• 한국세라믹학회지
• /
• 제37권5호
• /
• pp.432-437
• /
• 2000

Thermoelectric properties of p-type SiGe alloys prepared by a RF inductive furnace were investigated. Non-doped Si80Ge20 alloys were fabricated by control of the quantity of volatile Ge. The carrier of p-type SiGe alloy was controlled by B-doping. B doped p-type SiGe alloys were synthesized by melting the mixture of Ge and Si containing B. The effects of sintering/annealing conditions and compaction pressure on thermoelectric properties (electrical conductivity and Seebeck coefficient) were investigated. For nondoped SiGe alloys, electrical conductivity increased with increasing temperatures and Seebeck coefficient was measured negative showing a typical n-type semiconductivity. On the other hand, B-doped SiGe alloys exhibited positive Seebeck coefficient and their electrical conductivity decreased with increasing temperatures. Thermoelectric properties were more sensitive to compaction pressure than annealing time. The highest power factor obtained in this work was 8.89${\times}$10-6J/cm$.$K2$.$s for 1 at% B-doped SiGe alloy.

• 한국약용작물학회지
• /
• 제3권3호
• /
• pp.251-258
• /
• 1995

명조건에서 명일엽의 캘러스 유도와 증식은 $GeO_2$와 C.E. Ge.O. 처리 모두 거의 되지 않았다. 암조건 하의 캘러스 유도는 명일엽에서 $GeO_2$와 C. E. Ge. O. 처리 모두 5ppm까지 양호했고, 50ppm부터 저해되다가 100ppm $GeO_2$처리시는 거의 되지 않은 반면 100ppm C. E. Ge. O. 처리시는 다소 되었다. 명일엽의 캘러스 유도와 증식은 배지의 PH가 pH 5.7 > pH 5.4 > pH 6.0 순서로 좋았다. 명조건 하의 인삼에서는 $1{\sim}10ppm$에서 불량하게 생육하나 신초를 잘 형성했다. 암조건 하의 캘러스 증식은 명일엽에서 $GeO_2$나 C.E.Ge.O. 처리 시 모두 5ppm까지 양호했고, $GEO_2$처리시 50ppm부터 거의 되지 않았으나 C. E. Ge. O. 처리시는 pH5.7의 경우 100ppm에서도 다소 좋았다. 명일엽에서는 캘러스 증식 중 신초 형성이 많았는데 pH5.7에서 현저했다. 인삼에서는 암상태에서 $GeO_2$처리시 10ppm부터, C. E. Ge. O. 처리시는 50ppm부터 불량하면서 갈색으로 변했다. 암조건 하에서 $GeO_2$와 C. E. Ge. O. 의 모든 농도에서 명일엽의 캘러스가 인삼의 캘러스보다 함량이 높았다. 두 식물 모두 동일 농도에서 $GeO_2$처리한 캘러스가 C. E .Ge. O.의 것보다 높았다. 흡수양상에서 있어서는 명일엽의 경우 $GeO_2$는 10ppm까지 급속하게 홉수하고 그 이상의 농도에서는 완만한 반면 C. E. Ge. O.는 $GeO_2$에 비하여 100ppm까지 완만하게 흡수되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
• /
• pp.95-95
• /
• 2008

본 연구에서는 SiGe p-MOSFET을 제작하여 I-V 특성과 게이트 길이, $V_D$, $V_G$의 변화에 따른 저주파 노이즈특성을 측정하였다. Si 기판위에 성장한 $Si_{0.88}Ge_{0.12}$으로 제작된 SiGe p-MOSFET의 채널은 게이트 산화막과 20nm 정도의 Si Spacer 층으로 분리되어 있다. 게이트 산화막은 열산화에 의해 70$\AA$으로 성장되었고, 게이트 폭은 $25{\mu}m$, 게이트와 소스/드레인 사이의 거리는 2.5때로 제작되었다. 제작된 SiGe p-MOSFET은 빠른 동작 특성, 선형성, 저주파 노이즈 특성이 우수하였다. 제작된 SiGe p-MOSFET의 ESD 에 대한 소자의 신뢰성과 내성을 연구하기 위하여 SiGe P-MOSFET에 ESD를 lkV에서 8kV까지 lkV 간격으로 가한 후, SiGe P-MOSFET의 I-V 특성과 게이트 길이, $V_D$, $V_G$의 변화에 따른 저주파 노이즈특성 변화를 분석 비교하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제31권1호
• /
• pp.6-10
• /
• 2018

Ni germanide (NiGe) is a promising alloy material with small contact resistance at the source/drain (S/D) of Ge MOSFETs. However, it is necessary to reduce the specific contact resistance between NiGe and the doped Ge S/D region in high-performance MOSFETs. In this study, a novel method is proposed to reduce the specific contact resistance between NiGe and p-type Ge (p-Ge) using a Tb interlayer. The specific contact resistance between NiGe and p-Ge was successfully decreased with the introduction of the Tb interlayer. To investigate the mechanism behind the reduction in the specific contact resistance, the elemental distribution and crystalline structure of NiGe were analyzed using secondary ion mass spectroscopy and X-ray diffraction. It is likely that the reduction in specific contact resistance was caused by an increase in the concentration of boron in the space between NiGe and p-Ge due to the influence of the Tb interlayer.

