• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.44-48
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• 2008

Hole mobility characteristics of two representative biaxially strained SiGe/Si structures with high Ge contents are studied, They are single channel ($Si/Si_{1-x}Ge_x/Si$ substrate) and dual channel ($Si/Si_{1-y}Ge_y/Si_{1-x}Ge_x/Si$ substrate), where the former consists of a relaxed SiGe buffer layer with 60 % Ge content and a tensile-strained Si layer on top, and for the latter, a compressively strained SiGe layer is inserted between two layers, Owing to the hole mobility performance between a relaxed SiGe film and a compressive-strained SiGe film in the single channel and the dual channel, the hole mobility behaviors of two structures with respect to the Si cap layer thickness shows the opposite trend, Hole mobility increases with thicker Si cap layer for single channel structure, whereas it decreases with thicker Si cap layer for dual channel. This hole mobility characteristics could be easily explained by a simple capacitance model.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
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• pp.449-452
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• 1998

We have studied the oxidatio nrte of $Si_{1-x}Ge_{x}$ epitaxial layer grown by MBE(molecular beam epitaxy). Oxidation were performed at 700.deg. C, 800.deg. C, 900.deg. C, and 1000.deg. C. After the oxidation, the results of AES(auger electron spectroscopy) showed that Ge was completely rejected out of the oxide and pile up at $SiO_{2}/$Si_{1-x}Ge_{x}$ interface. It is shown that the presence of Ge at the $SiO_{2}$/$Si_{1-x}Ge_{x}$ interface changes the dry oxidation rate. The dry oxidation rate was equal to that of pure Si regardless of Ge mole fraction at 700.deg. C and 800.deg.C, while it was decreased at both 900.deg. C and 1000.deg.C as the Ge mole fraction was increased. The ry oxidation rates were reduced for heavy Ge concentration, and large oxidation time. In the parabolic growth region of $Si_{1-x}Ge_{x}$ oxidation, The parabolic rate constant are decreased due to the presence of Ge-rich layer. After the longer oxidation at the 1000.deg.C, AES showed that Ge peak distribution at the $SiO_{2}$/$Si_{1-x}Ge_{x}$ interface reduced by interdiffusion of silicon and germanium.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권12호
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• pp.1080-1086
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• 2005

We have studied the Ge redistribution after dry oxidation and the oxide growth rate of $Si_{1-x}Ge_x$ epitaxial layer. Oxidation were performed at 700, 800, 900, and $1,000\;^{\circ}C$. After the oxidation, the results of RBS (Rutherford Back Scattering) & AES(Auger Electron Spectroscopy) showed that Ge was completely rejected out of the oxide and pile up at $Si_{1-x}Ge_x$ interface. It is shown that the presence of Ge at the $Si_{1-x}Ge_x$ interface changes the dry oxidation rate. The dry oxidation rate was equal to that of pure Si regardless of Ge mole fraction at 700 and 800$^{\circ}C$, while it was decreased at both 900 and $1,000^{\circ}C$ as the Ge mole fraction was increased. The dry of idation rates were reduced for heavy Ge concentration, and large oxiidation time. In the parabolic growth region of $Si_{1-x}Ge_x$ oxidation, the parabolic rate constant are decreased due to the presence of Ge-rich layer. After the longer oxidation at the $1,000^{\circ}C$, AES showed that Ge peak distribution at the $Si_{1-x}Ge_x$ interface reduced by interdiffusion of silicon and germanium.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제1권3호
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• pp.251-260
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• 1988

n형 GaAs에 음성접촉을 형성함에 있어서 Au-Ge 공융합금을 용해시키는 alloying 보다는 sintering을 필요로 하는 Su-Pd-Ge계의 새로운 융성접촉을 도입하였다. Au-Pd-Ge계의 최적의 음성조건을 조사하기 위하여 Au/Pd/Ge, Au/Ge/Pd, Au/Pd/Ge/Pd 그리고 Au/Pd/Au/Ge 음성접촉을 제조하였다. 비접촉저항을 조사하는데 있어서 sintering 온도는 390-450.deg.C사이였고 시간은 30초에서 6분 사이였다. Au-Pd-Ge계의 비접촉저항은 alloying된 Au/Pd/Ge 접촉의 그것에 필적할 만큼 낮았으며 특히 Au/Ge/Pd 접촉은 430.deg.C, 3분의 sintering 조건에서 가장 낮은 1.2*$10^{-6}$.OMEGA..$cm^{2}$의 비접촉저항을 나타냈다. Au/Ge/Pd 접촉의 표면형상 및 접촉패턴 가장자리는 450.deg.C에서 2분 이상 sintering된 접촉을 제외하고는 sintering 후에 as-deposited 상태와 다를 바가 없었다. 430.deg.C, 3분 sintering에서 가장 낮은 비접촉저항을 나타낸 Au/Ge/Pd 접촉의 비접촉저항은 430.deg.C에서 Ge/Pd 두께 변화에 비교적 변화가 적었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.411-414
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• 2008

