본 연구는 이온질화시 self-sputtering에 의한 AISI D2 소재의 표면경화에 대한 연구를 진행하였다. 이를 위해 이온질화시 질소가스와 아르곤 가스를 이용해 이온질화를 수행하였다. 이에 대한 결과는 optical micrograph (OM), scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction(XRD), transmission electron microscopy (TEM)를 이용해 분석하였다. 실험결과, 소재의 경도는 570 HV에서 약 1470 HV까지 상승하였다. 극표면에 CrN-enriched layer의 형성 및 극표면 아래층에서 질소의 과포된 화합물층을 관찰할 수 있었다. 표면경화는, 극표면에 CrN-enriched layer의 형성과, 아래 N의 과포화에 의한 ${\gamma}$?autenite) phase, 그리고 diffusion layer의 형성에 의한 multi-layer의 형성으로 표면에 강화에 기여한것으로 사료된다.
In this paper, as a part of the method improving stability, the load-flow calculation in D.C. power system and the models for stability analysis are studied with A.C-D.C. interconnected power systems transmission performed. Moreover, the theory is established in relation to each control method of D.C. power systems. Then the stability of A.C-D.C.interconnected power systems is compared and considered by the way of dividing the operating control method of the rectifier inverter converter into ACR-AVR, APR-A.gamma.R, A.alpha.R-ACR. The dynamics characteristic of terminal voltage, frequency, active-reactive power and rotor angle of the generator with disturbances and load fluctuations is considered. In addition, the characteristic of direct voltage, direct current, power and control systems. From this the comparative analysis of the direct current control method, the possibility of the stability analysis of A.C.-D.C. interconnected power system is considered. (author). refs., figs., tabs.
In this study, we report a method to synthesize the aluminum nitride (AlN) powders from aluminum oxyhydroxide (AlOOH). AlOOH powders were prepared from the aluminum hydroxide ($Al(OH)_3$) by heattreatment at the reaction temperature of $350^{\circ}C$. Simple heat treatment of AlOOH in the flow of $NH_3$ gas leads to the formation of hexagonal AlN powders through intermediate conversion of ${\delta}-,\;{\gamma}-$ and ${\alpha}-Al_2O_3$. The FTIR transmission spectra show a broad peak related to Al-N bonds centered around 690 $cm^{-1}$ confirming the presence of AlN. The major peaks in Raman spectra were observed in 250 $cm^{-1}$ and 659 $cm^{-1}$. From the results, synthesized powders from the AlOOH powders were confirmed AlN powders.
The morphology and composition of anodic films, formed on aluminium at various current densities, in the range 1-$100{\;}Am^{-2}$, in the molten bisulphate melt at different temperatures (418-498K), have been studied using transmission electron microscopy of ultramicrotomed film sections, and ion beam thinned films. From the structural analysis of the electron diffraction patterns taken from the ultramicrotomed sections and ion beam thinned films, it can be concluded that the crystal modification process from ${\gamma}-Al_2O_3{\;}to{\;}{\alpha}-Al_2O_3$ proceeds in the following steps : (equation omitted)
Multiblock copolymers consisting of poly( g-benzyl L-glutamate) (PBLG) as the hydrophobic part and poly(ethylene oxide) (PEO) as the hydrophilic part (GEG) were synthesized and characterized. GEG polymeric micelles were prepared by the dialysis technique. Particle size distributions based on intensity,volume, and number-average were 22.6 $\pm$ 11.9 nm, 23.5 $\pm$ 4.6 nm, and 23.7 $\pm$ 37 nm, respectively. It was observed that par-ticle size and size distribution of GEG polymeric micelles changed significantly with the choice of initial sol-vent. Transmission electron micrographs (TEM) showed the polymeric micelles to be spherically shaped, with sizes ranging from 20 nm to 40 nm in diameter. Fluorescence spectroscopy measurements suggested that GEG block copolymers wereassociated in water to form polymeric micelles, and the critical micelle concentrations (CMC) value of the block copolymers was 0.0094 g/L. Further evidenceof micelle formation of GEG block copolymers and limited mobility of the PBLG chain in the core ohe micelle was obtained with 1 H NMR in D2O.
