Mediumeffects have been explored on the competitive H-atom abstraction and SET-promoted, silyl-transfer reactions of excited states of silylalkyl-substituted phenyl ketones. The chemical selectivities of photochemical reactions of silylalkyl phenyl ketones appear to depend on medium polarity, medium silophilicity, added metal cation and alkyl length. Irradiations of silylalkylketones in aqueous solvent system and in presence of metal cation such as $Li^+$ and $Mg^{+2} $lead to formation of acetophenone predominantly by the sequential SET-silyl transfer route.
Efficient Si(100) etching by thermal H atoms at low substrate temperatures has been achieved. Gas-phase etching product $SiH_4$(g) upon H atom bombardment resulting from direct abstraction of $SiH_3$(a) by impinging H atoms was detected with a quadrupole mass spectrometer over the substrate temperature range of 105-408 K Facile depletion of all surface silyl ($SiH_3$) groups the dissociative adsorption product of disilane ($Si_2H_6$) at 105K from Si(100)2$\times$1 by D atoms and continuous regeneration and removal of $SiD_3$(a) were all consumed. These results provide direct evidence for efficient silicon surface etching by thermal hydrogen bombardment at cryogenic temperatures as low as 105K We attribute the high etching efficiency to the formation and stability of $SiH_3$(a) on Si(100) at lowered surface temperatures allowing the $SiH_3$(a) abstraction reaction by additional H atom to produce $SiH_4$((g).
Studies have been conducted to explore photoaddition reactions of N-methylthiophthalimide with $\alpha$-silyl-n-electron donors Et$_2$NCH$_2$SiMe$_3$, n-PrSCH$_2$SiMe$_3$ and EtOCH$_2$SiMe$_3$. Photoaddition of $\alpha$-silyl amine Et$_2$NCH$_2$SiMe$_3$ to N-methylthiophthalimide occurs in $CH_3$CN and benzene to produce non-silicon containing adduct in which thiophthalimide thione carbon is bonded to $\alpha$-carbon of $\alpha$-silyl amine in place of the trimethylsilyl group. In contrast, photoaddition of EtOCH$_2$SiMe$_3$ to N-methylthiophthalimide generates two diastereomeric adducts in which thiophthalimide thione carbon is connected to $\alpha$-carbon of $\alpha$-silyl ether in place of u-hydrogen. Based on a consideration of the oxidation potentials of u-silyl-n-electron donors and the nature of photoadducts, mechanism for these photoadditions involving single electron transfer(SET) -desilylation and H atom abstraction pathways are proposed.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.383-383
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2010
Gas-phase hydrogen atoms create a variety of chemical and physical phenomena on Si surfaces: adsorption, abstraction of pre-adsorbed H, Si etching, Si amorphization, and penetration into the bulk lattice. Thermal desorption/evolution analyses exhibited three distinct peaks, including one from the crystalline bulk. It was previously found that thermal-energy gaseous H(g) atoms penetrate into the Si(100) crystalline bulk within a narrow substrate temperature window(centered at ~460K) and remain trapped in the bulk lattice before evolving out at a temperature as high as ~900K. Developing and sustaining atomic-scale surface roughness, by H-induced silicon etching, is a prerequisite for H absorption and determines the $T_s$ windows. Issues on the H(g) absorption to be further clarified are: (1) the role of the detailed atomic surface structure, together with other experimental conditions, (2) the particular physical lattice sites occupied by, and (3) the chemical nature of, absorbed H(g) atoms. This work has investigated and compared the thermal H(g) atom absorptivity of Si(100), Si(111) and Si(110) samples in detail by using the temperature programmed desorption mass spectrometry (TPD-MS). Due to the differences in the atomic structures of, and in the facility of creating atom-scale etch pits on, Si(100), (100) and (110) surfaces, the H-absorption efficiency was found to be larger in the order of Si(100) > Si(111) > Si(110) with a relative ratio of 1 : 0.22 : 0.045. This intriguing result was interpreted in terms of the atomic-scale surface roughening and kinetic competition among H(g) adsorption, H(a)-by-H(g) abstraction, $SiH_3(a)$-by-H(g) etching, and H(g) penetraion into the crystalline silicon bulk.