The germanium films were deposited by metal organic chemical vapor deposition using $Ge(allyl)_4$ precursors on TiAlN substrates. Deposition of germanium films was only possible with a presence of $Sb(iPr)_3$, which means that $Sb(iPr)_3$ takes a catalytic role by a thermal decomposition of $Sb(iPr)_3$ for Ge film deposition. Also, as Sb bubbler temperature increases, deposition rate of the Ge films increases at a substrate temperature of $370^{\circ}C$. The GeTe thin films were fabricated by MOCVD with $Te(tBu)_2$ on Ge thin film. The GeTe films were grown by the tellurium deposition at $230-250^{\circ}C$ on Ge films deposited on TiAlN electrode in the presence of Sb at $370^{\circ}C$. The GeTe film growth on Ge films depends on the both the tellurium deposition temperature and deposition time. Also, using $Sb(iPr)_3$ precursor, GeSbTe films with hexagonal structures were fabricated on GeTe thin films. GeSbTe films were deposited in trench structure with 200 nm*120 nm small size.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.60-60
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• 2003

디자인 룰에 의해 Gate Length 가 100nm 이하로 줄어듦에 따라 Gate delay 감소와 Switch speed 향상을 위해 보다 더 큰 drive current 를 요구하게 되었다. 본 연구는 dirve current 를 증가시키기 위해 고안된 Strained Si substrate 를 만들기 위한 SiGe layer 성장에 관한 연구이다. SiGe layer를 성장시킬 때 SiH$_4$ gas와 GeH$_4$ gas를 furnace에 flow시켜 Chemical 반응에 의해 Si Substrate를 성장시키는 LPCVD(low pressure chemical vapor depositio)법을 사용하였고 SIMS와 nanospec을 이용하여 박막 두께 및 Ge concentration을 측정하였고, AFM으로 surface의 roughness를 측정하였다. 본 연구에서 우리는 10,20,30,40%의 Ge concentration을 갖는 10nm 이하의 SiGe layer를 얻기 위하여 l0nm 이하의 fixed 된 두께로 SiGe layer를 성장시킬 때 temperature, GeH$_4$ gas pre-flow, SiH$_4$ 와 GeH$_4$의 gas ratio를 변화시켜 성장시킨 후 Ge 의 concentration과 실제 형성된 두께를 측정하였고, SiGe의 mole fraction의 변화에 따른 surface의 roughness 를 측정하였다. 그 결과 10 nm의 두께에서 temperature, GeH$_4$ gas pre-flow, SiH$_4$ 와 GeH$_4$ 의 gas ratio의 변화와 Ge concentration 과의 의존성을 확인 할 수 있었고, SiGe 의 mole traction이 증가하였을 때 surfcace의 roughness 가 증가함을 알 수 있었다. 이 연구 결과는 strained Si 가 가지고 있는 strained Si 내에서 n-FET 와 P-FET사이의 불균형에 대한 해결과 좀 더 발전된 형태인 fully Depleted Strained Si 제작에 기여할 것으로 보인다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권5호
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• pp.432-437
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• 2000

Thermoelectric properties of p-type SiGe alloys prepared by a RF inductive furnace were investigated. Non-doped Si80Ge20 alloys were fabricated by control of the quantity of volatile Ge. The carrier of p-type SiGe alloy was controlled by B-doping. B doped p-type SiGe alloys were synthesized by melting the mixture of Ge and Si containing B. The effects of sintering/annealing conditions and compaction pressure on thermoelectric properties (electrical conductivity and Seebeck coefficient) were investigated. For nondoped SiGe alloys, electrical conductivity increased with increasing temperatures and Seebeck coefficient was measured negative showing a typical n-type semiconductivity. On the other hand, B-doped SiGe alloys exhibited positive Seebeck coefficient and their electrical conductivity decreased with increasing temperatures. Thermoelectric properties were more sensitive to compaction pressure than annealing time. The highest power factor obtained in this work was 8.89${\times}$10-6J/cm$.$K2$.$s for 1 at% B-doped SiGe alloy.

• 한국광학회지
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• 제10권4호
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• pp.306-310
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• 1999

Sb가 $\delta$도핑된 Si(110)/SiGe 다중 양자 우물 구조에서 에너지 부준위간 전자 천이에 의한 적외선 흡수 현상을 관찰하였다. Si(110)/SiGe 다중 양자 우물 구조에서는 Si(001)이나 GaAs에서는 불가능한, 수직 입사광에 의한 전자 천이가 가능하다. SiGe 층의 Ge 구성비가 증가하면 적외선 흡수 강도는 감소하고 천이 에너지 증가하는 현상을 보여 Ge 구성비가 흡수 스펙트럼에 큰 영향을 미침을 확인하고 그 원인을 분석하였다. 또한 수직 입사광과 수평 입사광은 서로 다른 과정을 통해 흡수되는데 편광각과 입사각을 변화시킨 실험값과 계산값의 비교를 통해 이를 확인할 수 있었다.

