• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제3권3호
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• pp.14-17
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• 2002

The HDP (High Density Plasma) CVD process consists of a simultaneous sputter etch and chemical vapor deposition. As CMOS process continues to scale down to sub- quarter micron technology, HDP process has been widely used fur the gap-fill of small geometry metal spacing in inter-metal dielectric process. However, HBP CVD system has some potential problems including plasma-induced damage. Plasma-induced gate oxide damage has been an increasingly important issue for integrated circuit process technology. In this paper, thin gate oxide charge damage caused by HDP deposition of inter-metal dielectric was studied. Multiple step HDP deposition process was demonstrated in this work to prevent plasma-induced damage by introducing an in-situ top SiH$_4$ unbiased liner deposition before conventional deposition.

• 한국도서관정보학회지
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• 제48권4호
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• pp.235-258
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• 2017

본 연구에서는 최근 각광을 받고 있는 텍스트마이닝 기법인 LDA 토픽모델링과 이를 변형한 HDP 토픽모델링을 적용하여 국내 기록관리학의 연구동향을 분석하고자 한다. 이를 위해 국내 기록관리학 관련 학술지 2종과 문헌정보학 관련 학술지 4종에서 1997년부터 2016년까지 발표된 기록관리학 관련 논문 1,027건을 수집하고 적절한 전처리과정을 거친 후 LDA 토픽모델링과 HDP 토픽모델링을 각각 수행하였다. 또한 토픽모델링 시각화 도구인 LDAvis를 활용하여 토픽별 거리를 가시적으로 표현하고 세부 대표 키워드를 분석하였다. 두 토픽모델링을 비교한 결과, LDA 토픽모델링은 전반적으로 해당 도메인을 대표하는 주요 키워드로 빈도수에 영향을 많이 받았으며, HDP 토픽모델링은 각 토픽별 특징을 파악할 수 있는 특수한 키워드가 많이 도출되었다. 이를 통해 LDA는 국내 기록관리학 내에 거시적으로 대표되는 주제들을, HDP는 세부 주제별 미시적인 핵심 키워드를 도출하는데 효과적임을 알 수 있었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제11권3호
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• pp.135-145
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• 2011

Accurate process characterization and optimization are the first step for a successful advanced process control (APC), and they should be followed by continuous monitoring and control in order to run manufacturing processes most efficiently. In this paper, process characterization and recipe optimization methods with multiple outputs are presented in high density plasma-chemical vapor deposition (HDP-CVD) silicon dioxide deposition process. Five controllable process variables of Top $SiH_4$, Bottom $SiH_4$, $O_2$, Top RF Power, and Bottom RF Power, and two responses of interest, such as deposition rate and uniformity, are simultaneously considered employing both statistical response surface methodology (RSM) and neural networks (NNs) based genetic algorithm (GA). Statistically, two phases of experimental design was performed, and the established statistical models were optimized using performance index (PI). Artificial intelligently, NN process model with two outputs were established, and recipe synthesis was performed employing GA. Statistical RSM offers minimum numbers of experiment to build regression models and response surface models, but the analysis of the data need to satisfy underlying assumption and statistical data analysis capability. NN based-GA does not require any underlying assumption for data modeling; however, the selection of the input data for the model establishment is important for accurate model construction. Both statistical and artificial intelligent methods suggest competitive characterization and optimization results in HDP-CVD $SiO_2$ deposition process, and the NN based-GA method showed 26% uniformity improvement with 36% less $SiH_4$ gas usage yielding 20.8 ${\AA}/sec$ deposition rate.

• Nuclear Medicine and Molecular Imaging
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• 제43권6호
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• pp.588-591
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• 2009

A 26-year-old man with renal cell carcinoma underwent $^{99m}Tc$-HDP bone scintigraphy for detecting bony metastasis after left total nephrectomy for renal cell carcinoma. $^{99m}Tc$-HDP bone scintigraphy showed small hot lesion in the first lumbar spine. About 12 months later, he underwent spinal MRI for lower back pain. A large mass was seen around spinous process of the first lumbar spine (L1) on spinal MRI and confirmed as metastatic renal cell carcinoma by bone biopsy. $^{99m}Tc$-HDP bone scintigraphy and $^{18}F$-FDG PET/CT were underwent for further evaluation. $^{99m}Tc$-HDP bone scintigraphy showed cold lesion in the first lumbar spine which was initially hot and newly developed hot lesion in the twelfth thoracic spine, and which were shown as hypermetabolic lesions in $^{18}F$-FDG PET/CT. We report a case of bony metastasis from renal cell carcinoma which is changed from hot lesion to cold lesion in $^{99m}Tc$-HDP bone scintigraphy and compare with $^{18}F$-FDG PET/CT.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권1호
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• pp.45-51
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• 2004

We have proposed a new shallow trench isolation (STI) process using flowable oxide (F-oxide) chemical vapor deposition (CVD) for DRAM application and it was successfully developed. The combination of F-oxide CVD and HDP CVD is thought to be the superior STI gap-filling process for next generation DRAM fabrication because F-oxide not only improves STI gap-filling capability, but also the reduced local stress by F-oxide in narrow trenches leads to decrease in junction leakage and gate induced drain leakage (GIDL) current. Finally, this process increased data retention time of DRAM compared to HDP STI. However, a serious failure occurred by symphonizing its structural dependency of deposited thickness with poor resistance against HF chemicals. It could be suppressed by reducing the flow time during F-oxide deposition. It was investigated collectively in terms of device yield. In conclusion, the combination of F-oxide and HDP oxide is the very promising technology for STI gap filling process of sub-100nm DRAM technology.

