$Al_2O_3$ 절연막을 게이트 절연막으로 이용한 공핍형 n-채널 GaAs MOSFET의 제조
(Fabrication of a Depletion mode n-channel GaAs MOSFET using $Al_2O_3$ as a gate insulator)
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- 대한전자공학회논문지SD
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- 제37권1호
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- pp.1-7
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- 2000