• 한국약용작물학회지
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• 제4권2호
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• pp.101-108
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• 1996

강활의 캘러스 및 식물체 중 Ge 함량에 미치는 $GeO_2$와 구연산의 영향을 구명하기 위하여 식물체 부위별로 캘러스를 유도하고 캘러스 증식시 $GeO_2$와 구연산을 농도별로 처리하여 증식율 및 캘러스의 Ge 함량을 조사하였으며 강활을 pot에 재배하여 $GeO_2$와 구연산을 농도별로 시용하여 식물체 중의 Ge 함량을 조사한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 캘러스 유도는 소엽병 > 엽병 > 소엽 순으로 잘 되었고, 생장 조절제는 2, 4 - D 1. 0ppm에서 가장 잘되었다. 2. 캘러스 증식에는 2, 4 - D 농도별로는 2, 4 - D 2. 0ppm에서, 2, 4 - D 2. 0ppm이 첨가된 배지에서 $GeO_2$ 농도별로는 $GeO_2$ 2. 5ppm에서 2, 4 - D 2. 0ppm과 $GeO_2$ 2. 5ppm 첨가한 배지에서 구연산 농도와 pH별로는 구연산 0. 1, 1mM, pH 6에서 캘러스 증식이 가장 좋았다. 3. 캘러스 중 Ge 함량은 $GeO_2$ 시용량이 20ppm까지는 많을수록 높았고, 구연산과 pH 별로는 구연산은 0. 1mM, pH는 낮을수록 Ge 함량이 높았다. 4. 식물체 부위별 Ge 함량은 잎 > 뿌리 > 줄기 순으로 함량이 높았으며, $GeO_2$ 시용으로 Ge 함량이 높았고, 구연산 시용은 구연산 1mM에서 Ge 함량(含量)이 가장 높았고, 10mM 이상에서는 오히려 감소되었다. 5. $GeO_2$ 시용량 증가는 캘러스나 식물체 중 $GeO_2$ 함량을 증가시키나 기타 무기성분 함량은 감소되는 경향이었고 구연산 $0.\;1{\sim}1mM$ 시용으로 약간 증가되는 경향이다.

• 한국토양비료학회지
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• 제43권2호
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• pp.166-173
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• 2010

게르마늄 토양처리시 게르마늄 종류가 벼의 생육특성 및 부위별 게르마늄 흡수에 미치는 영향을 조사하기 위해 무기게르마늄 ($GeO_2$)과 수도작용 액상게르마늄으로 시비를 달리하여 게르마늄 종류에 따른 벼의 생육특성, 게르마늄 종류에 따른 부위별 게르마늄 흡수 특성을 각각 조사한 결과 수도작용 액상게르마늄 처리구와 무처리구의 경우 벼에 게르마늄에 의한 독성이 거의 나타나지 않은 반면에 $GeO_2$ 처리구에서는 일부 벼에서 게르마늄의 독성이 나타났다. 게르마늄 종류에 따른 잎의 게르마늄 흡수량은 $GeO_2$ 처리구에서 평균 177.0 ${\mu}g\;m^{-2}$로 수도작용 액상게르마늄 처리구보다 약 6배 높았으나, 줄기와 뿌리의 게르마늄 흡수량은 게르마늄 종류에 따라 전반적으로 큰 차이는 없었다. 게르마늄 종류에 따른 쌀겨 중 게르마늄 함량은 $GeO_2$ 처리구 및 수도작용 액상 게르마늄 처리구 모두 별 차이 없이 비슷한 경향이었고, 현미 중 게르마늄 함량은 $GeO_2$ 처리구에서 평균 40.9 mg $kg^{-1}$으로 수도작용 액상게르마늄 처리구의 평균 31.1 mg $kg^{-1}$보다 유의성 있게 높았다. 하지만 백미 중 게르마늄 함량은 $GeO_2$ 처리구에서 평균 7.9 mg $kg^{-1}$으로 수도작용 액상게르마늄 처리구의 평균 14.3 mg $kg^{-1}$보다 유의성 있게 낮았다. 게르마늄 종류에 따른 벼 부위별 게르마늄 흡수율은 전반적으로 잎 > 쌀겨 > 현미(백미) > 줄기 > 뿌리 순으로 잎에서 가장 높았다. 쌀의 미질은 전반적으로 게르마늄 종류에 따라 별 차이 없었으나 무처리구에 비해 약간 낮은 경향을 나타내었다.