• 운동영양학회지
• /
• 제25권2호
• /
• pp.15-19
• /
• 2021

[Purpose] Skeletal muscle glycogen is a determinant of endurance capacity for some athletes. Ginger is well known to possess nutritional effects, such as anti-diabetic effects. We hypothesized that ginger extract (GE) ingestion increases skeletal muscle glycogen by enhancing fat oxidation. Thus, we investigated the effect of GE ingestion on exercise capacity, skeletal muscle glycogen, and certain blood metabolites in exercised rats. [Methods] First, we evaluated the influence of GE ingestion on body weight and elevation of exercise performance in rats fed with different volumes of GE. Next, we measured the skeletal muscle glycogen content and free fatty acid (FFA) levels in GE-fed rats. Finally, we demonstrated that GE ingestion contributes to endurance capacity during intermittent exercise to exhaustion. [Results] We confirmed that GE ingestion increased exercise performance (p<0.05) and elevated the skeletal muscle glycogen content compared to the nonGE-fed (CE, control exercise) group before exercise (Soleus: p<0.01, Plantaris: p<0.01, Gastrocnemius: p<0.05). Blood FFA levels in the GE group were significantly higher than those in the CE group after exercise (p<0.05). Moreover, we demonstrated that exercise capacity was maintained in the CE group during intermittent exercise (p<0.05). [Conclusion] These findings indicate that GE ingestion increases skeletal muscle glycogen content and exercise performance through the upregulation of fat oxidation.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
• /
• pp.541-544
• /
• 1998

A SiGe p-channel MESFET using $\delta-doped$ layers is designed and the considerable enhancement of the current driving capability of the device is observed from the result of simulation. The channel consists of double $\delta-doped$ layers separated by a low-doped spacer which consists of Si and SiGe. A quantum well is formed in the valence band of the Si/SiGe heterojunction and much more holes are accumulated in the SiGe spacer than those in the Si spacer. The saturation current is enhanced by the contribution of the holes inthe spacer. Among the design parameters that affect the performance of the device, the thickness of the SiGe layer and the Ge composition are studied. The thickness of $0~300\AA$ and the Ge composition of 0~30% are investigated, and the saturation current is observed to be increased by 45% compared with a double $\delta-doped$ Si p-channel MESFET.

• Journal of Radiation Protection and Research
• /
• 제29권4호
• /
• pp.237-242
• /
• 2004

방사선피폭 후 급성조혈계 손상에 대한 Melatonin과 Ge-132의 방어효과를 8 Gy의 선량으로 급성, 전신피폭 된 마우스에서 연구하였다. Melatonin은 피폭 1시간 전에 200 mg/kg의 용량으로 복강 내 주사하였고, Ge-132는 130 - 150 mg/kg/d의 용량으로 피폭 후 5일째부터 20일째까지 경구복용 시켰다. 방사선방어 효과를 평가하기 위해 비장에서 TUNEL assay를 실시하였고 혈액 내 림프구와 총 백혈구 수치를 측정하였다. 피폭 후 30일째까지의 생존분석을 위해 4 실험군들 (피폭단독군, melatonin 전처치군, Ge-132 후처치군, melatonin 전처치 및 Ge-132 후처치군)에서 날짜경과에 따른 사망을 측정하였다. 피폭단독군과 melatonin 전처치군 간에 세포고사지수 (47.8% vs 45.9%, p=0.385)와 림프구 수치 ($97/{\mu}{\ell}\;vs\;101/{\mu}{\ell}$, p=0.898)에서 차이가 없었으나, 총 백혈구 수치는 melatonin 전처치군에서 유의하게 높은 수치 ($147/{\mu}{\ell}\;vs\;306/{\mu}{\ell}$, p=0.010)를 보였다. 피폭 후 30일째의 생존율은 피폭단독군, melatonin 전처치군, Ge-132 후처치군, 그리고 melatonin 전처치 및 Ge-132 후처치군에서 각각 21.4%, 100%, 35.7%, 그리고 85.7%였다. 실험군들 간의 생존분석에서 melatonin 전처치 군은 피폭단독군(p=0.000)이나 Ge-132 후처치군(p=0.0003)에 유의하게 높은 생존을 보였다. 본 연구결과는 방사선피폭 후 급성조혈계증후군에 대하여 melatonin이 방사선방어제로서 효능을 지님을 보여주고 있다.

