Tris-HCl buffer solution is extensively used in biochemistry and molecular biology to maintain a stable pH for biomolecules such as nucleic acids and proteins. Here we report on the high-precision THz dielectric spectroscopy of a 10 mM Tris-HCl buffer. Using a double Debye model, including conductivity of ionic species, we measured the complex dielectric functions of Tris-HCl buffer. The fast relaxation time of water molecules in Tris-HCl buffer is ~20% longer than that in pure water while the slow relaxation time changes little. This means that the reorientation dynamics of Tris-HCl buffer with such a low Tris concentration is quite different from that of pure water.
불용성 세리신을 가수분해하기 위해 염산 수용액을 이용하여 농도 및 시간별로 처리하여 처리조건이 가수분해에 미치는 영향에 대해 관찰되었다. 가수분해 후 분말화하여 분자량 분포와 분자량 및 백도를 측정하였고, 아미노산 분석을 통하여 세리신의 아미노산 조성의 변화를 시험하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 염산 가수분해시 0.5N HCl보다 1N 처리시의 용해도가 5%가량 높았고, 처리 시간이 경과할수록 용해도가 증가하고, 6시간 이상의 처리에서는 그 증가폭이 크지않았다. 가수분해된 세리신의 전기영동 결과는 인정할만한 특정밴드는 나타나지 않았으며 분자량 6,000~20,000 사이에 많이 분포하는 것을 알았다. 가수분해된 세리신의 평균 중합도를 측정한 결과 4.2~5.9이었으며, 이를 분자량으로 환산하면 각각 470~670정도가 된다. 백도는 가수분해 시간이 경과할수록 감소하였다. 가수분해된 세리신의 아미노산 분석시 세리신 가수분해물은 220$^{\circ}C$ 부근의 열변성 피크와 330$^{\circ}C$ 부근의 열분해 피크에서 흡열 피크가 관찰되었다.
본 연구에서는 사용 후 태양광 셀을 HCl 용액 및 초음파세척기의 cavitation효과를 사용하여 셀 표면의 불순물(Al, Zn, Ag 등)을 제거하여 Si을 선택적으로 회수하기 위한 최적 공정 조건을 찾기 위한 연구를 진행하였다. 태양광 셀에서 Si을 선택적으로 회수 하기 위해 HCl 용액 및 초음파세척기를 사용하여 침출을 진행하였고, 반응이 끝난 태양광 셀은 증류수로 세척 후 건조 오븐에 건조를 실시하였고, 반응된 HCl 용액은 감압 여과 실시 후 여과된 용액은 ICP-Full Scan 분석을 실시하였다. 또한, 건조 된 태양광 셀은 유발을 사용하여 파쇄 후 XRD, XRF, 및 ICP-OES 분석을 실시하였으며, 이를 통해 Si의 순도 및 회수율을 알 수 있었다. 실험은 산용액 농도, 반응 온도, 반응 시간, 초음파 세기를 변수로 두고 실험을 진행하였다. 위 과정을 통해 최종적으로 태양광 셀로부터 Si을 선택적으로 회수하기 위한 최적 공정 조건은 산용액 농도 3M HCl, 반응 온도 60℃, 반응 시간 120min, 초음파 세기 150W인것을 알 수 있었고, 최종적으로 Si의 순도는 99.85%, 회수율은 99.24%로 측정되었다.
$FeCl_3$ 용액은 금속의 에칭용액으로 사용되며, 사용 후 발생하는 $FeCl_3$ 에칭폐액은 환경적, 경제적으로 문제를 지니기 때문에 에칭액을 재사용할 필요가 있다. 본 연구에서는 $FeCl_2$ 용액에 HCl을 첨가 한 후, 산화제로 $H_2O_2$를 첨가하여 용액 내 $Fe^{2+}$를 산화시켰으며, 산화과정에서 산화-환원전위(ORP)와 산화율 간의 관계를 조사하였다. ORP는 HCl과 $H_2O_2$의 농도가 증가함에 따라 증가하였으며, 산화가 진행되면서 점차 감소하여 Nernst 식과 일치하는 결과를 보였다. 또한 충분한 양의 HCl과 $H_2O_2$를 첨가하였을 경우, 약 99% 이상 산화가 이루어짐을 알 수 있었다.
염화 제 2철용액에 의한 구리황화광의 침출액을 모사하기 위해 $FeCl_3$-$FeCl_2$-$CuCl_2$-CuCl-NaCl-HCl-$H_2O$의 조성을 지닌 합성용액을 제조하였다. 합성용액에서 염화철과 염화구리의 농도를 0.1에서 1 m까지 변화시키며 성분의 농도변화에 따른 $25^{\circ}C$에서 용액의 pH와 전위의 변화를 측정하였다. 염산의 농도가 일정한 조건에서 CuCl의 농도를 증가시키면 용액의 pH는 증가하였다. 그러나 염산과 CuCl의 농도가 일정한 조건에서 다른 용질의 농도를 증가시키면 수소이온의 활동도계수가 증가하면서 용액의 pH는 감소하였다. CuCl의 농도를 증가시키면 염화 제 1구리이온이 안정해지는 방향으로 반응이 진행하나 $FeCl_3$은 반대의 효과를 나타냈다.