목 적 : 다발성 뇌 전이의 방사선치료 시 jaw tracking(JT)과 fixed jawFJ)를 이용한 용적세기조절회전치료(Volumetric Modulated Arc Therapy, VMAT)를 비교하고 유용성을 평가하고자 한다. 대상 및 방법 : JT를 이용하여 치료받은 다발성 뇌 전이(Multiple Brain Metastasis) 환자 중 6개 이상의 종양이 있고 조사면 크기가 $14{\times}14cm^2$ 이상인 환자 10명을 대상으로 하였다. Eclipse(Ver 13.6 Varian, USA)로 JT와 FJ의 전산화치료계획을 각각 수립하였으며, 전자포털영상장치(Electronic Portal Imaging Device, EPID)를 이용하여 감마지수(Gamma Index, 3 mm, 3 %, 95 % 신뢰구간) 및 최대선량차이(Max. Dose Difference)를 측정하였다. 또한 손상위험장기(Organ At Risk, OAR)의 $D_{max}$ 및 $D_{mean}$을 산출하고 비교하였으며 처방선량지수(Conformity Index, CI), 선량균질지수(Homogeneity Index, HI)를 평가하였다. 결 과 : JT와 FJ의 측정값을 평가한 감마지수는 모든 Case에서 허용 기준(3 mm, 3 %, 95 % 신뢰구간)에 충족하였으며, 최대선량차이값은 Leaf End Transmission이 발생하는 영역에서 시계방향(Clockwise, CW)은 최대 98.4 %, 평균 43.6 %, 반시계방향(Counter-Clockwise, CCW)은 최대 67.9 %, 평균 41.0 %로 측정되었다. 손상위험장기는 JT를 사용하였을 때 각 정상장기에 대한 $D_{max}$의 최대값은 15.36 %~74.59 %, 평균값은 2.84 %~39.80 % 감소, $D_{mean}$의 최대값은 27.90 %~65.23 %, 평균값은 7.70 %~41.71 %로 감소하였으며, 처방선량지수와 선량균질지수값은 차이가 없었다. 결 론 : 다발성 뇌 전이에서 VMAT으로 치료할 경우 JT를 이용하면 치료계획용적(Planning Target Volume, PTV)의 선량분포에 영향을 미치지 않으면서 불특정 영역에서 발생하는 방사선의 누설 및 투과로 인한 불필요한 피폭을 감소시키고 정상장기에 더 낮은 선량으로 방사선치료가 가능할 것으로 사료된다.
각 의료기관 내 방사선 관련 종사자나 방사선 치료환자들은 진단 및 치료 시 필연적으로 의료상 피폭을 수반하게 된다. 국제방사선방호위원회(ICRP) 권고나 국제원자력기구(IAEA)의 기준에 따라 기준선량 제약치를 적용 및 권고 받고 있지만 1차 피폭대상자인 종사자나 환자들의 피폭최적관리를 위해서는 잠재적인 피폭대상자들에게 기존의 피폭관리 시스템보다 직접적이고 가용성이 높은 측정 및 분석 방법이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 기존에 구비된 휴대용 단말과 연동하여 원거리에서 실시간으로 방사선 모니터링이 가능한 시스템을 개발하였다. 모니터링 시스템은 검출부, 영상부, 통신부 세 부분으로 구성되었다. 검출부는 시스템의 소형화를 위해 실리콘 광증배소자(silicon photomultiplier) 기반 섬광검출기를 설계하였으며, 영상부는 무선 CCD (charge-coupled device)카메라 모듈을 사용하여 검출부와 함께 Bluetooth 통신모듈을 통해 휴대용 단말로 측정된 방사선 정보와 영상이 전송된다. 제작된 시스템은 성능 평가를 위해 진단용 X-ray 발생장치와 $^{137}Cs$, $^{22}Na$, $^{60}Co$, $^{204}Tl$, $^{90}Sr$ 선원을 사용하였다. 측정결과를 통해 개발된 시스템은 gamma, beta, X-ray에 대해서 검출 반응성을 확인하였고, 방사선 세기에 따른 응답 선형성과 MCNPX 전산코드를 이용한 측정 거리에 따른 시스템의 검출 정확도 평가 시 3% 내외의 오차범위를 확인하였다. 본 연구의 결과는 방사선 검출 시스템 구성의 비용절감 효과와 개인피폭정도관리에 기여할 것으로 기대한다.
