This study was conducted to investigate the effects of Ge(germanium) treatment on rice quality. Rice samples were divided into the following treatment groups: control(CON: cultivated without Ge), Ge-1(cultivated with 200 kg of rough stone powder containing 1.6 mg/kg germanium per 10 ha), and Ge-2(cultivated with 500 kg of rough stone powder containing 1.6 mg/kg germanium per 10 ha). The mean total Ge level in the Ge-2 sample was 20.47 ppb. The levels of Ca and Na in the Ge-2 rice increased by 65.12 and 110.28%, respectively, when compared to the control, whereas the Zn, Mn, Fe, Mg and K content decreased by 11.44~30.50%. No significant difference in the percentage weight of C and O was observed among samples. The order of the percentage weight of P, S, and Cl was Ge-2>Ge-1>CON. The free amino acids were higher in samples from the Ge-1 and Ge-2 groups than in samples from the control. The GABA($\gamma$-aminobutyric acid) amount in the Ge-2 products was significantly high compared to other groups. The micro structure of Ge-2 showed a firmer network than the control and had a macroporous structure. Conversely, the Ge-2 products had higher scores for stickiness, hardness and overall taste when compared to the other groups. These results suggest that rice treated with rough stone powder containing germanium can be used in the production of commercially-desired functional rice.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.21
no.4
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pp.153-157
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2011
We have investigated the effect of inductively coupled plasma (ICP) treatment on the early growth stage of heteroepitaxial Ge layers grown on Si(100) substrates using low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), The Si(100) substrates were treated by ICP process with various source and bias powers, followed by the Ge deposition, The ICP treatment led to the enhancement in the coalescence of Ge islands, The growth rate of Ge on Si(100) with ICP surface treatment is about 5 times higher than that without ICP surface treatment. A missing dimer caused by the ICP surface treatment can act as a nucleation site for Ge adatoms, which could be responsible for the improvement in growth behavior of Ge on Si(100) substrates.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.36D
no.4
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pp.86-92
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1999
A SiGe p-channel MESFET using $\delta$-doped layers is designed and the considerabel enhancement of the current driving capability of the device is observed from the result of simulation. The channel consists of double $\delta$-doped layers separated by a low-doped spacer which consists of Si and SiGe. A quantum well is formed in the valence band of the Si/SiGe heterojunction and much more holes are accumulated in the SiGe spacer than those in the Si spacer. The saturation current is enhanced by the contribution of the holes in the spacer. Among the design parameters that affect the performance of the device, the thickness of the SiGe layer and the Ge composition are studied. The thickness of 0~300$\AA$ and the Ge composition of 0~30% are investigated, and saturation current is observed to be increased by 45% compared with a double $\delta$-doped Si p-channel MESFET.