부피 측정법을 이용하여 산 염기 적정 실험에서 중화점을 측정할 때, 나는 용액의 부피 변화에 대한 한국 대학생들의 개념을 조사하였다. 이 연구에 의하면, 대부분의 대학생들은 산 염기 적정 동안 중화반응에 의해 물이 생성되기 때문에 부피가 증가한다는 오개념을 갖고 있었다. 그러나 이것은 용액에 있는 염에 의한 효과를 무시한 것이기 때문에, 부피 변화를 설명하는데 충분하지 않다. HCl/NaOH 중화반응 동안 용액의 부피 증가를 설명하기 위해, 나는 생성된 NaCl의 부분 몰부피를 계산하였다. 실험 결과와 계산된 부분 몰부피를 비교할 때, 나는 부피 증가의 주요 효과는 HCl/NaOH 중화반응 동안 생성된 NaCl의 부분 몰부피 때문이라는 것을 밝혔다. 여기서 산 염기 중화 적정 동안 용액의 부피 변화에 대한 오개념을 줄이기 위해, 나는 부분 몰부피의 개념을 대학생들에게 도입하도록 제안한다.
Alamine336에 추출된 염화 제 2철의 탈거실험을 위해 아황산과 염산 및 황산용액의 농도와 탈거조건을 변화시키며 탈거실험을 수행했다. 염산과 황산용액의 농도가 증가함에 따라 철의 탈거율은 감소했으나, 아황산용액의 경우에는 3M의 농도범위에서 산의 농도에 따라 탈거율이 증가하였다. 탈거온도가 증가하면 아황산용액에 의한 철의 탈거율은 감소하나, 염산용액의 경우에는 탈거율이 증가하였다. 0.5M의 철이 함유된 유기상으로부터 O/A=1/10의 조건에서 0.1 M의 염산의 경우에는 3단에 의해, 0.1M의 황산용액으로는 4단에 의해 0.05M농도의 철이 탈거된 용액을 얻을 수 있는 것을 등온탈거곡선으로부터 알 수 있었다.
The characteristics of the wet-etching of ZnO thin films were investigated using hydrochloric and phosphoric acid solutions as etchants. The etch rate of ZnO films, using highly diluted hydrochloric acid solutions at a concentration of 0.25% in deionized water, was determined to be about 120 nm/min, and linearly increased with increasing the acid concentration, resulting in $1.17{\mu}m/min$ when a 2% HCl solution was used. The surface of ZnO etched by an HCl solution, observed by scanning electron microscopy, showed a rough morphology with a high density of hexagonal pyramids or cones with sidewall angles of about ${\sim}45^{\circ}C$. Moreover, the sidewall angles of the masked area were similar to those of the pyramids on the surface. In comparison, the surface of ZnO etched by a phosphoric acid had a smooth surface morphology. The origin of this difference is from the very initial stage of etching, indicating that the etch-mechanism is different for each solution. Furthermore, when $H_3PO_4$ was added to the HCl aqueous solution, the morphology of the etched surface was greatly enhanced and the sidewall angle was also increased to about $65^{\circ}C$.
We propose a novel stripping solution containing acids (HCl and HNO3), an oxidant [(NH4)2S2O8], and complexing agents (NaCl and citric acid) to remove surface passivation layers from 14K gold alloys fabricated using an investment casting process. The optimized solution employing only HCl acid is determined by varying molar fractions of HCl and HNO3 on 14K yellow gold samples. Stripping properties are also identified for red and white gold alloy samples under the optimized stripping conditions. The removal of passivation layers, weight loss, and microstructure evolution are characterized using Raman spectroscopy, a precision scale, and optical microscopy. The proposed stripping solution effectively removes passivation layers more rapidly than conventional cyanide stripping. Weight loss increases linearly for up to 5 min for all 14K gold alloys. Red gold exhibits the greatest weight loss, followed by yellow gold and white gold. The results of microstructural analysis reveal that the conformal stripping occurs according to time. These results imply that the proposed oxidative chloride stripping might replace conventional cyanide stripping.
The solvent extraction behavior of Sn(IV) from hydrochloric acid was investigated using Alamine336 (Tri-n-cotylamine) as an extractant. The experimental parameters of the concentration of the HCl solution, chloride ions, extractant, and Sn(IV) were assessed. The results showed that the extraction percentage of Sn(IV) was more than 95% in our experimental range and was only slightly affected by the HCl concentration. The extraction reaction of Sn(IV) by Alamine 336 from the chloride solution was identified as follows: $SnCl_6{^{2-}}+2R_3NHCl_{(org)}=(R_3NH)_2SnCl_{6(org)}+2Cl^-$ and $K=6.3{\times}10^4$. Stripping experiments of Sn(IV) from the loaded organic phase were done by using several stripping agents. A stripping percentage of 90% was obtained with a 2.0 M NaOH solution.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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