• 제목/요약/키워드: HF laser

검색결과 41건 처리시간 0.027초

전사 공정을 이용한 산화막 정렬 패턴 제작과 액정 배향 특성 연구 (Parallel pattern fabrication on metal oxide film using transferring process for liquid crystal alignment)

  • 오병윤
    • 전기전자학회논문지
    • /
    • 제23권2호
    • /
    • pp.594-598
    • /
    • 2019
  • HfZnO 박막 위 패턴 전사 기법을 이용하여 기존의 러빙법을 대체하는 배향 공정에 대하여 연구하였다. 정렬 패턴은 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 실리콘 웨이퍼 위에 제작하였다. 졸겔 공정을 이용하여 HfZnO 용액을 제작하였고, 유리기판 위에 스핀코팅하였다. 미리 제작한 정렬패턴을 스핀코팅된 HfZnO 위에 올려놓고, $100^{\circ}C$에서 30분간 소성하였다. HfZnO 박막에 평행한 그루브가 형성되었음을 atomic force microscopy 와 scanning electron microscopy로부터 확인할 수 있었다. HfZnO 박막을 이용하여 액정 셀을 제작하였으며, POM 분석으로부터 액정이 균일하게 정렬되었음을 확인할 수 있었다. 액정은 $0.25^{\circ}$의 프리틸트 각을 가졌으며, 수평배향 특성을 보여주었다. 액정 분자는 평행한 그루브에 의한 HfZnO 박막 표면 이방성에 의하여 균일하게 정렬되었음을 확인할 수 있었다.

InGaAlP 레이저 경피혈액조사가 정상성인의 심박변이도에 미치는 영향 (The Effect of InGaAlP Laser Transcutaneous Blood Irradiation on Heart Rate Variability in Healthy Adults)

  • 이태호;여진주;설현;장인수
    • 대한한방내과학회지
    • /
    • 제25권4호
    • /
    • pp.25-33
    • /
    • 2004
  • Objective : The effects of Indium-Gallium-Aluminium-Phosphide(InGaAlP) laser transcutaneous irradiation on heart rate variability(HRV) in healthy adults are investigated with power spectrum analysis(PSA) of HRV. Methods : The control group consisted of 20 healthy volunteers (10 men, 10 women). The experiment was divided into 5 different periods, the pre-1st laser period(10 minutes), the 1st laser period(30 minutes), the post-1st laser period(5 minutes), the 2nd laser period( 30 minutes) and the post-2nd laser period(30 minutes). HRV was measured for 5 minutes at the pre-1 st laser period, the post-l st laser period and the post-2nd laser period. The laser period is the period in which InGaAlP laser transcutaneous Irradiation treatment occurs. Results : 1. SDNN of volunteers at post-1st laser period and post-2nd laser period significantly increased compared with that of the pre- 1 st laser period. 2, Ln(VLF) at post-I st laser period significantly increased compared with that of pre-1st laser period, while Ln(HF) at post-2nd laser period significantly decreased compared with those of pre- I st laser period and post-1st laser period, 3. Ln(TP) at post-1st laser period and post-2nd laser period significantly increased compared with that of pre-1st laser period, 4, LF/HF Ratio at post-2nd laser period significantly increased compared with those of pre-1st laser period and post-1st laser period. But the other variables did not significantly change. Conclusions : The results suggest that InGaAlp laser transcutaneous Irradiation in healthy adults is associated with the autonomic nervous systems. Further study is needed for investigating the effects of laser irradiation on autonomic nervous systems.

  • PDF

반도체 공정중 연속적 산화-HF 식각-염기성 세정과정이 실리콘 기판 표면에 미치는 영향 (Effects of the Repeated Oxidation-HF Etching-Alkaline Chemical Cleaning Processes on the Silicon Surface in Semiconductor Processing)

