• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.150-150
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• 2003

wide bind gap과 wurtzite hexagonal structure를 가지고 있으며 청색 발광 및 청자색 레이저 특성을 보이는 III-V족 화합물반도체 GaN는 laser diodes (LD) 및 light emitting diodes (LED) 재료로 주목받고있는 주요 전자재료이다. 본 연구에서는 GaN를 chemical vapor deposition (CVD) 법을 이용하여 vapor-liquid-solid (VLS) mechanisum에 의하여 GaN나노와이어 형태로 성장시켰다. 기판은 (001)Si을 사용하였고 suputtering을 이용하여 GaN와 AlN의 double buffer layer (DBL)를 증착시켰으며 촉매로는 Ni을 사용하였다. 또한, 원료로는 고순도 Ga금속과 NH$_3$ gas를, carrier gas로는 Ar을 사용하여 GaN/AlN/(001)Si 위에 GaN 나노와이어를 성장시켰다. 성장된 GaN 나노와이어는 DBL의 두께, Ga source의 양, 튜브 안의 압력, 튜브 안의 위치 등의 제 공정변수에 따라 tangled, straight 등의 다양한 형상을 보였으며 지름은 약 30~100 nm, 길이는 수 $\mu\textrm{m}$로 관찰되었다. GaN나노와이어의 결정성, 형상 및 발광특성 등을 x-ray diffraction (XRD), photoluminesence (PL), scanning electron microscope (SEM), transmision electron microscope (TEM) 등을 이용하여 측정하였으며 제 공정변수와의 상관관계를 규명하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.15 no.5
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• pp.499-505
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• 2006

Field emission of GaN and GaP nanowires, synthesized by thermal chemical vapor deposition, and their emission stabilities under oxygen and argon environments were investigated. The field emission current of GaN nanowires was seriously deteriorated under oxygen environment, while that of GaP was not. Both wires did not show any noticeable change under argon environment. The existence of oxide outer shell layers in the GaP nanowires was proposed to be a main reason for this emission stability behavior. Field emission energy distributions of electrons from these nanowires revealed that field emission mechanism of the semiconductor nanowires were different from that of carbon nanotubes.

• Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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• v.25 no.4
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• pp.301-305
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• 2012

In this work the mechanical behaviors of GaN nanowires are analyzed during tension, compression, and unloading deformations. The thermal conductivity of the nanowires at each deformed state is evaluated using an equilibrium Green-Kubo approach. Under tensile loading, the [0001]-oriented nanowires with hexagonal cross-sections undergo a phase transformation from wurtzite to a tetragonal structure. The phase transformation is not observed under compressive loading. The thermal conductivity decreases on going from compressive strains to tensile strains. The strain dependence of the thermal conductivity results from the relaxation time of phonon. A reverse transformation from the tetragonal structure to the wurtzite structure is observed during unloading. The thermal conductivities in the intermediate states are lower than the conductivity in the wurtzite structure at same strain. Such differences in the thermal conductivity between different atomic structures are mainly due to changes in the group velocity of phonon.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.29 no.4
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• pp.143-148
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• 2019

We have successfully fabricated high aspect-ratio GaN-based nanowires on Si substrates using molecular beam epitaxy (MBE) system for high-efficiency hydrogen generation of photoelectrochemical water splitting. Scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) demonstrated that p-GaN:Mg and p-InGaN nanowires were grown vertically on the substrate with high density. Furthermore, it was also confirmed that the emission wavelength of p-InGaN nanowire can be adjusted from 552 nm to 590 nm. Such high-aspect ratio p-InGaN nanowire structure will be a solid foundation for the realization of ultrahigh-efficiency photoelectrochemical water splitting through sunlight.

• 한국전자현미경학회:학술대회논문집
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• 2004.11a
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• pp.66-71
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• 2004

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.87.1-87.1
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• 2012

