• 대한화학회지
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• 제35권4호
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• pp.301-307
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• 1991

니트로벤젠 및 m-크실렌 용액내에서 1-요오드화프로판의 용해도를 8$^{\circ}$, 15$^{\circ}$및 25$^{\circ}C$에서 요오드화칼륨이 존재할 때와 존재하지 않을 때의 두 경우에 대하여 각각 측정하여 보았다. 요오드화칼륨이 존재하지 않을 때에 m-크실렌에서 1-요오드화프로판의 용해도가 니트로벤젠에서 보다 크다. 이것은 1-요오드화프로판과 m-크실렌의 상호작용이 니트로벤젠보다 더 강하다는 것을 나타낸다. 그리고 요오드화칼륨이 존재할 경우에는 용액내에서 1-요오드화프로판과 요오드화칼륨이 불안정한 착물이 생성된다. 이 착물을 여러 경우로 가정하여 계산하여 본 결과 1:1 착물일 때, 불안정 상수 K값이 비교적 일정한 값을 나타내었다. 그러므로 1:1 착물 n-C$_3H_7I{\cdot}GaI_3$가 형성됨을 알았으며, 이 착물은 용액내에서 다음 평형식에 의해서 이루어 진다고 본다. n-C$_3H_7I{\cdot}GaI_3{\rightleftharpoons}n-C_3H_7I+1/2Ga_2I_6$ 요오드화칼륨과 1-요오드화프로판의 착물의 불안정도를 이와 대응하는 요오드화메틸과 비교하여 보았다. 또한 이 착물의 해리에 대한 엔탈피, 자유에너지 및 엔트로피 변화도 산출하였다.

• ETRI Journal
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• 제34권6호
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• pp.966-969
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• 2012

From a practical viewpoint, the topic of electrical stability in oxide thin-film transistors (TFTs) has attracted strong interest from researchers. Positive bias stress and constant current stress tests on indium-gallium-zinc-oxide (IGZO)-TFTs have revealed that an IGZO-TFT with a larger Ga portion has stronger stability, which is closely related with the strong binding of O atoms, as determined from an X-ray photoelectron spectroscopy analysis.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회A
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• pp.518-520
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• 2007

Since all essential property of semiconductor materials are structure-sensitive, the understanding of the deformation mechanism and the deformed structure which can be formed in the nanometer-scale devices is very crucial. To investigate the deformation mechanism and the corresponding structures, nanometer-scale contact loading simulations are carried out using molecular dynamics in silicon and gallium-arsenide.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1988년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.56-59
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• 1988

Electron transport properties of gallium arsenide in an electric field are simulated the drift velocity, Mn.energy, electron occupation, mobility in the temperature range $77^{\circ}K-500^{\circ}K$ using a Monte Carlo Method. Therefore it can be used for a GaAs MESFET design.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.169.1-169.1
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• 2015

최근 디스플레이 기술은 급속도로 발전해 가고 있다. 디스플레이 산업의 눈부신 성장에 발맞추어 초고화질, 초고선명, 고속 구동 및 대형화 등을 포함하는 최신 기술의 디스플레이 구동이 필요하다. 이러한 요구사항을 만족하기 위해서는 각 픽셀에 영상정보를 기입하는 충전시간을 급격히 감소시켜야 하고 따라서 픽셀 트랜지스터(TFT)의 이동도는 급격히 증가해야 한다. 따라서 차세대 디스플레이 실현을 위해서 고이동도 특성을 구현 할 수 있는 신물질의 개발이 매우 중요하다. 현재 산화물박막트랜지스터는 차세대 디스플레이 실현을 위해 가장 주목받고 있으며, 실제로 산화물박막 트랜지스터의 핵심소재인 In-Ga-Zn-O(a-IGZO) 산화물의 경우 국내외에서 디스플레이에 적용되어 생산이 시작되고있다. 그러나 a-IGZO 산화물의 경우 이동도가 $5-10cm^2V{\cdot}s$ 수준이어서 향후 개발 되어질 초고해상도/고속구동 디스플레이 실현(이동도 $50cm^2V{\cdot}s$)에는 한계가 있다. 따라서 본 연구에서는 이를 해결 할 수 있는 'post-IGZO' 개발을 위해 In2O3에 Ga2O3를 조성별로 고용시켜 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성 및 TFT를 제작하여 특성 연구를 진행하였다. 조성은 In2O3에 Ga2O3를 7.5%~15% 도핑 하였으며, Sputtering을 이용하여 indium gallium oxide(IGO) 박막을 제작하였다. 박막은 상온 및 $300^{\circ}C$에서 증착 하였으며 증착 된 IGO 박막은 Ga=12.5% 까지는 In2O3에 Ga이 모두 고용되어 cubic In2O3 poly crystalline을 나타내는 것을 확인하였으며 Ga=15%에서 Gallium 관련 2차상이 확인되었다. Ga양이 변화함에 따라 박막의 전기적 특성이 조절 가능하였으며 이를 이용하여 IGO 박막을 30 nm 두께로 증착 하여 IGO 박막을 channel layer로 사용하는 bottom gate structured TFTs를 제작 하였다. IGO TFTs는 Ga=10%에서 on/off ratio ${\sim}10^8$, 그리고 field-effect mobility $84.8cm^2/V{\cdot}S$를 나타내며 초고화질, 초고선명 차세대 디스플레이 적용 가능성을 보여 준다.

