Hydride reorientation behaviors of PWR cladding tubes under typical interim dry storage conditions were investigated with the use of as-received 250 and 485ppm hydrogen-charged Zr-Nb alloy cladding tubes. In order to evaluate the effect of typical cool-down processes on the radial hydride precipitation, two terminal heat-up temperatures of 300 and $400^{\circ}C$, as well as two terminal cool-down temperatures of 200 and $300^{\circ}C$, were considered. In addition, two cooling rates of 2.5 and $8.0^{\circ}C/min$ during the cool-down processes were taken into account along with zero stress or a tensile hoop stress of 150MPa. It was found that the 250ppm hydrogen-charged specimen experiencing the higher terminal heat-up temperature and the lower terminal cool-down temperature generated the highest number of radial hydrides during the cool-down process under 150MPa hoop tensile stress, which may be explained by terminal solid hydrogen solubilities for precipitation, and dissolution and remaining circumferential hydrides at the terminal heat-up temperatures. In addition, the slower cool-down rate generates the larger number of radial hydrides due to a cooling rate-dependent, longer residence time at a relatively high temperature that can accelerate the radial hydride nucleation and growth.
한국교원대학교 주변의 아카시아림 및 상수리나무와 아카시아의 혼합림에서 민자주방망이버섯(L. nuda)을 채집하여 균사를 순수분리하였다. 분리된 균사와 농진청 균이과에서 분양 받은 균사를 시료로 수종의 기질에 따른 균사의 성장을 나무 건중량과 탄산가스 발생량으로 측정하였다. 이 결과 아카시아, 뽕나무, 느티나무 순으로 균사의 성장을 나타냈다. 아카시나무 톱밥, 조 및 옥수수를 이용한 고형발효를 한 결과 균사의 성장에 관련된 성장곡선은 그렸으나, 자실형성을 하지 못하였다. 그러나, 앞으로 유망한 식용버섯으로 다른 수종의 나무에 자라는 균사를 얻었으며, 자실체 형성을 위하여서는 많은 연구가 필요하다.
This paper focuses on the unsteady close-contact melting phenomenon occurring between a phase change material kept at its melting temperature and a flat surface on which constant heat flux is imposed. Based on the same simplifications and framework of analysis as the case of constant surface temperature, an approximate analytical solution which depends only on the liquid-to-solid density ratio is successfully derived. In order to keep consistency with the known solution procedure, both the dimensionless wall heat flux and the Stefan number are properly redefined. The obtained solution proves to agree quite well with the published numerical data and to be capable of resolving the fundamental features of unsteady close-contact melting, especially in the presence of the solid-liquid density difference. The density ratio directly affects the film growth rate and the initial value of solid descending velocity, thereby controlling the duration of unsteady process. The effects of other parameters can be evaluated readily from the steady solution which is implied in the normalized result. Since the dimensionless surface temperature for the present boundary condition increases from zero to unity along the evolution path of the liquid film thickness, the unsteady process lasts longer than that for the case of isothermal heating.
본 연구는 빈도리나무를 대상으로 고형 돈분의 시비 농도에 따른 빈도리나무 종자의 발아율, 묘목의 생장량, 건중량, 체내 무기양분 흡수량 및 토양의 화학적 변화 등을 조사하여 빈도리나무 유묘의 생장에 고형 돈분의 적정 시용량에 대한 자료를 얻고자 실시하였다. 1. 고형 돈분 처리시 빈도리나무의 종자발아율은 대조구가 가장 높았으며, 고농도 돈분 처리시 발아율은 감소하는 경향을 나타냈다. 2. 묘의 생장량은 돈분 처리구가 대조구 보다 모두 높은 생장량을 보였고, 돈분 1.0% 처리구에서 묘고 생장이 가장 컸다. 3. 건중량은 1.0% 처리구에서 가장 높게 나타났고, 체내 무기양분 흡수량은 대부분 1.0% 처리구에서 높았으며, 2.0%에서 급격히 흡수량이 떨어졌다. 4. 빈도리나무 식재 토양의 경우 돈분을 고농도로 처리할수록 pH는 낮아지고, 토양 중 잔류된 전질소, 유효인산, 치환성 K, Na 및 Mg 함량은 높아졌다.
An efficient screening method was developed for rapid selection of a few overproducers of itaconic acid (IA) among the great many mutants derived from mother strains of Aspergillus terreus. For this purpose, an attempt was made to reveal the relationships of the growth rate and sporulation of each mutant on PDA solid medium with its IA productivity in the final liquid production-culture. As a result, it was possible to classify the mutated strains into 5 groups (from [A] to [E] group) according to theirmorphologies (i.e., growth rate and sporulation extent) on the PDA slants. Notably, most of the high-yielding mutants of IA were observed to belong to [A]group which had the properties of the highest growth rate and sporulation among the 5 groups, whereas the mutant groups of [C], [D] and [E] with the contrasting morphological features showed significant reductions in their IA productivities. From these results, it was concluded that the probability of selecting IA overproducing mutants could be remarkably enhanced when the mutated colonies showing faster growth rates are firstly selected on the PDA plate, and then further screening process is performed on the basis of the sporulation extents of the mutants selected. Consequently, through the application of the strategy developed in this study, costs and time involvedin the labor-intensive task of strain improvement could be reduced to a great extent, because the time-consuming liquid culture processes did not need to performed for the unfavorable mutants belonging to the groups other than group [A].
