Diesel particulate filter is being recognized that it is the most effective technologies to reduce particulate matter. In this study, to determine the characteristics of the cell-open-type pDPF, we employed p-DPF to exhaust gas tunnel of diesel engine and surveyed filtration efficiency and BPT on the basis of PM which is exhausted from engine. In this paper the soot loading mass in DPF can be predicted from increase of differential pressure of DPF so that we can measure filtration efficiency and Balance Point Temperature (BPT) by soot loading mass. The result of the research showed that the filtration efficiency is 65% in ESC mode with 0.7mm hole diameter. For the results of the characteristics of filtration efficiency and BPT according to mass_exh, we found that if mass_exh increases, filtration efficiency increases and BPT decreases.
Fatigue crack in most rails take place by rolling contact between wheel and rail in railway industry. Therefore, it is critical to understand the rolling contact phenomena, especially for the three-dimensional situation. In this paper the steady-state rolling contact problem of KTX wheel and rail (UIC60) has been studied with three-dimensional finite element analysis. The variation of contact pressure and contact stresses on rolling contact surface were obtained using the finite element method. The three-dimensional distribution of contact stresses on the contact surface are investigated. Results show that the distribution of shear stress and contact stress (von Mises) on the contact surface varies rapidly as a result of the variation of stick-slip region. The contact stress at the leading edge is greater than at the trailing edge because of stick and slip phenomena.
$Cu-Al_20_3 $ composite powders were prepared by hydrogen reduction of $Cu^{2+}$ from ammoniacal copper sulfate solution on alumina core using autoclave. The copper reduction rate and the properties of copper layer were investigated using Scanning Electron Microscope(SEM), X-ray diffractometer, size and chemical analyzers. The reduction rate of $Cu^{2+}$ showed the maximum value when the molar ratio of [$NH_3$]/[$Cu^{2+}$] was 2. In order to prevent the agglomeration of Cu powder and ethane reduction rate, $Fe^{2+}$ and anthraquinone which act as catalysis were added in the solution. Catalysis was effectively chanced with the addition of two elemerts at a time. Optimum conditions obtained in this study were hydrogen reduction temperature of 205$^{\cire}C$, stirring speed of 500 rpm and hydrogen partial pressure of 300 psi. Obtained $Cu-Al_20_3 $ composite Powders were found to have the uniform and continuous copper coating layer of nodule shape with 3~5 $\mu$m thickness.
SmBCO coated conductors were successfully fabricated using EDDC (Evaporation using Drum in Dual Chambers) deposition system that is a bath type co-evaporation system for fabrication of superconducting tape and divided into two chambers named evaporation chamber and reaction chamber. To obtain long and high quality superconducting coated conductor, it is very important to secure the uniformity of all the deposition parameters m the deposition system such as deposition temperature, oxygen partial pressure, compositional ratios and so on. Therefore, we investigated the distribution of the parameters along the axis of the drum m EDDC on which tapes were wound helically. When the temperature on the middle point of deposition zone was $700^{\circ}C$, that on the edge of deposition zone was $675^{\circ}C$. When the thickness of SmBCO layer on the middle point of deposition zone was 1063 nm, that on the edge of deposition zone was 899 nm. The partial pressure of oxygen was 5 mTorr in the reaction chamber while that was $7{\times}10^{-5}$Torr in the evaporation chamber. The composition ratio of Sm:Ba:Cu, that was measured by EDX, was very uniform along the axis of the drum. Under these deposition conditions, critical current distribution along the drum axis was 175 A/cm, 190A/cm, 217.5 A/cm, 182.5 A/cm, 175 A/cm with the interval of 9 cm between samples. It means that the EDDC system has the potential of fabricating (100m, 200A) class coated conductor.
현대의 기업경영에서 생산성과 효율성을 높이기 위해 제조 현장에 로봇기술의 도입은 핵심적인 기업경영사항 중에 하나이다. 이에 본 연구는 국내 중소 제조기업을 대상으로 지능형 로봇 기술 도입이 기술, 조직, 환경특성의 총 6개 변수(인지된 직접적 유익성, 인지된 간접적 유익성, 혁신성, 위험감수성, 인지된 산업압력, 인지된 정부압력)가 기업의 프로세스 혁신에 어떤 영향을 미치는지 검증하고자 하였다. 총 77개의 중소 제조기업의 자료로 Partial Least Square(PLS) 접근방법을 사용하여 연구모형의 변수간 인과관계를 분석하였다. 연구결과, 인지된 정부압력을 제외한 총 5가지 요소들이 기업 프로세스 혁신에 중요한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 이러한 연구결과를 바탕으로 지능형 로봇을 도입하여 기업 프로세스 혁신을 위한 이론적, 실무적 시사점을 제시하였다.