Reactions that proceed within mixed acetylene-methanol and ethylene-methanol cluster ions were studied using an electron-impact time-of-flight mass spectrometer. When acetylene and methanol seeded in helium are expanded and ionized by electron impact, the ion abundance ratio, [CH3OH+]/[CH2OH+] shows a propensity to increase as the acetylene/methanol mixing ratio increases, indicating that the initially ionized acetylene ion transfers its charge to adjacent methanol molecules within the clusters. Investigations on the relative cluster ion intensity distributions of [CH3OH2+]/[CH3OH+] and [(CH3OH)2H+]/[CH3OH·CH2OH+] under various experimental conditions suggest that hydrogen-atom abstraction reaction of acetylene molecule with CH3OH ion is responsible for the effective formation of CH2OH ion. In ethylene/methanol clusters, the intensity ratio of [CH3OH2]/[CH3OH] increases linearly as the relative concentration of methanol decreases. The prominent ion intensities of (CH3OH)mH over (CH3OH)m-1CH2OH ions (m=1, 2, and 3) at all mixing ratios are also interpreted as a consequence of hydrogen atom transfer reaction between C2H4 and CH3OH to produce the protonated methanol cluster ions.
The IR spectra of gaseous phenanthrene, phenathrenols, phenanthrenyl radicals, and hydroxylphenanthrene radicals have been obtained using the BLYP/6-311++G(d,p) method. A comparison of these spectra shows that the measurements of IR spectra can be valuable to identify the reaction pathway(s) of the phenanthrene decomposition reaction by ${\cdot}OH$. We have found that the H atom abstraction reaction process can be easily identifiable from the $650-850cm^{-1}$ (CH out-of-plane bending) region and the ${\cdot}OH$ addition reaction process from the CH stretching and bending modes region of IR spectra. In addition, the calculated IR spectra of all five phenanthren-n-ols (n = 1, 2, 3, 4, 9) have also given in this work.
Free radicals of lysozyme produced by $Ti-H_2O_2$ system were studied in aqueous solution at room temperature using ESR with a continuous flow-mixing. The spectra, each consisting of a doublet with 5.5 G splitting and a broad resonance covering 80 G splitting are closely similar in shape to that for solid irradiated in vacuum at $77^{\circ}K$ and observed at room temperature immediately on warming. The result is assumed to indicate that the secondary protein radical components formed within 0.01 second, dead time of the mixing chamber, and initiated by hydrogen atom abstraction at ${\alpha}$-carbon atom of peptide chain in liquid solution at room temperature are identical to those resulting from the initial formation of a mixture of positive holes and negative ions by ionization processes as well as radical fragments by the rupture of chemical bonds in the solid during similar time at the same temperature. A broad resonance is observed with considerable amplitude on the high field side of the doublet, which is quite dissimilar to the spectra of irradiated solid lysozyme. This resonance was tentatively attributed to the polypeptide free radical in which unpaired electrons are localized on side chain.
The pyrolytic reaction of 1,1-dichloroethylene($CH_2CCl_2$) has been conducted to investigate thermal decomposition of chlorocarbon and product formation pathways under hydrogen reaction environment. The reactions were studied in a isothermal tubular flow reactor at 1 atm total pressure in the temperature range $650{\sim}900^{\circ}C$ with reaction times of 0.3~2.0 sec. A constant feed molar ratio $CH_2CCl_2:H_2$ of 4:96 was maintained through the whole experiments. Complete decay(99%) of the parent reagent, $CH_2CCl_2$ was observed at temperature near $825^{\circ}C$ with 1 sec. reaction time. The important decay of $CH_2CCl_2$ under hydrogen reaction environment resulted from H atom cyclic chain reaction by abstraction and addition displacement. The highest concentration (28%) of $CH_2CHCl$ as the primary product was observed at temperature $700^{\circ}C$, where up to 46% decay of $CH_2CCl_2$ was occurred. The secondary product, $C_2H_4$ as main product was detected at temperature above $775^{\circ}C$. The one less chlorinated ethylene than parent increase with temperature rise subsequently. The HCl and dechlorinated hydrocarbons such as $C_2H_4$, $C_2H_6$, $CH_4$ and $C_2H_2$ were the main products observed at above $825^{\circ}C$. The important decay of $CH_2CCl_2$ resulted from H atom cyclic chain reaction by abstraction and addition displacement. The important pyrolytic reaction pathways to describe the features of reagent decay and intermediate product distributions, based upon thermochemical and kinetic principles, were suggested.
Nine copper(Ⅱ) oxyanion, and mixed oxyanion complexes that have four- or five-coordinate geometries around copper(Ⅱ) centers were derived from sparteine copper(Ⅱ) dinitrate precursor [Cu($C_{15}$$H_{26}$N2)(NO3)2]. The precursor complex undergoes an anion exchange with various oxyanions, and an interchange reaction with other sparteine copper(Ⅱ) complexes. The [Cu($C_{15}$$H_{26}$N2)(CH3CO2)2] also undergoes "halogen atom abstraction" reaction with CCl4 to produce the mixed anion complex [Cu($C_{15}$$H_{26}$N2)(CH3CO2)Cl]. The whole set of prepared complexes has been used for the comparative electrochemical and spectroscopic studies.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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