• Journal of Ginseng Research
• /
• 제29권3호
• /
• pp.145-151
• /
• 2005

식물조직배양기술을 이용하여 Ge를 함유한 인삼 root를 생산하고자, 0.5mg/L BAP와 3.0mg/L NAA조합의 식물생장 조절물질로 유도된 인삼 root를 이용하여 배양을 위한 최적 $GeO_2$농도, $GeO_2$ 첨가시기 및 배지의 pH를 조사하였다. 인삼 root의 생장에 가장 좋은 $GeO_2$ 농도는 10ppm, $GeO_2$ 첨가시기는 배양 초기(0주), pH는 5.5였고, 인삼 root내 Ge의 함량이 가장 높았을 때의 $GeO_2$농도는 100ppm이었다. $GeO_2$를 첨가하여 배양한 기간이 길수록 Ge함량이 증가하였으나 6주 이후부터 생장율이 둔화되어 $GeO_2$ 100ppm에서는 생장율이 아주 낮아 대조구의 1/2 정도였다. 배양 초기에 $GeO_2$를 첨가하여 8주간 배양한 인삼 root의 Ge 함량이 $29.4mg\%$인데 반해, 배양 2주째에 $GeO_2$를 첨가한 인삼 root의 경우는 Ge 함량이 $38.6mg\%$이므로, 배양 후 2주 후에 $GeO_2$를 첨가하는 것이 인삼 root의 Ge흡수에 더욱 효과적이었다. Ge흡수가 가장 잘 이루어지는 최적 pH는 5.5였으며 사포닌 함량은 $GeO_2$의 첨가농도가 증가할수록 감소하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.133-133
• /
• 2010

3-5족 화합물 반도체를 이용한 집광형 삼중 접합 태양전지는 35% 이상의 광변환 효율로 주목을 받고 있다. 일반적으로 삼중 접합 태양전지는 넓은 영역대의 파장을 흡수하기 위해 밴드갭이 다른 InGaP, GaAs, Ge이 사용된다. 그 중 하부셀은 기계적 강도가 높고 장파장을 흡수할 수 있는 Ge이 사용되는데, p-type Ge 기판위에 III-V 결정막 성장 시 5족 원소가 확산되어 pn접합을 형성하게 된다. 이러한 구조를 가진 Ge 하부셀이 효율적으로 홀-전자 쌍을 형성하기 위해서는 두꺼운 베이스와 얇은 에미터 접합이 필요하다. InGaP의 phosphorus는 낮은 확산계수로 인해 GaAs의 arsenic에 비해 얇은 접합이 형성 가능하며, Ge표면 에칭효과가 더 적다는 장점이 있다. 이를 고려해 우리 연구그룹에서는 metalorganic chemical vapor depostion(MOCVD)을 이용하여 Ge기판위에 성장한 InGaP layer의 특성을 관찰해 보았다. <111>로 $6^{\circ}$ 기울어진 p-type Ge(100) 기판위에 MOCVD를 통해 InGaP layer를 형성하였고, 성장된 layer를 atomic force microscope(AFM)와 high-resolution x-ray diffraction(HRXRD)을 이용하여 표면형상, 조성, 응력상태 등을 각각 관찰하였다. 또한 phosphorus 확산에 의해 형성되는 도핑농도는 electrochemical capacitance-voltage(ECV)을 이용하여 관찰하였다. 성장된 Ge기판위의 InGaP layer의 경우 특징적으로 높이 50 nm, 밑변 길이 $1\;{\mu}m$의 경사진 표면을 관찰할 수 있었으며, 이러한 구조는 TMIn과 TMGa의 비율이 증가 할수록 감소하였다. 따라서 이러한 경사진 형태의 구조는 격자 불일치 때문인 것으로 판단된다. 추가적으로 V/III ratio의 최적화를 통해 1.3 nm의 표면 거칠기를 갖는 InGaP layer를 얻을 수 있었다. ECV를 통해 Ge 하부셀의 pn접합 형성을 관찰한 결과 약 160 nm에서 접합이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. 또한, 같은 성장 조건의 샘플을 1000 초 열처리 후에 접합깊이의 변화를 관찰한 결과 180 nm에서 접합이 관찰되었지만, GaAs의 arsenic에 의한 pn접합은 열처리 후에 그 깊이가 170 nm에서 300 nm로 증가 하였다. 따라서 삼중접합 태양전지의 제작 공정을 고려할 경우 phosphorus에 의한 접합 형성이 Ge 하부셀의 동작 특성에 유리할 것으로 판단된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.385-385
• /
• 2012

A two terminal N+/P/N+ junction device to replace the conventional selective transistor was studied as a bilateral switching device for spin transfer torque (STT) MRAM based on 3D device simulation. An N+/P/N+ junction structure with $30{\times}30nm$ area requires bi-directional current flow enough to write a data by a drain induced barrier lowering (DIBL) under a reverse bias at N+/P (or P/N+ junction), and high current on/off ratio of 106. The SiGe materials are widely used in hetero-junction bipolar transistors, bipolar compensation metal-oxide semiconductors (BiCMOS) since the band gap of SiGe materials can be controlled by changing the fraction and the strain epilayers, and the drift mobility is increased with the increasing Ge content. In this work, N+/P/N+ SiGe material based junction provides that drive current is increased from 40 to $130{\mu}A$ by increased Ge content from 10~80%. When Ge content is about 20%, the drive current density of SiGe device substantially increased to 2~3 times better than Si-based junction device in case of 28 nm P length, which is sufficient current to operation of STT-MRAM.