• 한국산림과학회지
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• 제85권3호
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• pp.532-538
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• 1996

Indoor seed orchard의 가능성을 시험하기 위해 온실의 화분에서 자라는 낙엽송 접목묘와 야외에서 자라는 실생묘에 Gibberellins(GA4/7) 살포, 주입 및 몇가지 보조 처리를 사용하여 조기개화를 유도하였다. 온실의 화분에 지라는 접목묘에 대해서는 GA4/7 반복 살포 단독처리가 가장 효과적이었으나 보조 처리로서 사용된 root pruning은 상승효과를 보이 지 못했다. GA4/7 주입은 접목표의 치사를 초래하였기 때문에 유용한 방법이 아니었다. 10년생 실생묘를 이용한 야외실험에서는 GA4/7 살포와 보조처리로서 root pruning 또는 plastic mulching의 사용이 개화의 유도에 가장 효과적이었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.395-395
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• 2013

GaN는 LED, 태양전지, 그리고 전자소자 등에 쓰이는 물질로, 관련 연구가 활발히 진행되고 있으며, 이와 더불어 top-down방식을 활용한 소자제작 방법 또한 발달되고 있다. 하지만, 일반적으로 LED 제작에 사용되는 c-plane GaN의 경우, c축 방향으로 발생하는 분극의 영향을 받게되며, 분극은 LED내 양자우물의 밴드를 기울게 하여 전자와 홀의 재결합률을 감소시켜 낮은 내부양자효율을 야기한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 여러 가지 방법들이 제시되었으며, 그 중에서도 a면, 혹은 m면과 같은 nonpolar면을 사용하는 GaN LED가 주목받고 있다. 본 연구에서는, top-down방식을 통해 약 $2{\mu}m$ 크기의 diameter를 갖는 micro-sized column LED를 구현하였으며, 식각 후 드러나는 semipolar면을 wet treatment를 통해 제거하여 nonpolar면을 드러나게 하였으며, 이 면에 Ni/Au를 contact하여, 전기적, 광학적 특성을 논하였다. Fig. 1은 I-V 특성 그래프이며, Fig. 2는 EL측정 결과(광학적 특성)이다.

• 방사선산업학회지
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• 제6권3호
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• pp.281-287
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• 2012

The model plant, Arabidopsis thaliana is the subject of an international genome research project. Massive doses of ionizing radiation have been shown to induce physiological changes in plants. The wild-type (Ler) Arabidopsis plants were irradiated with 100 Gy and 800 Gy of gamma-ray. Gibberellin (GA) affects developmental processes and responses according to the various environment conditions in diverse plant. The 13 GA isomers were analyzed at vegetative (VE) and reproductive (RE) stages by HPLC. Total GA contents were reduced with the increase in radiation doses at VE and RE stages. Specifically, levels of GA3, GA4, GA12, and GA34 were significantly reduced with the increase of radiation doses. Oligonucleotide microarrays analysis was performed with Arabidopsis plants at different developmental stages and doses of gamma-ray. Through the microarray data, we isolated 41 genes related to GA biosynthesis and signaling transduction. Expression of these genes was also decreased as the reduction of GA contents. Interestingly, in GA signaling related gene expression, gibberellin-responsive protein, putative (At2g18420) was down-regulated at VE and RE stages. Myb21 (At3g27810), Myb24 (At5g40350), and Myb57 (At3g01530) was down-regulated at RE stage. In GA biosynthesis related gene expression, YAP169 (At5g07200) and GA20ox2 (At5g51810) were down-regulated at 100 Gy treatment of VE stage and 800 Gy treatment of RE stage in cytoplasm, respectively. However, exceptively, GA3ox2 (At1g80340) was up-regulated at 100 Gy treatment of RE stage in cytoplasm. In this study, the wild type (Ler) Arabidopsis plants showed differences in response with development stage at the various doses of gamma-rays. GA contents change was reported in gamma irradiated plant.

• 한국자원식물학회지
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• 제28권2호
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• pp.253-258
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• 2015