  • 박진구
    • 한국재료학회지
    • /
    • 제5권4호
    • /
    • pp.397-404
    • /
    • 1995
  • 반도체 세정공정에서 염기성 세정액(SCI, Standard cleaning 1, $NH_{4}$OH + $H_{2}$O_{2}$ + $H_{2}$O)은 공정상 발생되는 여러 오염물 중 파티클의 제거를 위해 널리 사용되고 있는데, SCI 조성중 $NH_{4}$OH양에 따라 세정 중 실리콘의 식각속도를 증가시킨다. 이 연구에서는 SCI 세정이 CZ(Czochralski)와 에피 실리콘 기판 표면에 미치는 영향을 단순세정과 연속적인 산화-HF 식각-SCI 세정공정을 통해 관찰되었다. CZ와 에피 기판을 8$0^{\circ}C$의 1 : 2 : 10과 1 : 1 : 5 SCI 용액에서 60분까지 단순 세정을 했을 때 laser particle scanner와 KLA사의 웨이퍼 검색장치로 측정된 결함의 수는 세정시간에 따라 변화를 보이지 않았다. 그러나 CZ와 에피 기판을 10분간 SCI 세정후 90$0^{\circ}C$에서 산화 HF식각공정을 4번까지 반복하였을 때 에피 기판 표면의 결함수는 감소하는 반면에 CZ기판에서는 직선적으로 증가하였다. 반복적인 산화-HF 식각-XCI 세정공정을 통해 생성된 CZ기판 표면의 결함은 크기가 0.7$\mu$m 이하의 pit과 같은 형상을 보여주었다. 이들 결함은 열처리 중 CZ 기판내와 표면에 산화 석출물들이 형성, 반복적인 HF 식각-SCI 세정공정을 통해 다른 부위에 비해 식각이 빨리 일어나 표면에 생성되는 것으로 여기어 진다.

  • PDF

Theoretical Analysis for the HF Chemical Laser System with a Selected Fluoride Molecule

  • You, Myung-A;Cho, Ung-In;Kim, Sung-Ho
    • 한국광학회지
    • /
    • 제2권4호
    • /
    • pp.227-232
    • /
    • 1991
  • The possibility for the high intensity and energy possessing a short pulse in the HF chemical laser system which contained fluoride molecules (RF) was demonstrated theoretically through the numerical model simulation. The calculation was accomplished by assuming that the thermal branched chain mechanism of RF was occurred in the initiation step of $H_2+F_2$ chain reaction. Variations of the major chemicals and the temperature in the system were calculated as a function of time. An analysis was also performed to evaluate output pulse profile through parametric studies.

  • PDF

펄스 레이저 증착법으로 증착된 $MgTiO_3$박막의 전기적 특성 분석 (Electrical Properties Of MgTiO$_3$ thin films grown by pulsedd laser deposition method)

  • 안순홍;노용한;이영훈;강신충;이재찬
    • 한국진공학회지
    • /
    • 제9권3호
    • /
    • pp.249-253
    • /
    • 2000
  • 차세대 마이크로파 유전체 소자에 응용하기 위한 $MgTiO_3$ 박막을 펄스 레이저 증착법(PLD, pulsed laser deposition)을 이용하여 400-$500^{\circ}C$에서 비정질 상태로 실리콘 기판 위에 성장시킨 후 전기적 특성을 분석하였다. PLD로 증착된 $MgTiO_3$ 박막의 전기적 특성은 성장시 온도에 의존하였다. 즉, 증착 온도가 낮아짐에 따라 $MgTiO_3$ 박막 내부에 존재하는 이상정전하 결함 밀도가 증가하였으며, 이들 결함과 실리콘 기판과의 전하교환에 의하여 High Frequency(HF) C-V 곡선이 음의 방향으로 이동하는 현상이 관측된 것으로 사료된다. 또한, 증착 온도간 HF C-V 곡선 이동 폭 및 이상정전하 밀도는 ~l00$\AA$ 두께의 $SiO_2$ 중간층을 사용할 경우에 현저히 감소함을 확인하였다.

  • PDF

레이저 유도 광열 효과를 이용하여 제작된 오목한 광섬유 팁의 곡률 반경에 관한 연구 (A Study on the Radius of Curvature of Concave Optical Fiber Tips fabricated by Laser-Induced Photothermal Effect)

