한국정보통신학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference)
- 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
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- Pages.616-618
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- 2016
터널링 전계효과 트랜지스터 구조 특성 비교
Comparative Investigation on Tunnel Field Effect transistors(TFETs) Structure
- Shim, Un-Seong (Hankyong National University) ;
- Ahn, Tae-Jun (Hankyong National University) ;
- Yu, Yun Seop (Hankyong National University)
- 발행 : 2016.10.27
초록
TCAD 시뮬레이션을 이용하여 터널링 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET) 구조에 따른 특성을 조사하였다. Single-Gate TFET, Double-Gate TFET, Pocket TFET, L-shaped TFET 구조 중에서 Pocket TFET와 L-shaped TFET이 on-current와 subthreshold swing에서 가장 좋은 성능을 보였다. 본 논문은 터널링 전계효과 트랜지스터의 새로운 구조에 대한 가이드라인을 제시하고자 한다.
Four types of structure of tunnel field-effect transistors (TFETs) have been investigated by TCAD simulation. Pocket and L-shaped TFETs are better performance than single-gate and double-gate TFETs in terms of on-current and subthreshold swing. New guideline of TFETs is presented for the structure design.