• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.889-892
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• 2009

We have developed a practical printing technology for the gate electrode of organic thin film transistors(OTFTs) by combining screen-printing with wet-etching process using nano-silver ink as a conducting material. The screen-printed and wet-etched Ag electrode exhibited a minimum line width of ~5 um, the thickness of ~65 nm, and a resistivity of ${\sim}10^{-6}{\Omega}{\cdot}cm$, producing good geometrical and electrical characteristics for gate electrode. The OTFTs with the screen-printed and wet-etched Ag electrode produced the saturation mobility of $0.13cm^2$/Vs and current on/off ratio of $1.79{\times}10^6$, being comparable to those of OTFT with the thermally evaporated Al gate electrode.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
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• pp.616-618
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• 2016

TCAD 시뮬레이션을 이용하여 터널링 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET) 구조에 따른 특성을 조사하였다. Single-Gate TFET, Double-Gate TFET, Pocket TFET, L-shaped TFET 구조 중에서 Pocket TFET와 L-shaped TFET이 on-current와 subthreshold swing에서 가장 좋은 성능을 보였다. 본 논문은 터널링 전계효과 트랜지스터의 새로운 구조에 대한 가이드라인을 제시하고자 한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.869-875
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• 2017

본 연구에서는 TCAD 시뮬레이션을 이용하여 4가지 터널링 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistors; TFETs) 구조에 따른 특성을 조사하였다. 단일게이트 TFET(SG-TFET), 이중게이트 TFET(DG-TFET), L-shaped TFET(L-TFET), Pocket-TFET(P-TFET)의 4가지 TFET를 유전율과 채널 길이를 변화함에 따라서 드레인 전류-게이트전압 특성을 시뮬레이션해서 문턱전압이하 스윙(Subthreshold Swing; SS)과 구동 전류(On-current)면에서 비교하였다. 고유전율을 가지며 라인 터널링을 이용하는 L-TFET 구조와 P-TFET 구조가 포인트 터널링을 이용하는 SG-TFET와 DG-TFET보다 구동전류면에서 10배 이상 증가하였고, SS면에서 20 mV/dec이상 감소하였다. 특히, 고유전율을 가진 P-TFET의 주 전류 메카니즘이 포인트 터널링에서 라인터널링으로 변화하는 험프현상이 사라지면서 SS가 매우 향상되는 것을 보였다. 4가지 TFET 구조의 분석을 통해 포인트터널링을 줄이고 라인터널링을 강조하는 새로운 TFET 구조의 가이드 라인을 제시한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권8호
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• pp.687-694
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• 2008

This paper is focused on the improvement of MOS device reliability related to deuterium process. The injection of deuterium into the gate oxide film was achieved through two kind of method, high-pressure annealing and low-energy implantation at the back-end of line, for the purpose of the passivation of dangling bonds at $SiO_2/Si$ interface. Experimental results are presented for the degradation of 3-nm-thick gate oxide ($SiO_2$) under both negative-bias temperature instability (NBTI) and hot-carrier injection (HCI) stresses using P and NMOSFETs. Annealing process was rather difficult to control the concentration of deuterium. Because when the concentration of deuterium is redundant in gate oxide excess traps are generated and degrades the performance, we found annealing process did not show the improved characteristics in device reliability, compared to conventional process. However, deuterium ion implantation at the back-end process was effective method for the fabrication of the deuterated gate oxide. Device parameter variations under the electrical stresses depend on the deuterium concentration and are improved by low-energy deuterium implantation, compared to conventional process. Our result suggests the novel method to incorporate deuterium in the MOS structure for the reliability.

• 한국유체기계학회 논문집
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• 제10권5호
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• pp.20-26
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• 2007

Some gate valves are susceptible to pressure locking and thermal binding which prevent the safety function. The safety related gate valves susceptible to pressure locking and thermal binding shall be identified and taken preventive actions to ensure the safety function. The identification of the gate valves susceptible to pressure locking and thermal binding needs the evaluation of system design, valve and piping arrangement, test requirements, and operating conditions. Application of preventive methods should consider the system safety function, applicability, effectiveness, interface with system design, and cost. The selection procedure of valves susceptible to pressure locking and thermal binding can be effectively used in industry including nuclear power plants. In order to prevent the pressure locking, the hole can be drilled through the one disc of upstream side or down stream and the external equalizing line can be installed from bonnet to downstream or upstream. The double disc parallel seat valve type can be used instead of flexible wedge gate valve to prevent the thermal binding. The identification of gate valves susceptible to pressure locking and thermal binding, and preventive actions will meet the regulatory requirements and enhance the availability and safety of plants.

