• 한국자기학회지
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• 제19권4호
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• pp.133-137
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• 2009

GaAs 기판 위에 증착된 $MnGeP_2$ 박막이 상온에서 강자성을 보임을 자기화 및 자기저항 측정을 통해 확인하였다. 강자성-상자성 전이 온도는 320 K 정도였고, 항자력장은 5, 250, 300 K에서 각각 3870, 1380, 155 Oe 정도였다. 전하 운반자가 스핀 편극되어 있음을 암시하는 비정상 홀 효과를 관측하였다. 자기장에 따른 자기저항과 홀 저항을 측정할 때 이력곡선이 나타남을 확인하였다. $MnGeP_2$ 박막과 n-형 GaAs 기판 사이에 I-V 측정을 통해 전형적인 p-n 다이오드 특성을 보임을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.150-152
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• 2005

We investigated the fabrication and characteristics of spin-polarized LEDs based on GaN using (Ga,Mn)N as spin injection source. (Ga,Mn)N thin films were found to exhibit the ferromagnetic ordering above room temperature and the negative MR up to room temperature. The electrical characteristics in spin LEDs did not degraded in spite of the insertion of (Ga,Mn)N films. In EL spectra of spin LEDs, it is confirmed that spin LEDs emit the strong light at 7 K as well as room temperature. These results suggest that it is possible to emit spin-polarized light in our spin LEDs.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권6호
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• pp.619-625
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• 1998

Mn doped {{{{ {Zn {Ga }_{2 }O }_{4 } }} thin film phosphors were prepared on Si(100) wafers and ITO coated glass substrates by rf magnetron sputtering technique and the effects of the substrates dopant and the sputtering paramet-ers were analyzed, Changes of the oreintation were observed after annealine tratment. The grain size of {{{{ {Zn {Ga }_{2 }O }_{4 } }} : Mn thin film deposited on Si wafer was smaller than that on ITO/glass substrate which resulted in higher PL intensity. The PL spectra of Mn doped {{{{ {Zn {Ga }_{2 }O }_{4 } }} thin films showed sharp green luminescence spec-trum. According to CL spectrum it could be concluded that Mn ions acted as an actuator for green emission by substituting Zn atom sites.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.109-109
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• 2003

III- V ferromagnetic semiconductor has attracted great attention as a potential application for spintronics due to a successful demonstration of spin injection from ferromagnetic GaNnAs into semiconductor. GaMnN may be one of the possible candidates for room temperature operation. Samples were grown on sapphire (0001) substrate at $650^{\circ}C$ via molecular beam epitaxy with a single Precursor of (Et$_2$Ga(N$_3$)NH$_2$$CH_3$) and solid source of Mn at different Mn source temperature. The background pressure is low 10$^{-10}$ Torr and the samples growth pressure was 1.4 $\times$ 10$^{-6}$ Torr.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.146-147
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• 2002

III-V magnetic semiconductors initiated by GaMnAs growth at low temperatures via molecular beam epitaxy (MBE) has been a hot issue recently for their possible application to spntronics. GaMnN may be one of the candidates for room temperature operating ferromagnetic semiconductors as proposed by a theoretical calculation, However, since GaN was grown at very high temperatures above ∼750$^{\circ}C$ even with MBE, it is expected that the incorporation of Mn into GaN will be limited. (omitted)

• 대한금속재료학회지
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• 제47권12호
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• pp.787-796
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• 2009

The fracture toughness improvement of Ni-Mn-Ga-Fe ferromagnetic shape memory alloys containing ductile particles was explained by direct observation of microfracture processes using an in situ loading stage installed inside a scanning electron microscope (SEM) chamber. The Ni-Mn-Ga-Fe alloys contained a considerable amount of ductile particles in the grains after the homogenization treatment at $800{\sim}1100^{\circ}C$. ${\gamma}$ particles were coarsened and distributed homogeneously along {$\beta}$ grain boundaries as well as inside {$\beta}$ grains as the homogenization temperature increased. The in situ microfracture observation results indicated that ${\gamma}$ particles effectively acted as blocking sites of crack propagation, and provided stable crack growth that could be confirmed by the R-curve analysis. This increase in fracture resistance with increasing crack length improved overall fracture properties of the alloys containing ${\gamma}$ particles.

• 한국자기학회지
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• 제19권4호
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• pp.126-132
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• 2009

Molecular-Beam Epitaxy 방법으로 합성된 MnAs 박막의 물리적 특성을 기판의 종류와 증착 온도에 따라 조사하였으며 더불어 이들 시료의 증착 후 열처리 효과를 조사하였다. 증착 온도가 $600^{\circ}C$일 경우에는 기판의 종류에 관계없이 type-B의 결정 방향성을 보였으나 $200^{\circ}C$ 이하에서 합성한 시료에 대하여는 type-A로 합성되었다. $600^{\circ}C$에서 GaAs(001) 기판에 성장시킨 시료에서는 자기화 용이축 내에서도 특히 한쪽 방향으로 자화가 되어 있음을 확인하였다. 강자성을 보이지 않던 $120^{\circ}C$에서 증착한 MnAs/Si(001)와 실온에서 강자성과 상자성이 공존하였던 $200^{\circ}C$에서 증착한 MnAs/GaAs(001) 시료의 경우 $600^{\circ}C$에서 열처리 하였을때 자기적 특성이 크게 향상되었다.

• 자원환경지질
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• 제45권6호
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• pp.623-641
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• 2012

장군 연-아연-은 광상은 열수교대형 광상이다. 모암변질시 원소 분산을 알아보기 위해 모암, 열수변질대 및 연-아연-은 광맥에서 시료를 채취하였다. 이 광상은 능망간석화작용과 돌로마이트화작용으로 구성된 열수작용이 현저히 인지된다. 모암은 돌로마이트와 석회암이며 구성광물은 방해석, 돌로마이트, 석영, 금운모 및 흑운모 이다. 연-아연-은 광맥과 접촉한 부분에서 관찰되는 능망간석대는 주로 능망간석이 산출되며 소량 방해석, 돌로마이트, 쿠트나호라이트, 유비철석, 황철석, 황동석, 섬아연석, 방연석 및 황석석 등이 산출된다. 연-아연-은 광맥으로부터 멀어짐에 따라 관찰되는 돌로마이트대는 주로 돌로마이트가 산출되고 소량 방해석, 능망간석, 황철석, 섬아연석, 황동석, 방연석 및 황석석 등이 산출된다. 모암변질시 주원소, 미량 및 희토류원소들간의 상관계수는 $Fe_2O_3(T)$/MnO, Ga/MnO 및 Rb/MnO(돌로마이트 및 석회암)가 정의 상관관계를 갖고 MgO/MnO, CaO/MnO, $CO_2$/MnO 및 Sr/MnO(돌로마이트)와 CaO/MnO 및 Sr/MnO(석회암)가 부의 상관관계를 갖는다. 모암변질시 이득원소들은 $Fe_2O_3(T)$, MnO, As, Au, Cd, Cu, Ga, Pb, Rb, Sb, Sc, Sn 및 Zn 이고 손실원소들은 CaO, MgO, $CO_2$ 및 Sr 이다. 따라서 CaO, $CO_2$, $Fe_2O_3(T)$, MgO, MnO, Ga, Pb, Rb, Sb, Sn, Sr 및 Zn 등의 원소들은 모암이 돌로마이트내지 석회암인 열수교대형 광상의 탐사에 지시원소로서 활용될 수 있을 것이다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2004년도 동계학술연구발표회 논문개요집
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• pp.42-42
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• 2004

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2001년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.76-76
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• 2001