An, Hyeong-U;Park, Yeong-Uk;O, Cheol;Jang, Gang;Jeong, Jeung-Hyeon;Lee, Su-Yeon;Jeong, Du-Seok;Kim, Dong-Hwan;Jeong, Byeong-Gi
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.55-55
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2011
질소 등을 GST225 상변화재료에 첨가시켜 비저항을 증가시킴으로서 PCRAM의 동작 전류를 감소시킨 연구가 선행된 바 있다. 본 연구에서는 GST225와 달리 고속 동작 특성을 갖는 것으로 널리 알려진 Ge-doped SbTe (GeST) 상변화 재료에 Carbon을 첨가하여 박막 특성을 연구하여 동작 전류 감소의 가능성을 타진하였다. 실험을 위한 박막 제작을 위해 2 inch size의 GeST 및 C doped GeST (C-GeST) single target을 이용하여 RF magnetron co-sputtering 하였다. 박막은 carbon이 첨가되지 않은 GeST와 carbon 첨가량이 늘어나는 순서로 C-GeST 1, C-GeST 2, C-GeST 3로 구성된다. 이 때 제작한 박막의 composition analysis를 위해 XRF/RBS/AES가 사용되었고 제작된 박막의 기본적인 특성평가를 위해 resistivity(${\rho}$)와 crystallzation temp.(Cx), surface morphology(AFM), x-ray diffraction pattern(XRD)를 측정하였다. 실험결과 GeST, C-GeST 1, C-GeST 2, C-GeST 3 박막의 Cx는 각각 209, 225, 233, $245^{\circ}C$로 측정되어 carbon 첨가량이 증가됨에 따라 결정화 온도가 증가되는 것을 알 수 있었다. 또한 ${\rho}$도 마찬가지로 annealing 온도를 약 $320^{\circ}C$로 할 경우 ${\rho}$(as-dep)와 ${\rho}$(crystalline) 모두 0.03 / $2.61*10^{-6}$, 0.08 / $7.93*10^{-6}$, 0.09 / $11.99*10^{-6}$, 0.13 / $13.49*10^{-6}{\Omega}{\cdot}m$로 증가하였다. 증가된 ${\rho}$의 원인이 박막의 grain size의 감소라고 단언 할 수는 없으나 AFM 측정결과 grain이라고 추측되는 박막 feature들의 size가 점차 감소하는 것을 확인하였다.
Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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v.22
no.6
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pp.702-708
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1993
The study was attempted to elucidate the mechanism of GE-132(100mg/kg, p.o. for 6 weeks) on the metabolism of bromobenzene (460mg/kg, i.p. bid, for 2 days), which has potent carcinogenicity, mutagenicity and hepatotoxicity. It showed that activities of cytochrome p-450, aminopyrine demethylase and aniline hydroxylase, which have epoxide generating property, were not changed by GE-132 treatment. On the other hand, epoxide hydrolase was not changed but that glutathione S-transferase was significantly increased by GE-132 treatment. And also ${\gamma}-glutamylcysteine$ synthetase was not changed following the GE-132 treatment, but the activity of glutathione reductase was significantly increased. The level of hepatic glutathione which was decreased by bromobenzene recovered markedly by GE-132 pretreatment. It is concluded that the mechanism for the observed effect of GE-132 on bromobenzene metabolism is due to the induction of glutathione S-transferase.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.31
no.1
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pp.6-10
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2018
Ni germanide (NiGe) is a promising alloy material with small contact resistance at the source/drain (S/D) of Ge MOSFETs. However, it is necessary to reduce the specific contact resistance between NiGe and the doped Ge S/D region in high-performance MOSFETs. In this study, a novel method is proposed to reduce the specific contact resistance between NiGe and p-type Ge (p-Ge) using a Tb interlayer. The specific contact resistance between NiGe and p-Ge was successfully decreased with the introduction of the Tb interlayer. To investigate the mechanism behind the reduction in the specific contact resistance, the elemental distribution and crystalline structure of NiGe were analyzed using secondary ion mass spectroscopy and X-ray diffraction. It is likely that the reduction in specific contact resistance was caused by an increase in the concentration of boron in the space between NiGe and p-Ge due to the influence of the Tb interlayer.