• Tuberculosis and Respiratory Diseases
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• 제70권6호
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• pp.504-510
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• 2011

Background: $^{67}Ga$ scintigraphy has been used for years in sarcoidosis for diagnosis and to determine the extent of the disease. The present report is a study of various findings of $^{67}Ga$ scintigraphy in patients with sarcoidosis. Methods: Between 1998 and 2007, 16 patients (male：female, 6:10; age, $35.9{\pm}15.3$ years) with histologically proven sarcoidosis underwent clinical evaluation and $^{67}Ga$ scintigraphy. According to the site of involvement, they were divided into subtypes and analyzed. Results: Sixteen patients with sarcoidosis had involvement of various organs, including lymph nodes (13/16, 81.3%), lung (3/16, 18.8%), muscle (1/16, 6.3%), subcutaneous tissue (1/16, 6.3%), glands (1/16, 6.3%), and bone (1/16, 6.3%). Sites of involved lymph nodes were thorax (12/13, 92.3%), supraclavicular area (5/13, 38.5%), inguinal area (2/13, 15.4%), abdomen (2/13, 15.4%), and pelvis (1/13, 7.7%). Conclusion: Because sarcoidosis frequently involves multiple organs, $^{67}Ga$ scintigraphy is a useful method in for evaluating the whole body. Nuclear medicine physicians should be familiar with the various findings of gallium uptake in sarcoidosis.

• 대한소아치과학회지
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• 제25권2호
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• pp.323-334
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• 1998

The purpose of this study was to compare the microleakage of the amalgam and the gallium alloy when several lining materials were applied. The ANA 2000, high copper lathecut type amalgam(AM group) and Gallium Alloy GF II (GF group) were used. The fifty extracted sound molars were randomly assigned to AM group and GF group, and the buccal and lingual class V cavities with a size $3{\times}2{\times}2mm$ were prepared. The prepared cavities were randomly assigned to group 1 : no liner used control, group 2 : Copalite, group 3 : Panavia 21, group 4 : All-bond 2, and group 5 : Superbond C&B. After liner placement and amalgam filling, the specimens were stored in $37^{\circ}C$ normal saline for 24 hours and then thermocycled from $5^{\circ}C$ to $55^{\circ}C$ thousand times. The specimens were stored in the 1% methylene blue solution for 24 hours and sectioned and examined by stereomicroscope. The results obtained from this study can be summarized as follows : 1. In the GF group, microleakage values of group 2, 3, 4, 5 were significantly lower than that of group 1 (p<0.05). 2. In the AM group, microleakage values of group 3 and 4 were significantly lower than that of group 1 (p<0.05), but microleakage values of group 2 and 5 did not differ from that of group 1 (p>0.05). 3. The GF group was similar(group, 1 3, 4) or superior(group 2, 5) to the AM group in the aspect of the microleakage.

• 대한화학회지
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• 제29권1호
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• pp.9-14
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• 1985

니트로벤젠용액내에서의 i-브롬화프로필의 용해도를 10, 19, 25$^{\circ}C$에서 브롬화갈륨이 있을때와 없을때에 각각 측정하여 보았다. 브롬화갈륨이 존재할때에는 용액내에서 i-브롬화프로필과 브롬화갈륨의 1 : 1 complex, i-C$_3$H$_7Br{\cdot}GaBr_3$가 형성된다. 이 complex형성의 instability constant K는 다음식으로 계산된다. i-C$_3$H$_7Br{\cdot}GaBr_3$ ${\rightleftharpoons}$ i-C$_3$H$_7$Br + $\frac{1}{2}$$Ga_2Br_6$. 또한 이 complex의 해리에 대한 엔탈피, 자유에너지 및 엔트로피도 산출하였다. 따라서 브롬화갈륨과 각 브롬화알킬간의 complex형성의 안정도를 비교 검토한 결과 이들 브롬화알킬의 carboniumion의 안정도와 직접적인 관계가 있다고 본다.

• 센서학회지
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• 제31권6호
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• pp.423-427
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• 2022

A pressure sensor that mimics the sensing ability of human skin has emerged as high-profile technology because it shows remarkable applications in numerous fields such as robotics, human health monitoring, and artificial prosthetics. Whereas recent pressure sensors have achieved high sensitivity similar to that of human skin, they still show limited detection bandwidth. Moreover, once these e-skin are fabricated, their sensitivity and stiffness are fixed; therefore, they can be used for only limited applications. Our study proposes a new adaptive pressure sensor built with uniform gallium microdroplet-elastomer composite. Based on the phase transition of gallium microdroplets, the proposed sensor undergoes mode transformation, enabling it to have a higher sensitivity and wider detection bandwidth compared with those of human skin. In addition, we succeeded in extending a single adaptive pressure sensor to sensor arrays based on its high uniformity, reproducibility, and large-scale manufacturability. Finally, we designed an adaptive e-skin with the sensor array and demonstrated its applications on health monitoring tasks including blood pulse and body weight measurements.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제37권4호
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• pp.400-406
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• 2024

Next-generation wide-bandgap semiconductors such as SiC, GaN, and Ga2O3 are being considered as potential replacements for current silicon-based power devices due to their high mobility, larger size, and production of high-quality wafers at a moderate cost. In this study, we investigate the gradual modulation of chemical composition in multi-stacked metal oxide semiconductor thin films to enhance the performance and bias stability of thin-film transistors (TFTs). It demonstrates that adjusting the Ga ratio in the indium gallium oxide (IGO) semiconductor allows for precise control over the threshold voltage and enhances device stability. Moreover, employing multiple deposition techniques addresses the inherent limitations of solution-processed amorphous oxide semiconductor TFTs by mitigating porosity induced by solvent evaporation. It is anticipated that solution-processed indium gallium oxide (IGO) semiconductors, with a Ga ratio exceeding 50%, can be utilized in the production of oxide semiconductors with wide band gaps. These materials hold promise for power electronic applications necessitating high voltage and current capabilities.