• 제목/요약/키워드: HONoC

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하이브리드 광학 네트워크-온-칩에서 지연 시간 최적화를 위한 매핑 알고리즘 (A Latency Optimization Mapping Algorithm for Hybrid Optical Network-on-Chip)

  • 이재훈;이창림;한태희
    • 전자공학회논문지
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    • 제50권7호
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    • pp.131-139
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    • 2013
  • 기존 전기적 상호 연결을 사용한 네트워크-온-칩(Network-on-Chip, NoC)의 전력 및 성능 한계를 보완하고자 광학적 상호연결을 이용하는 하이브리드 광학 네트워크-온-칩(HONoC)이 등장하였다. 하지만 HONoC에서는 광학적 소자 특성으로 인해 서킷 스위칭을 사용함으로써 경로 충돌이 빈번하게 발생하며 이로 인해 지연 시간 불균형의 문제가 심화되어 전체적인 시스템 성능에 악영향을 미치게 된다. 본 논문에서는 경로 충돌을 최소화 시켜 지연 시간을 최적화 할 수 있는 새로운 태스크 매핑 알고리즘을 제안하였다. HONoC 환경에서 태스크를 각 Processing Element (PE)에 할당하고 경로 충돌을 최소화하며, 부득이한 경로 충돌의 경우 워스트 케이스 (worst case) 지연 시간을 최소화 할 수 있도록 하였다. 모의실험 결과를 통해 무작위 매핑 방식, 대역폭 제한 매핑 방식과 비교하여, 제안된 알고리즘이 $4{\times}4$ 메시 토폴로지에서는 평균 43%, $8{\times}8$ 메시 토폴로지에서는 평균 61%의 지연 시간 단축 효과가 있음을 확인할 수 있었다.

특정 용도 하이브리드 광학 네트워크-온-칩에서의 에너지/응답시간 최적화를 위한 토폴로지 설계 기법 (Topology Design for Energy/Latency Optimized Application-specific Hybrid Optical Network-on-Chip (HONoC))

  • 최적;이재훈;김현중;한태희
    • 전자공학회논문지
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    • 제51권11호
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    • pp.83-93
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    • 2014
  • 최근 수년간 전기적 상호 연결 (electrical interconnect, EI) 기반 네트워크-온-칩 (Network-on-Chip, NoC) 에 대한 연구가 활발히 진행되고 있는 가운데, 궁극적으로 금속 배선은 대역폭, 응답 시간(latency), 전력 소모 등에서 물리적 한계에 직면할 것으로 예상된다. 실리콘 포토닉스(silicon photonics) 기술 발전으로 광학적 상호 연결(optical interconnect, OI)을 결합한 하이브리드 광학 네트워크-온-칩(Hybrid Optical NoC, HONoC)이 이러한 문제를 극복하기 위한 유망한 해결책으로 부각되고 있다. 한편 시스템-온-칩(System-on-Chip, SoC)은 높은 에너지 효율을 위하여 이기종 멀티 코어(Heterogeneous multi-core)로 구성되고 있어서 정형화된 토폴로지 기반 NoC 아키텍처의 확장이 필요하다. 본 논문에서는 타깃 애플리케이션 트래픽 특성을 고려한 에너지 및 응답 시간 최적화 하이브리드 광학 네트워크-온-칩의 토폴로지 설계 기법을 제안한다. 유전자 알고리즘을 이용하여 구현하였고, 실험 결과 평균 전력손실은 13.84%, 평균 응답 시간은 28.14% 각각 감소하였다.

N-메틸-N'-치환페닐우레아화합물들의 니트로소화 반응에 있어서 니트로소화 화학종의 반응성 및 위치화학적 영향 (The Reactivity and Regiochemical Effect of Nitrosonium Species in the Nitrosation of N-Methyl-N'-Substituted Phenylureas)

  • 김정균;조인섭;최순규
    • 대한화학회지
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    • 제35권3호
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    • pp.240-248
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    • 1991
  • 비대칭우레아화합물, N-메틸-N'-치환페닐우레아화합물들 ($CH_3NHCONHC_6H_4-G$; G = H, p-$CH_3,\;m-CH_3,\;m-CH_3O$, p-F, m-F, m-Br) 7종 합성하고 이들을 NaN$O_2$와 4종류의 산(d-HCl, HCOOH, C$H_3$COOH, CF$_3$COOH)을 사용하여 니트로소화시킬 때 이 니트로소화 반응의 위치선택성을 조사하였다. 이들 반응 모든 경우에서 두 가지 위치이성질체생성물, N-니트로소-N-메틸-N'-치환페닐우레아생성물(A)들과 N'-니트로소-N-메틸-N'-치환페닐우레아생성물(B)들이 주생성물로 생성되었으며, 이들 생성몰비 B/A를 이들 반응혼합물의 $^1$H-NMR에서의 메틸피이크의 면적을 측정하여 이를 결정하였다. 전자공급체치환기(ㅎ)가 우레아화합물의 페닐기에 치환된 경우 일반적으로 B/A의 비가 증가되었다. 이들 위치이성체 생성물비 B/A로부터 니트로소화 화학종(HONO, HCOONO, CH$_3$ COONO, CF$_3$ COONO)의 페닐치환기에 의한 질소원자 위의 전자밀도변화에 대한 반응민감도를 얻었으며 반응민감도의 상대적 크기는 1.00 : 0.93 : 0.78 : > ∼ 0.7(HONO : HCOONO : CH$_3$ COONO : CF$_3$ COONO)로 나타났다.

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