  • 최지원;손경호;유경식
    • 한국전자통신학회논문지
    • /
    • 제14권5호
    • /
    • pp.871-876
    • /
    • 2019
  • 본 논문에서는 플루오린화 수소산(Hydrofluoric acid: HF) 수용액과 광섬유에 인가된 $1.55{\mu}m$ 파장의 레이저를 통해 유도된 광열 효과를 이용하여 오목한 광섬유 팁을 제작하였다. 제작 과정에서 인가한 레이저의 세기, 식각 시간, HF 수용액의 농도에 따른 광섬유 팁 오목 면의 곡률 반경을 광학 현미경을 이용하여 측정하였으며 곡률 반경이 세 변인에 대하여 어떻게 변화하는지 분석하였다. 또한, Free Spectral Range(FSR)와 Scanning electron microscope(SEM) 촬영을 통해 현미경을 이용한 측정 방법의 신뢰성을 검증하였다. 본 논문을 통해 광섬유 팁의 오목 면 제작 과정에서 변인에 따라 곡률 반경을 조절할 수 있게 됨으로써 기존의 HF 수용액을 이용한 광섬유 식각 방법의 한계점을 극복할 수 있었다.

The effects of different surface treatments on the shear bond strengths of two dual-cure resin cements to CAD/CAM restorative materials

  • Turker, Nurullah;Buyukkaplan, Ulviye Sebnem;Basar, Ebru Kaya;Ozarslan, Mehmet Mustafa
    • The Journal of Advanced Prosthodontics
    • /
    • 제12권4호
    • /
    • pp.189-196
    • /
    • 2020
  • PURPOSE. The aim of the present study was to investigate the effects of surface treatments on the bond strengths between polymer-containing restorative materials and two dual-cure resin cements. MATERIALS AND METHODS. In the present study, rectangular samples prepared from Lava Ultimate (LU) and Vita Enamic (VE) blocks were used. The specimen surfaces were treated using CoJet sandblasting, 50 ㎛ Al2O3 sandblasting, % 9 HF (hydrofluoric) acid, ER,Cr:YSGG laser treatment, and Z-Prime. Dual-cure resin cements (TheraCem and 3M RelyX U 200) were applied on each specimen's treated surface. A micro-tensile device was used to evaluate shear bond strength. Statistical analysis was performed using the SAS 9.4v3. RESULTS. While the bond strength using TheraCem with LU or VE was not statistically significant (P=.164), the bond strength using U200 with VE was statistically significant (P=.006). In the TheraCem applied VE groups, Z-Prime and HF acid were statistically different from CoJet, Laser, and Sandblast groups. In comparison of TheraCem used LU group, there was a statistically significant difference between HF acid and other surface treatments. CONCLUSION. The bonding performance between the restorative materials and cements were material type-dependent and surface treatment had a large effect on the bond strength. Within the limitations of the study, the use of both U200 and TheraCem may be suggested if Z-prime was applied to intaglio surfaces of VE. The cementation of LU using TheraCem is suitable after HF acid conditioning of the restoration surfaces.

Excimer laser annealing에 의한 결정화 및 High-k Gate-dielectric을 사용한 poly-Si TFT의 특성 (Electric characteristics of poly-Si TFT using High-k Gate-dielectric and excimer laser annealing)

  • 이우현;구현모;오순영;안창근;정종완;조원주
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
    • /
    • pp.19-19
    • /
    • 2007
  • Excimer laser annealing (ELA) 방법을 이용하여 결정화하고 게이트 절연체로써 high-k 물질을 가지는 다결정 실리콘박막 트랜지스터의 전기적 특성을 평가하였다. 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 비결정질 실리콘 박막 트랜지스터 보다 높은 전계 효과 이동도와 운전 용이한 장점을 가진다. 기존의 결정화 방법으로는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 높은 열 공급을 피할 수 없기 때문에, 매몰 산화막 위의 비결정질 박막은 저온에서 다결정 실리콘 결정화를 위해 KrF excimer laser (248nm)를 이용하여 가열 냉각 공정을 했다. 게다가 케이트 절연체로써 atomic layer deposition (ALD) 방법에 의해 저온에서 20 nm의 고 유전율을 가지는 $HfO_2$ 박막을 증착하였다. 알루미늄은 n-MOS 박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 사용되었다. 금속 케이트 전극을 사용하여 게이트 공핍 효과와 관계되는 케이트 절연막 두께의 증가를 예방할 수 있고, 게이트 저항의 감소에 의해 소자 속도를 증가 시킬 수 있다. 추가적으로, 비결정질 실리콘 박막의 결정화 기술로써 사용된 ELA 방법은 SPC (solid phase crystallization) 방법과 SLS (sequential lateral solidification) 방법에 의해 비교되었다. 결과적으로, ELA 방법에 의해 결정화된 다결정 실리콘 박막의 결정도와 표면 거칠기는 SPC와 SLS 방법에 비해 개선되었다. 또한, 우리는 ELA 결정화 방법에 의한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터로부터 우수한 소자 특성을 얻었다.