• 전기전자학회논문지
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• 제27권3호
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• pp.308-312
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• 2023

게이트 전류 감지 구조는 LDO 레귤레이터가 오버슈트 또는 언더슈트 상황 발생 시 출력전압의 레귤레이션을 보다 효과적으로 제어하기 위해 제안되었다. 기존의 전형적인 LDO 레귤레이터는 부하전류가 변화할 때 레귤레이션 전압 변화가 발생한다. 하지만 게이트 전류 감지 구조를 이용하여 패스 트랜지스터에 있는 게이트 단자 전류를 공급/방전 함으로 인해 패스 트랜지스터의 동작 속도를 더욱 향상시킬 수 있다. 게이트 전류 감지 구조를 이용한 LDO 레귤레이터의 입력전압은 3.3 V ~ 4.5 V 이며 출력 전압은 3 V이고 부하 전류는 최대 250 mA의 값을 갖는다. 시뮬레이션 결과, 부하 전류가 250 mA 까지 변화할 때 약 9 mV의 전압 변화 값을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권11호
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• pp.1-8
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• 2000

본 논문에서는 인터커넥트 라인을 구동하는 CMOS소자의 게이트 폭의 변화에 따라 소자 및 인터커넥트라인에 의한 RC 지연시간이 어떤 특성을 보이는지에 대하여 분석하였다. 인터커넥트 라인의 캐패시턴스 성분만이 주로 나타나는 구조에서는 MOSFET의 크기가 커질수록 전체 지연시간이 감소하는 특성을 보였다. 반면에 인터커넥트 라인의 저항 및 캐패시턴스 성분이 대등하게 지연시간에 영향을 미치는 구조에서는 전체회로의 지연시간이 최소가 되는 MOSFET 크기가 존재함을 수식적으로 제안하고 실험치와 비교하여 잘맞음을 증명하였다.

• 한국공작기계학회논문집
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• 제15권4호
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• pp.1-7
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• 2006

Injection molding is a very important industrial process for the manufacturing of plastics objects. During an injection molding process of composites, the fiber-matrix separation and fiber orientation are caused by the flow of molten polymer/fiber mixture. As a result, the product tends to be nonhomogeneous and anisotropic. Hence, it is very important to clarify the relations between separation orientation and injection molding conditions. So far, there is no research on the measurement of fiber orientation using image processing. In this study, the effects of fiber content ratio and molding condition on the fiber orientation-angle distributions are studied experimentally. Using the image processing method, the fiber orientation distribution of weld-line in injection-molded products is assessed. And the effects of fiber content and injection mold-gate conditions on the fiber orientation are also discussed.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제2C권6호
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• pp.304-308
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• 2002

We demonstrate a simple pulsed $CO_2$ laser with millisecond long pulse duration in a tube at a low pressure of less than 30 Torr. The novel power supply for our laser system switches the voltage of the AC power line (60Hz) directly. The power supply doesn't need elements such as a rectifier bridge, energy-storage capacitors, or a current-limiting resistor in the discharge circuit. To control the laser output power, the pulse repetition rate is adjusted up to 60Hz and the firing angle of SCR(Silicon Controlled Rectifier) gate is varied from 30。 to 150。. A ZCS (Zero Crossing Switch) circuit and a PIC one-chip microprocessor are used to control precisely the gate signal of the SCR. The maximum laser output of 35 W is obtained at a total pressure of 18 Torr, a pulse repetition rate of 60 Hz, and a SCR gate firing angle of 90。 . In addition, the resulting laser pulse width is approximately 3㎳(FWHM). This is a relatively long pulse width, compared with other repetitively pulsed $CO_2$ lasers.

• 정보처리학회논문지D
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• 제9D권1호
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• pp.145-152
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• 2002

현재 대부분의 가정이나 소규모 기업에서는 인터넷 서비스를 이용하기 위하여 ADSL(Asymmetric Digital Subscriber Line)나 케이블모뎀을 사용한다. 4바이트로 구성되는 현재의 인터넷 IP 주소체계(IPv4)에서는 할당 가능한 IP 주소가 부족하여, 동적으로 공인(Public) IP 주소를 할당하는 방식을 사용하고 있다. 이러한 동적인 IP 주소를 할당받는 시스템은 모든 인터넷 서비스를 이용하는 데에는 아무런 제약이 없지만, 자신이 각종 인터넷 서버 기능을 수행하는 데는 많은 문제점이 있다. 본 논문에서는 동적으로 변하는 IP 주소를 가진 시스템에서 인터넷 서버 서비스(Telnet, FTP, HTTP, Mail 등)가 가능하도록 하는 게이트웨이(Gate-D)를 설계하였으며, 실험적으로 Gate-D를 이용한 Telnet 서버의 구축을 통하여 유용성을 확인하였다.