• 정보과학회 논문지
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• 제44권10호
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• pp.1026-1033
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• 2017

본 논문은 계층적 디리슐레 과정(HDP)과 은닉 마르코프 모형(HMM)이 결합된 베이스 통계학적 방법과 HMM의 상태 지속 정보를 이용한 건강 상태 예측 방법을 제안한다. HDP-HMM은 베이스 방법의 HMM 확장 모형으로서 건강의 동적 특성을 고려하여 불확실하고 가늠하기조차도 어려운 건강 상태의 수를 추정할 수 있게 해준다. 모의 데이터와 실제 건건 검진 데이터를 이용한 시험을 통하여 흥미 있는 행동 특성을 볼 수 있었으며 최대 5년까지로 제한한 미래 예측도 충분한 가능함을 확인하였다. 미래는 불확실하며 예측 문제는 본질적으로 어렵다. 그러나 본 연구의 실험 결과로 동적인 문맥 하에서 다중 후보 가설을 제시함으로서 실용 가능한 건강상태의 장기 예측이 가능하다는 것을 읽을 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권1호
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• pp.31-38
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• 2002

0.35㎛-비아(via) 식각공정을 개선하기 위하여 C₂F/sub 6/가스의 식각특성을 분석하였다. 실험한 재료는 TEOS/SOG/TEOS 막을 올린 8인치 웨이퍼이며, 실험의 기법은 직교행열(Orthogonal array matrix) 실험 방식을 활용하였다. 산화막 식각에 이용된 장비는 transformer coupled plasma(TCP) source 방식이며 고밀도 플라즈마(HDP)장비이다. 실험의 결과는, 실험변수의 범위 내에서 C₂F/sub 6/는 0.8㎛/min-1.l㎛/min 범위의 식각속도를 보이며 균일도(Uniformity)는 ±6.9%미만으로 측정되었다. CD 변화(skew)는 식각 전과 후를 비교하여 10% 미만이었고 그 결과 비등방성(anisotropic) 식각의 특성이 우수하였다. C₂F/sub 6/를.20sccm 공급할 때 문제점이 발견되지 않았지만 14sccm을 공급하면 SOG 막의 내벽이 침식당하는 문제점이 있었다. 결과적으로 C₂F/sub 6/는 HDP TCP에서 빠른 식각비와 넓은 공정창(process window)을 가진 식각특성을 나타내었다.

• 디자인학연구
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• 제20권2호
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• pp.65-76
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• 2007

The primary purpose of this study was to evolve integrated design process for Experiential Design which is based on the former study, 'The Influence of Cognitive Factors on the Creative Abilities in Design'. Experience is a transformation factor to all of the design processes, which has three phase of problem solving; Input, Process, and Output. We regard Experiential Design is a transforming process from concept to experience, and set up a mode) of Holistic Design Process (HDP), which consists of four domains: Four Causes, Thinking Modes, Sensory Modalities, and Creative Abilities. Revolving Sensory Modalities (SM), Creative Abilities (CA), and Thinking Modes (TM) around Product Design Specification (PDS) through a design process, Design Concepts ripen and mature into Externalization. Each component of Experiential Design (TM, SM, and CA) turns around the PDS. Here, experience is first perceived by the five senses. Then, the knowledge is formed, and the CA works for a problem solving. And TM controls all of these procedures. We regard these are a phenomenon of Experiential Design. The HDP can be helpful to develop valuable solutions and create a good experience.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2006년도 추계학술발표회 초록집
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• pp.2-3
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• 2006

본 논문에서는 신경망 모델링을 통하여 HDP-CVD를 이용한 실리콘 산화막 형성에 영향을 주는 다섯 가지 공정 장비 변수와 그에 따른 두 가지 출력 파라미터 Deposition rate과 Uniformity와의 관계를 동시에 고려한 특성결과를 분석하고， 최적의 recipe를 Genetic Algorithm을 통해 제시하였다. 실험계획법을 사용하여， 필요한 실험의 횟수를 최소화 하였으며 그 실험결과를 신경망 모델링을 통하여 입력변수와 출력파라미터의 관계를 3차원의 반응표면 곡선으로 분석하였다. 이 과정을 통해 Deposition rate과 Uniformity을 동시에 고려한 두 출력파라미터를 만족하는 최적의 입력변수 값들을 제시하였다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.81-87
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• 2010

본 논문에서는 유기발광다이오드 적용을 위한 보호막 혹은 barrier 적용을 위하여 화학증착방법(CVD)를 이용한 실리콘 산화막을 형성하고, 산화막의 특성에 영향을 미치는 공정조건을 변화시켰다. 이로부터 HDP-CVD를 활용한 $SiO_2$박막 증착을 위한 최적의 공정조건은 $SiH_4:O_2$=30:60[sccm]유량, 소스와 기판과의 거리가 70 [mm], 기판에 Bias를 가하지 않은 조건인 경우 8~10[mtorr] 공정압력에서 매우 안정된 플라즈마 형성이 가능한 최적의 공정조건을 얻었다. 얻어진 공정조건으로 제작된 $SiO_2$산화막의 모콘테스트를 통한 투습율(WVTR)을 조사한 결과 2.2 [$g/m^2$_day]값으로 HDP-CVD로 제작된 $SiO_2$산화막은 유기발광다이오드용 보호막으로의 적용이 어려울 것으로 생각된다.