In this study, we investigated the growth of single-crystallinity α-Ga2O3 thin films on c-plane sapphire substrates using halide vapor pressure epitaxy. We also found the optimal growth conditions to suppress the phase transition of α-Ga2O3. Our results confirmed that the growth temperature and partial pressure of the reactive gas greatly influenced the crystallinity. The optimal growth temperature range was about 460~510℃, and the α-Ga2O3 thin films with the highest crystallinity were obtained at a III/VI ratio of 4. The thickness and surface morphology of the thin films was observed by scanning electron microscopy. The film thickness was 6.938 ㎛, and the full width at half maximum of the ω-2θ scan rocking curve was as small as 178 arcsec. The optical band gap energy obtained was 5.21 eV, and the films were almost completely transparent in the near-ultraviolet and visible regions. The etch pit density was found to be as low as about 6.0 × 104 cm-2.
In this study, we propose the application of doping process technology for atmospheric pressure plasma. The plasma treatment means the wafer is warmed via resistance heating from current paths. These paths are induced by the surface charge density in the presence of illuminating Argon atmospheric plasmas. Furthermore, it is investigated on the high-concentration doping to a selective partial region in P type solar cell wafer. It is identified that diffusion of impurities is related to the wafer temperature. For the fixed plasma treatment time, plasma currents were set with 40, 70, 120 mA. For the processing time, IR(Infra-Red) images are analyzed via a camera dependent on the temperature of the P type wafer. Phosphorus concentrations are also analyzed through SIMS profiles from doped wafer. According to the analysis for doping process, as applied plasma currents increase, so the doping depth becomes deeper. As the junction depth is deeper, so the surface resistance is to be lowered. In addition, the surface charge density has a tendency inversely proportional to the initial phosphorus concentration. Overall, when the plasma current increases, then it becomes higher temperatures in wafer. It is shown that the diffusion of the impurity is critically dependent on the temperature of wafers.
High temperature superconducting coated conductor has a structure of /< superconducting layer>//. The buffer layer consists of multi layer, and the architecture most widely used in RABiTS approach is CeO$_2$(cap layer)/YSZ(diffusion barrier layer)/CeO$_2$(seed layer). Evaporation technique is used for the CeO$_2$ layer and DC reactive sputtering technique is used for the YSZ layer, A chamber was set up specially for DC reactive sputtering, Detailed features are as following. A separator divided the chamber into two halves a sputtering chamber and a reaction chamber. The argon gas for sputtering target elements flows out of the cap of sputtering gun, and water vapor for reaction with depositing species spouts near the substrate. Turbo pump is connected with reaction chamber. High speed deposition of YSZ film could be achieved in the chamber. Detailed deposition conditions (temperature and partial pressure of reaction gas) were investigated for the rapid growth of high quality YSZ film.
Chang, In-Seop;Kim, Do-Hee;Kim, Byung-Hong;Shin, Pyong-Kyun;Sung, Ha-Chin;Lovitt, Robert W.
Journal of Microbiology and Biotechnology
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제8권2호
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pp.134-140
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1998
Eubacterium limosum KIST612 was cultured on phosphate-buffered basal medium (PBBM) with carbon monoxide (CO) as the sole energy and carbon source. The initial growth rate of this strain was approximately 0.17~0.25 $h^-1$/ and the $K_s$ value for dissolved substrate was 0.14 mM. CO was limiting during the growth of the bacterium when the CO partial pressure was less than 0.6 atm (0.5 mM dissolved CO). The bacterial growth rate was reduced in the presence of acetate. When sufficient CO was supplied using a gas-lift reactor, the acetate concentration went up to 90 mM in 116 h. Based on these findings, it is suggested that a pressurized reactor be used to develop a process to convert CO-rich gases into multi-carbon compounds.
$RuO_2$ thin films deposited directly on Si substrate by RF magnetron sputtering method using $RuO_2$ target have been investigated. Special interest was focused on the effect of process parameter on the surface roughness of $RuO_2$ films. Crystallization behavior and electrical properties of the films deposited at $300^{\circ}C$ were superior to those deposited at room temperature. Metallic Ru phase was formed in pure Ar and this phase had resulted poor adhesion after post annealing process in oxidizing ambient. Microstructural analysis reveals that the size of the $RuO_2$ crystallites gets smaller and the surface becomes smoother as the $O_2$ partial pressure or film thickness decreases. Irrespective of the $O_2/Ar$ ratio, resistivity of $RuO_2$ films ranged in $50~70 {\mu}{\Omega}-cm$. As the film thickness decreases, there is a thickness where the resistivity rises abruptly. Such an onset thickness turned out to be dependent n the $O_2$/Ar ratio.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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