넓은 밴드갭 (3.37eV)과 높은 엑시톤 결합에너지 (60meV)를 가지는 ZnO 물질은 ultra violet light 센서 및 light emitting diode (LED)의 재료로써 많은 연구가 진행되고 있다. 특히 나노와이어 구조를 이용하여 소자를 만들 경우 양자효과와 1차원적 캐리어 수송경로 효과로 인하여 그 특성을 보다 향상 시킬 수 있다. 나노와이어를 이용한 이종접합 p-n 다이오드를 제작하기 위하여 ZnO와 격자상수가 비슷한 GaN, NiO, CoO와 같은 물질들이 나노구조 접합에 많이 쓰이고 있지만, 격자상수 차이로 인해서 접합부분 캐리어 수송효율이 떨어지는 단점을 가지고 있다. n-type과 p-type ZnO를 만들어 동종 접합을 만들 경우 이러한 문제점을 극복할 수 있지만, 도핑되지 않은 ZnO가 n-type을 특성을 나타내기 때문에 안정적인 p-type ZnO 합성에 대한 연구가 필수적이다. 본 연구에서는 안정적인 p-type ZnO 합성을 위해서 수열합성법을 이용하여 phosphorus (P) 도핑을 하였고, 나노와이어 diode 구조를 만들었다. P 도핑으로 인한 격자상수 변화는 x-ray diffraction (XRD)를 사용하여 확인하였고, x-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 통해 도핑 원소를 분석하였으며, 이때의 recification ratio, turn-on voltage 등의 전기적 특성을 평가하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.07a
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• pp.41-45
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• 2003

Impurities transmuted in GaN thin film and GaN nanowires after neutron irradiation are studied in this work. The structural properties of GaN nanowires were shown using by Transmission Electron Microscope(TEM). Transmuted impurities that are expected to be doped into GaN thin film and GaN nanowires are then confirmed by photoluminescence(PL). Transmuted atom in GaN materials is Ge atom, Ge-related peaks in GaN thin film lead to emit at 2.9eV, 2.25eV. But emission bands at 2.9eV, 2.25eV are not shown in PL spectra of GaN nanowires. Our experimental results are expected to give deep impact on nano-material doping technology for the achievement of the fabrication of nano-devices.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.354-354
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• 2011

ZnO 나노와이어는 밴드 갭이 3.37 ev로 큰 밴드 갭을 갖는 물질이며 엑시톤 결합에너지가 60 meV로 GaN(25 meV)같은 다른 반도체보다 매우 크다. 또한 밴드갭 에너지가 큰 GaN, SiC와 같은 반도체에 비해서 화학적, 열적 안정성이 크며 낮은 온도에서 성장이 가능하다는 장점이 있다. 본 연구에서는 pre-heating process를 이용하여 1차원 구조인 ZnO nanowire를 수열합성법으로 합성하였다. 실험방법으로는 E2K glass 기판위에 AZO40 nm를 증착후, 시드층으로 이용하여 ZnO nanowire를 성장하였다. precusor 전구체에는 ZN(NO3)2 ${\cdot}$ 6H2O와 Capping agent으로의 역할을 위해 PEI와 OH-source 공급을 위한 Ammonium chloride를 첨가하여 합성하였고, 그에 따른 ZnO nanowire의 morphology 및 aspect ratio를 조절하고자 하였다. 마지막으로 ZnO 나노와이어의 구조적, 광학적 특성 평가를 하기위해 XRD, FE-SEM, PL 등을 이용하여 측정 하였고, 향후 나노발전기, 태양전지 등 여러 광학기기 등에 전극재료로서 응용 가능성에 대해 알아보고자 하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.422-422
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• 2008

본 연구에서, 금 촉매가 4nm 증착된 GaN/$Al_2O_3$ 기판위에 nanowire와 nanowall과 같은 ZnO 나노구조물을 화학기상증착법을 이용하여 합성시켰다. 합성된 ZnO 나노구조물의 형상은 성장시간과 성장온도 조작을 통하여 제어하였다. 합성된 ZnO 나노구조물의 협상을 관찰하기 위해, 전계방출 주사전자현미경을 측정하였다. ZnO 나노구조물은 성장 온도가 $1000^{\circ}C$에서 $1100^{\circ}C$로 증가함에 따라 불균일한 막, nanowire, nanowall 형태로 형상이 점차적으로 변하였으며, 또한 각각의 성장온도에서 성장 시간이 증가함에 따라 나노와이어의 성장이 두드러지게 나타났다. 또한 합성된 ZnO 나노구조물의 결정성과 광학특성을 X-ray diffraction pattern과 상온 photoluminescence spectrum을 이용하여 각각 분석하였다. 이룰 통하여 합성된 ZnO 나노구조물은 wurzite 결정구조를 가지며, 380nm 영역에서 near band edge emission 에 의한 발광 peak와 500~550nm 영역에서 deep level emission에 의한 발광 peak이 나타나는 것을 확인하였다.