  • PDF

Structural, Electrical and Optical Properties of $HfO_2$ Films for Gate Dielectric Material of TTFTs

  • 이원용;김지홍;노지형;문병무;구상모
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
    • /
    • pp.331-331
    • /
    • 2009
  • Hafnium oxide ($HfO_2$) attracted by one of the potential candidates for the replacement of si-based oxides. For applications of the high-k gate dielectric material, high thermodynamic stability and low interface-trap density are required. Furthermore, the amorphous film structure would be more effective to reduce the leakage current. To search the gate oxide materials, metal-insulator-metal (MIM) capacitors was fabricated by pulsed laser deposition (PLD) on indium tin oxide (ITO) coated glass with different oxygen pressures (30 and 50 mTorr) at room temperature, and they were deposited by Au/Ti metal as the top electrode patterned by conventional photolithography with an area of $3.14\times10^{-4}\;cm^2$. The results of XRD patterns indicate that all films have amorphous phase. Field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) images show that the thickness of the $HfO_2$ films is typical 50 nm, and the grain size of the $HfO_2$ films increases as the oxygen pressure increases. The capacitance and leakage current of films were measured by a Agilent 4284A LCR meter and Keithley 4200 semiconductor parameter analyzer, respectively. Capacitance-voltage characteristics show that the capacitance at 1 MHz are 150 and 58 nF, and leakage current density of films indicate $7.8\times10^{-4}$ and $1.6\times10^{-3}\;A/cm^2$ grown at 30 and 50 mTorr, respectively. The optical properties of the $HfO_2$ films were demonstrated by UV-VIS spectrophotometer (Scinco, S-3100) having the wavelength from 190 to 900 nm. Because films show high transmittance (around 85 %), they are suitable as transparent devices.

  • PDF

How will surface treatments affect the translucency of porcelain laminate veneers?

  • Turgut, Sedanur;Bagis, Bora;Ayaz, Elif Aydogan;Korkmaz, Fatih Mehmet;Ulusoy, Kivanc Utku;Bagis, Yildirim Hakan
    • The Journal of Advanced Prosthodontics
    • /
    • 제6권1호
    • /
    • pp.8-13
    • /
    • 2014
  • PURPOSE. The purpose of this study was to evaluate whether surface treatments affect the translucency of laminate veneers with different shades and thicknesses. MATERIALS AND METHODS. A total of 224 disc-shaped ceramic veneers were prepared from A1, A3, HT (High Translucent) and HO (High Opaque) shades of IPS e.max Press (Ivoclar Vivadent) with 0.5 mm and 1.0 mm thicknesses. The ceramics were divided into four groups for surface treatments. Group C: no surface treatments; Group HF: etched with hydrofluoric acid; Group SB: sandblasted with 50-${\mu}m$ $Al_2O_3$; and Group L; irradiated with an Er;YAG laser. A translucent shade of resin cement (Rely X Veneer, 3M ESPE) was chosen for cementation. The color values of the veneers were measured with a colorimeter and translucency parameter (TP) values were calculated. A three-way ANOVA with interactions for TP values was performed and Bonferroni tests were used when appropriate (${\alpha}=0.05$). RESULTS. There were significant interactions between the surface treatments, ceramic shades and thicknesses (P=.001). For the 0.5-mm-thick specimens there were significant differences after the SB and L treatments. There was no significant difference between the HF and C treatments for any shades or thicknesses (P>.05). For the 1-mm-thick ceramics, there was only a significant difference between the L and C treatments for the HT shade ceramics (P=.01). There were also significant differences between the SB and C treatments except not for the HO shades (P=.768). CONCLUSION. The SB and L treatments caused laminate veneers to become more opaque; however, HF treatment did not affect the TP values. When the laminate veneers were thinner, both the shade of the ceramic and the SB and laser treatments had a greater effect on the TP values.