Objectives : Gastrodiae Rhizoma extract (GE) is possess the various bioactive compounds such as gastrodin, vanilyl alcool and p-hydroxybenzyl alcohol. Various processing methods such as steaming have been widely applied to ease ingestion and enhance the therapeutic effects of plant materials including GE in East-Asia area. The aim of this study was to evaluate the dermal bioactive properties of GE. Methods : First, total phenol, total flavonoid, gastrodin and ergothionein contents of GE were measured. In order to evaluate the dermal bioactive properties of steamed GE compared with not-steamed GE, tyrosinase, collagenase and elastase inhibitory activity were tested. Furthermore, the anti-oxidant activity of GE assessed based on DPPH and ABTS radical scavenging assay. Results : In results, total phenol and total flavonoid contents were increased when 9 times steamed compared to not-steamed GE. Also, GE increased gastrodin contents, in proportion to the number of steaming times and ergothioneine content was abolished in the steaming state. The DPPH radical scavenging activity of GE increased by steaming, but the ABTS radical scavenging activity was not related to the steaming process. In addition, the tyrosinase inhibitory activity was increased as the number of steaming times of GE increased. Collagenase was most inhibited by 4 times steamed GE, and elastase was inhibited by 8 times steamed GE. Conclusion : In conclusion, these results suggest that steamed GE extract has the potential as a cosmetic material which possess anti-oxidant and whitening activities than not steamed GE.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.4
no.2
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pp.16-21
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1967
This report describes actual fabrication mehod of Li drifted Ge detector. The gamma-ray spectrum from Cl(n, r) reaction measured by this Li drifted Ge detector are also shown. Energy resolution(FWHM) of this Li drifted Ge detector is 4.5KeV at the 122KeV( ), and 10KeV a the 1333KeV( ) respectively.
Kim, Hoon;Song, Ki-Yun;Jeong, Jae-Hyun;Jeong, Heon-Sang;Lee, Hyeon-Yong;Yu, Kwang-Won
Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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v.40
no.1
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pp.20-28
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2011
Crude polysaccharide (CP) was fractionated from the submerged culture (containing both mycelia and culture broth, SC) with Phellinus linteus (PL) in mushroom complete medium (MCM) supplemented with ginseng extract ($65^{\circ}$Bx, GE) to enhance the immune activity. PL-GE-15-CP from SC cultivated in MCM supplemented with GE-15% (v/v, a ratio of MCM volume to GE) showed significantly higher macrophage stimulation (1.45 fold of the saline control at $100{\mu}g$/mL) than PL-GE-5 and 10-CP with GE-5 and 10%, or PL-CP from SC without GE. The potent intestinal immune system modulating activity through Peyer's patch was also obtained by PL-GE-15-CP (1.46 fold). When PL-GE-15-CP further fractionated on DEAE-Sepharose CL-6B (Cl- form), PL-GE-15-CP-II was the significantly higher than others from PL-GE-15-CP or PL-CP on macrophage stimulation, interleukin (IL)-12 production and intestinal immune system modulation (1.54, 3.96 and 1.56 fold, respectively). PL-GE-15-CP-II also had higher anti-metastatic activity against colon 26-M3.1 carcinoma cell (57.3% inhibition of tumor control, $200{\mu}g$/mouse) rather than PL-CP-II. This active fraction (PL-GE-15-CP-II) mainly contained neutral sugar (82.45%) and uronic acid (12.99%), and component sugar analysis showed that PL-GE-15-CP-II consisted mainly of uronic acid, Ara, Man, Gal and Glc (molar ratio of 0.52:0.97:0.63:1.00:0.54). Furthermore, the activity of GE culture was higher compared with culture without GE, indicating that GE helped to enhance the immune activity of P. linteus; also, it is assumed that the polysaccharide plays an important role in immune enhancement.
Magnetic phases of polycrystalline $Ge_{1-x}Mn_x$ thin films were studied. The $Ge_{1-x}Mn_x$ thin films were grown at $400^{\circ}C$ by using a molecular beam epitaxy. The $Ge_{1-x}Mn_x$thin films were p-type and electrical resistivities were $4.0{\times}10^{-2}{\sim}1.5{\times}10^{-4}ohm-cm$. Based on the analysis of magnetic characteristics and microstructures, it was concluded that the ferromagnetic phase formed on the $Ge_{1-x}Mn_x/SiO_2$/Si(100) thin films was $Ge_3Mn_5$ phase which has about 310 K of Curie temperature. Moreover, the $Ge_{1-x}Mn_x$ thin film which had $Ge_3Mn_5$ phase showed the negative magnetoresistance to be about 9% at 20 K when the magnetic field of 9 T was applied.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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