing applications. The Vertical Trench Hall-Effect Device is built on SOI wafer which is produced by silicon direct bonding technology using bulk micromachining, where buried $SiO_2$ layer and surround trench define active device volume. Sensitivity up to 150 V/AT is measured.

• 센서학회지
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• 제1권1호
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• pp.13-21
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• 1992

Hall 소자 및 OP-앰프의 장점을 동시에 살린 'Hall 소자를 이용한 자기연산증폭기'를 구성하였다. 이 자기연산증폭기는 높은 입력임피던스 회로와 두 신호의 차 신호를 하나의 신호로 변환하는 회로를 반드시 필요로 하고, 또 이것을 연산처리하기 위해 궤환 입력을 받아 들일 수 있어야 한다. 본 논문에서는 이러한 특성을 만족하는 새로운 '두 신호의 차 신호를 하나의 신호로 변환하는 연산증폭기(DSCOP)'를 제안하였다. 그리고 제안된 DSCOP와 Hall 소자를 이용하여 자기연산증폭기를 설계하여 그 특성을 시뮬레이션 하였으며, 실지로 시스템을 개별소자로 구성하여 측정하였다.