• IEIE Transactions on Smart Processing and Computing
• /
• 제4권5호
• /
• pp.318-323
• /
• 2015

We present a new way to create a thermally stable, highly strained germanium (Ge) optical resonator using a novel Ge-on-dual-insulators substrate. Instead of using a conventional way to undercut the oxide layer of a Ge-on-single-insulator substrate for inducing tensile strain in germanium, we use thin aluminum oxide as a sacrificial layer. By eliminating the air gap underneath the active germanium layer, we achieve an optically insulating, thermally conductive, and highly strained Ge resonator structure that is critical for a practical germanium laser. Using Raman spectroscopy and photoluminescence experiments, we prove that the novel geometry of our Ge resonator structure provides a significant improvement in thermal stability while maintaining good optical confinement.

• Nuclear Engineering and Technology
• /
• 제7권2호
• /
• pp.85-94
• /
• 1975

n형 Ge 결정체를 보상하기 위해 상온에서 $^{60}$Co 감마선으로 647 Mrad 조사하였다. 감마선으로 조사된 Ge 결정체로 Ge(${\gamma}$) 검출기를 제작하였다. Ge(${\gamma}$) 검출기의 검출기 특성은 얇은 Ge(Li) 검출기나 고순도 Ge 검출기와 비슷하였다. Ge(${\gamma}$) 검출기의 온도에 대한 안정도는 상온에서의 저장이 가능함을 보여 주었다.

• Journal of Ginseng Research
• /
• 제29권3호
• /
• pp.145-151
• /
• 2005

식물조직배양기술을 이용하여 Ge를 함유한 인삼 root를 생산하고자, 0.5mg/L BAP와 3.0mg/L NAA조합의 식물생장 조절물질로 유도된 인삼 root를 이용하여 배양을 위한 최적 $GeO_2$농도, $GeO_2$ 첨가시기 및 배지의 pH를 조사하였다. 인삼 root의 생장에 가장 좋은 $GeO_2$ 농도는 10ppm, $GeO_2$ 첨가시기는 배양 초기(0주), pH는 5.5였고, 인삼 root내 Ge의 함량이 가장 높았을 때의 $GeO_2$농도는 100ppm이었다. $GeO_2$를 첨가하여 배양한 기간이 길수록 Ge함량이 증가하였으나 6주 이후부터 생장율이 둔화되어 $GeO_2$ 100ppm에서는 생장율이 아주 낮아 대조구의 1/2 정도였다. 배양 초기에 $GeO_2$를 첨가하여 8주간 배양한 인삼 root의 Ge 함량이 $29.4mg\%$인데 반해, 배양 2주째에 $GeO_2$를 첨가한 인삼 root의 경우는 Ge 함량이 $38.6mg\%$이므로, 배양 후 2주 후에 $GeO_2$를 첨가하는 것이 인삼 root의 Ge흡수에 더욱 효과적이었다. Ge흡수가 가장 잘 이루어지는 최적 pH는 5.5였으며 사포닌 함량은 $GeO_2$의 첨가농도가 증가할수록 감소하였다.

• 한국식품영양학회지
• /
• 제22권4호
• /
• pp.701-707
• /
• 2009

This study was conducted to investigate the effects of Ge(germanium) treatment on rice quality. Rice samples were divided into the following treatment groups: control(CON: cultivated without Ge), Ge-1(cultivated with 200 kg of rough stone powder containing 1.6 mg/kg germanium per 10 ha), and Ge-2(cultivated with 500 kg of rough stone powder containing 1.6 mg/kg germanium per 10 ha). The mean total Ge level in the Ge-2 sample was 20.47 ppb. The levels of Ca and Na in the Ge-2 rice increased by 65.12 and 110.28%, respectively, when compared to the control, whereas the Zn, Mn, Fe, Mg and K content decreased by 11.44~30.50%. No significant difference in the percentage weight of C and O was observed among samples. The order of the percentage weight of P, S, and Cl was Ge-2>Ge-1>CON. The free amino acids were higher in samples from the Ge-1 and Ge-2 groups than in samples from the control. The GABA($\gamma$-aminobutyric acid) amount in the Ge-2 products was significantly high compared to other groups. The micro structure of Ge-2 showed a firmer network than the control and had a macroporous structure. Conversely, the Ge-2 products had higher scores for stickiness, hardness and overall taste when compared to the other groups. These results suggest that rice treated with rough stone powder containing germanium can be used in the production of commercially-desired functional rice.

• Journal of Ginseng Research
• /
• 제31권3호
• /
• pp.154-158
• /
• 2007

식물조직배양기술을 이용한 Ge 함유 인삼 부정근 생산 시 Ge의 생산성을 향상시키고자, 다양한 킬레이트제가 인삼 부정근의 Ge 축적과 사포닌 형성 및 생육에 미치는 영향을 조사하였다. $GeO_2$ 50ppm과 함께 citric acid, oxalic acid, phosphoric acid, EDTA 및 EGTA와 같은 킬레이트제를 인삼 부정근 배양시 첨가하여 Ge 흡수에 미치는 영향을 조사한 결과, phosphoric acid, EDTA 및 EGTA가 Ge 흡수를 촉진시킨다는 사실을 알 수 있었다. 그러나, EDTA와 EGTA는 인삼부정근의 생육을 억제시킬 뿐만 아니라 Ge 흡수 촉진 효과도 phosphoric acid에 비해 낮으므로 인삼 부정근의 Ge 흡수를 촉진하는데 가장 효과적인 킬레이트제는 phosphoric acid인 것으로 확인되었다. 인삼 부정근의 Ge 흡수 촉진을 위한 phosphoric acid의 최적 농도는 1.0 mM이었고, 이때의 Ge 함량은$22.7{\pm}0.3$ mg%로 대조구$(16.8{\pm}0.7$ mg%)의 1.4배에 해당하는 양이다. 한편, 인삼 부정근의 생장률과 총 사포닌 함량은 phosphoric acid의 농도가 증가할수록 감소하는 경향을 나타내었다.