In this research, two thin film deposition techniques, Atomic Layer Deposition and Sputtering are carried out for the fabrication of Yittria Stabilized Zirconia electrolyte for thin film Solid Oxide Fuel Cell. Zirconium to Yittrium ratio for both cases is about 1/8. Scanning Electron Microscope(SEM) image shows that the growth rate per hour for Atomic Layer Deposition is faster than for sputtering. X-ray Photo-electron Spectroscopy(XPS) shows that the peaks of both Zirconia and Yittria shift towards higher bending energy for the case of Atomic Layer deposition and thus are more strongly attached to the substrate. Later, Nyquist plot was used to compare the conductivity of Yittria Stabilized Electrolyte for both cases. The conductivity at $300^{\circ}C$ for Atomic Layer Deposited Yittria Stabilized Zirconia is found to be $5{\times}10^{-4}S/cm$ while that for sputtered Yittria Stabilized Zirconia is $2{\times}10^{-5}S/cm$ at the same temperature. The reason for better performance for Atomic Layered YSZ is believed to be the Nano-structured layer fabrication that aids in along the plane conduction as compared to the columnarly structured Sputtered YSZ.
The single crystal of CdTe was grown by modified 6 zone Bridgman method under the conditions of excess Te and excess Cd. To prevent the constitutional supercooling, the crystal growth was done under the temperature gradient of $17^{\circ}C/cm$ in front of the solid /liquid interface and the growth rate was 3mm/hr. The grain morphologies and the growth mechanism were investigated in excess Te and excess Cd conditions. The grain size of excess Te crystal was increased with an increase of the distance from the tip but, in the case of excess Cd crystal, single crystal was not obtained because of the cavities due to the excess Cd vapors so that the grain size was not increased with an increase of the distance from the tip. In addition, the growth of single crystal of CdTe was done with repeated necking ampoule. It was found that the necking had no effects on the grain selection because the cavities trapped in the necking portion acted as heterogeneous nucleation sites.
패모의 기내 주년 생산 체계를 확립하기 위한 연구의 일환으로 cytokinin이 첨가된 배치에서 배양 방법의 차이가 자구 형성과 비대에 미치는 영향, 배지의 삼투 포텐셜 조절을 위한 mannitol 첨가나 활성 탄소 및 생장 억제제 처리가 기관 형성과 인편 비대에 미치는 영향에 대해서 실험한 결과는 다음과 같다. 1. 0mg/L kinetin과 0. 3mg/L NAA가 혼용 처리된 MS 고체 배지에서 액체 배지나 액체 현탁배지에서보다 효과적인 자구 생장과 증식율을 나타냈으며, 액체 배지나 액체 현탁처리 배지에서는 비슷한 결과를 나타냈다. 활성 탄소의 농도는 $0.01%{\sim}0.1%$ 처리구에서 형성된 자구의 비대가 양호하였고, 0. 5% 이상 농도에서는 오히려 생장이 억제되었다. $1{\sim}2%$ mannitol이 첨가된 배지에서 인편으로부터의 자구 형성수 및 구비대가 양호하였으며, 그 이상의 농도에서는 생장에 저해적으로 작용하였다. 생장 억제제인 B-9과 Chloromequat 처리구에서는 $10{\sim}100mg/L$ 처리구에서 자구 발생 및 비대가 양호하였으나, 발생 인편의 생육 상태가 억제되었으며, ABA 처리구에서는 배양 중 인편이 모두 고사하였다.
일차입경이 동일한 $Nb_20_5$분체의 응집 상태가 $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$의 생성 반응 및 소결에 미치는 영향을 조사하였다. 합성 방법으로는 고체 반응법과 용융염법으로 나누어 각각 실험하였다. 고체 반응법의 경우에는 perovskite 상의 생성 반응이 $Nb_20_5$의 응집도가 낮을수록 크게 영향을 받았으나, 용융법시에는 거의 영향을 받지 않았다. 그 이유는 고상 반응법시에는 perovskite 상의 생성이 중간생성물인 perovskite 상의 분포의 균일성, 즉 $Nb_20_5$의 응집도에 지배를 받게되나, 용해, 석출 과정에 의해 진행되는 용융염법에서는 반응물의 비표면적에 의존하므로, 응집도에는 그다지 영향을 받지않는 것으로 사료된다.
${\alpha}-Al_2O_3$와 비정질 SiO2부터 Mullite를 합성하기 위한 고체상태반응의 반응속도를 1450~$1480^{\circ}C$ 온도 범위에서 연구하였다. 반응속도는 $Al_2O_3$분말을 코팅한 28.16wt%의 $SiO_2$와 일정한 온도에서 여러 시간동안 가열하여 생성된 혼합물에 의하여 결정되었다. MgO안의 반응물과 미반응물의 양은 X-선 회절분석에 의하여 결정되었다. Mullite의 부피율과 peak intensity 비의 자료로부터 $Al_2O_3$와 $SiO_2$의 $3Al_2O_3\;{\cdot}\;2SiO_2$형태로의 반응은 $1450^{\circ}C$와 $1480^{\circ}C$ 사이에서 시작되었다. 고체상태반응 활성화 에너지는 Arrhenius 식에 의하여 결정되었다. 활성화 에너지는 31.9KJ/mol이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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