Atmospheric pressure microwave induced plasmas are used to excite and ionize chemical species for elemental analysis, for plasma reforming, and for plasma surface treatment. Microwave plasma differs significantly from other plasmas and has several interesting properties. For example, the electron density is higher in microwave plasma than in radio-frequency (RF) or direct current (DC) plasma. Several types of radical species with high density are generated under high electron density, so the reactivity of microwave plasma is expected to be very high [1]. Therefore, useful applications of atmospheric pressure microwave plasmas are expected. The surface characteristics of SUS304 stainless steel are investigated before and after surface modification by microwave plasma under atmospheric pressure conditions. The plasma device was operated by power sources with microwave frequency. We used a device based on a coaxial transmission line resonator (CTLR). The atmospheric pressure plasma jet (APPJ) in the case of microwave frequency (880 MHz) used Ar as plasma gas [2]. Typical microwave Pw was 3-10 W. To determine the optimal processing conditions, the surface treatment experiments were performed using various values of Pw (3-10 W), treatment time (5-120 s), and ratios of mixture gas (hydrogen peroxide). Torch-to-sample distance was fixed at the plasma edge point. Plasma treatment of a stainless steel plate significantly affected the wettability, contact angle (CA), and free energy (mJ/$m^2$) of the SUS304 surface. CA and ${\gamma}$ were analyzed. The optimal surface modification parameters to modify were a power of 10 W, a treatment time of 45 s, and a hydrogen peroxide content of 0.6 wt% [3]. Under these processing conditions, a CA of just $9.8^{\circ}$ was obtained. As CA decreased, wettability increased; i.e. the surface changed from hydrophobic to hydrophilic. From these results, 10 W power and 45 s treatment time are the best values to minimize CA and maximize ${\gamma}$.
In this paper, millimeter-wave monolithic integrated circuit (MIMIC) low noise amplifier (LNA) for V-band, which is applicable to 58 GHz, we designed and fabricated. We fabricated the module using the fabricated LNA chips. The V-band MIMIC LNA was fabricated using the high performance $0.1\;{\mu}\;m$${\Gamma}-gate$ pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT). The MIMIC LNA was designed using active and passive device library, which is composed $0.1\;{\mu}\;m$${\Gamma}-gate$ PHEMT and coplanar waveguide (CPW) technology. The designed V-band MIMIC LNA was fabricated using integrated unit processes of active and passive device. Also we fabricated CPW-to-waveguide fin-line transition of WR-15 type for module. The Transmission Line was fabricated using RT Duroid 5880 substrate. The measured results of V-band MIMIC LNA and Module are shown $S_{21}$ gain of 13.1 dB and 8.3 dB at 58 GHz, respectively. The fabricated LNA chip and Module in this work show a good noise figure of 3.6 dB and 5.6 dB at 58 GHz, respectively.
A study was made to examine the effects of postweld heat treatment(PWHT) on the toughness and microstructures in the weld heat affected zone(HAZ) of Cu-bearing HSLA-100 steel. The Gleeble thermal/mechanical simulator was used to simulate the weld HAZ. The details between toughness and PWHT of HAZ were studied by impact test, optical microscopy(O.M.), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy(TEM) and differential scanning calorimetry(DSC). The decrease of HAZ toughness in single thermal cycle comparing to base plate is ascribed to the coarsed-grain formed by heating to 1350.deg.C. The increase of HAZ toughness in double thermal cycle comparine to single thermal cycle is due to the fine ferrite(.alpha.) grain transformed from austenite(.gamma.)formed by heating to .alpha./.gamma. two phase region. Cu precipitated during aging for increasing the strength of base metal is dissolved during single thermal cycle to 1350.deg.C and is precipitated little on cooling and heating during subsequent weld thermal cycle. It precipitates by introducing PWHT. Thus, the decrease of toughness in triple thermal cycle of $T_{p1}$ = 1350.deg.C, $T_{p2}$ = 800.deg.C and $T_{p3}$ = 500.deg.C does not occur owing to the precipitation of Cu. The behaviors of Cu=precipitates in HAZ is similar to that in base plate. PWHT at 550.deg.C shows highest hardness and lowest toughness, whereas PWHT at 650.deg.C shows reasonable toughness, which improves the toughness of as-welded state.state.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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