• 한국재료학회지
• /
• 제18권6호
• /
• pp.302-306
• /
• 2008

Polycrystalline germanium (Ge) thin films were grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) using tetra-allyl germanium [$Ge(allyl)_4$], and germane ($GeH_4$) as precursors. Ge thin films were grown on a $TiN(50nm)/SiO_2/Si$ substrate by varying the growth conditions of the reactive gas ($H_2$), temperature ($300-700^{\circ}C$) and pressure (1-760Torr). $H_2$ gas helps to remove carbon from Ge film for a $Ge(allyl)_4$ precursor but not for a $GeH_4$ precursor. $Ge(allyl)_4$ exhibits island growth (VW mode) characteristics under conditions of 760Torr at $400-700^{\circ}C$, whereas $GeH_4$ shows a layer growth pattern (FM mode) under conditions of 5Torr at $400-700^{\circ}C$. The activation energies of the two precursors under optimized deposition conditions were 13.4 KJ/mol and 31.0 KJ/mol, respectively.

• Korean Chemical Engineering Research
• /
• 제55권2호
• /
• pp.275-278
• /
• 2017

Heterogeneous semiconductor composites have been widely used to establish high-performance microelectronic or optoelectronic devices. During a deposition of silicon atoms on silicon/germanium compound surfaces, germanium (Ge) atoms are segregated from the substrate to the surface and are mixed in incoming a silicon layer. To suppress Ge segregation to obtain the interface sharpness between silicon layers and silicon/germanium composite layers, approaches have used silicon hydride gas species. The hydrogen atoms can play a role of inhibitors of silicon/germanium exchange. However, there are few kinetic models to explain the hydrogen effects. We propose using segregation probability which is affected by hydrogen atoms covering substrate surfaces. We derived the model to predict the segregation probability as well as the profile of Ge fraction through layers by using chemical reactions during silicon deposition.

• 분석과학
• /
• 제8권3호
• /
• pp.371-374
• /
• 1995

유기게르마늄 화합물인 Ge-132의 분석법을 확립하였다. 이온교환수지 컬럼을 사용하고 $Na_2B_4O_7$ buffer를 이동상으로 하여 Ge-132를 분리한 다음, 전기전도도 검출기를 사용하여 검출하는 방법을 이용한 결과 50pmol의 농도까지 분석할 수 있었다. 이 방법은 Ge-132의 원료와 제품의 품질 관리에 응용이 가능하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제26권10호
• /
• pp.1543-1548
• /
• 2005

Two isostructural new alkaline earth germanium nitrides, $Sr_6Ge_5N_2\;and\;Ba_6Ge_5N_2$, were obtained as single crystals from constituent elements in molten Na. They both crystallize in space group $P_{mmn}$ (No. 59) with a = 4.0007(8), b = 17.954(3), c = 9.089(2) $\AA$, Z = 2, and a = 4.1620(2), b = 18.841(1), c = 9.6116(5) $\AA$, Z = 2, for $Sr_6Ge_5N_2\;and\;Ba_6Ge_5N_2$, respectively. Their crystal structure contains features for both Zintl and nitride phases: zigzag anionic chain of $_{\infty}Ge^{2-}$, and dumbbell-shaped bent anion of ${GeN_2}^{4-}$. Counter cations of Sr or Ba wrap these anionic units in a channel-like arrangement. Unlike in other germanium nitrides, bond lengths of both Ge-N arms of the ${GeN_2}^{4-}$, are same in $Sr_6Ge_5N_2\;and\;Ba_6Ge_5N_2$.

• 한국약용작물학회지
• /
• 제3권1호
• /
• pp.45-49
• /
• 1995

1. Ge는 명일엽(明日葉)이 일당귀에 비하여 2.1배 함유량이 더 높았다. 2. 분해 온도를 높이면 분해를 단시간에 할 수 있었으나 Ge 함량에 있어서는 낮은 온도로 분해할 때보다 낮았다 3. Ge 처리시 callus 형성은 일당귀가 명일엽(明日葉)보다 좋았으나 두 식물 모두 pH 5.7, 5.4, 6.0 순으로 좋았다. 명일엽(明日葉)에서는 일당귀와는 달리 pH 5.7에서 callus증식 중 신초형성이 많았다. 4. Callus형성에는 명일엽(明日葉)과 일당귀 모두 무기 Ge의 5 ppm까지 대체로 좋았으나 10 ppm부터 저해되다가 100 ppm에서는 거의 형성되지 않았고 유기Ge의 처리에서는 10 ppm까지 양호했고, 50 ppm부터 저해하지만 100 ppm에서도 다소 형성되었다.