눈잣나무는 우리나라에서 산림청 지정 멸종위기종으로 구분되어 있다. 눈잣나무는 설악산 대청봉 지역(해발고 1550–1700 m)에만 제한적으로 분포하고, 대부분의 구과가 조류와 설치류의 피해를 받기 때문에 종자를 확보하기 어렵다. 본 연구는 눈잣나무의 현지외보존림 조성을 위하여 습사, 예냉 및 GA₃ 처리가 눈잣나무 종자발아에 미치는 영향을 알아보기 위해 수행되었다. 눈잣나무 종자에 대해 습사 및 예냉처리를 각각 1, 2, 3, 4, 5개월 처리하고 GA₃는 0, 100, 500, 1,000, 2,000, 3,000 ㎎/L 농도로 처리한 뒤 페트리디쉬에 치상하였으며 25℃의 광조건에서 실험하였다. 종자 발아율, 평균발아일수, 발아속도를 조사한 결과, 습사와 예냉처리는 모두 종자 발아를 향상시키는데 효과적으로 나타났다. 그러나 두 저온처리의 방법에 따른 차이는 나타나지 않았다. 각각의 처리에서 처리기간이 길어짐에 따라 종자 발아가 향상되었으나, 3개월 이상의 처리에서는 종자 발아의 향상이 통계적으로 유의하게 나타나지 않았다. GA₃ 처리에서도 눈잣나무의 종자 발아가 효과적으로 향상되었는데, 100 ㎎/L 처리 조건에서 발아율이 79.0%로 나타났다. 그러나 GA₃ 고농도 처리조건(2000 ㎎/L 이상)에서는 오히려 종자 발아가 감소하였다. 결론적으로 3개월 이상의 습사처리와 GA₃ 100 ㎎/L 처리가 눈잣나무의 종자의 발아향상에 적절한 방법으로 나타났다.

• 한국약용작물학회지
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• 제5권3호
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• pp.169-176
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• 1997

본 연구는 전보(前報)에 이어 초롱꽃과 약용작물 중에서 농가에서 재배되고 있는 도라지, 더덕, 만삼 종자의 발아(發芽) 및 유근신장(幼根伸長)에 미치는 $GA_3$ 처리방법 (농도(濃度), 침지기간(侵漬期間))과 $GA_3$ 처리 후 발아과정에서의 광질(光質) (적색광(赤色光), 백색광(白色光), 암상태(暗狀態))효과(效果)를 조사하여 이들 종(種)의 입묘율 향상에 관한 정보를 제공하고자 실시하였던 바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 평균발아율(平均發芽率)은 $GA_3$ 처리 후 발아시 암조건(暗條件)에서는 도라지, 더덕, 만삼 순으로 감소하였다. 그러나 $GA_3$ 처리 후 광질처리(光質處理)로 인하여 도라지와 만삼은 발아가 억제된 반면, 더덕은 발아율가 오히려 향상되어 공시종(供試種) 중에서 가장 높았다. 2. 암상태(暗狀態)로 수행된 $GA_3$ 처리 시험에서의 평균발아율(平均發芽率)은 무처리(無虐理)에서 0.1mM로 처리농도를 증가시킬수록 증가하였던 반면, $1{\sim}2$일간 처리하는 것에 비하여 4일간 처리할 경우 초기의 발아율은 높았으나 후기 발아율은 낮았다. 3. 공시종(供試種)의 발아 또는 유근신장에 대한 $GA_3$처리효과는 $GA_3$ 처리 후에 주어지는 광질(光質), 주로 적색광(赤色光)에 의하여 $GA_3$ 처리효과가 거의 소멸되는 것으로 나타났다. 4. $GA_3$ 처리 후 적색광(赤色光) 처리(虐理)는 도라지와 만삼의 발아를 거의 억제하였으며, 더덕의 발아를 현저히 지연시켰던 반면, 백색광(白色光) 또는 암처리(暗處理)에서의 발아율은 상호 비슷한 것으로 나타났다.zoic acid의 함양(含量)이 모두 높게 나타났으나, 삼도종은 정선종에 비하여 salicylic acid와vanillic acid의 함량이 다소 낮게 나타났다.물은 총당의 72%가 올리고당이었으며 올리고당의 주요 구성당은 F2, F3, F4의 inulo올리고당으로 총당의 $51.3{\sim}64.35$를 차지하였다. 따라서 endo-inulinase에 의한 가수분해는 효과적인 올리고당 생산방법으로 판단된다. EGTA 처리에 의한 $Ca^{2+}\;chelation$에 의해서 마이크로솜 내부의 $Ca^{2+}$ 농도가 감소되었을 때, ATPase 활성은 증가하였다. 위의 조건에서 실제 마이크로솜 내부로의 $Ca^{2+}$ 유입 여부는 $‘Ca^{2+}’$를 이용하여 확인하였다. 이상의 결과는 마이크로솜 막에 위치한 ATPase의 내부 및 외부에 $Ca^{2+}$에 의한 효소활성 조절부위가 각각존재함을 시사한다. $10{\sim}11.99\;ppm$, 14품종(21.5%)이 $12{\sim}13.99\;ppm$, 9품종(13.8%)이 $14{\sim}15.99\;ppm$, 10품종(15.4%)이 $16{\sim}17.99\;ppm$, 4품종(6.2%)이 $18{\sim}19.99\;ppm$, 5품종(7.7%)이 $20{\sim}29.99\;ppm$, 3품종(4.6%)이 30 ppm 이상이었다. 전반적으로 일본에서 육성된 품종이 구미에서 육성되어 보급되고 있는 품종들에 비해 total terpenoids 함량이 낮은 편이었다.이 크므로 고혈압 환자를 대상으로 한 추후 연구를

• 열처리공학회지
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• 제31권5호
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• pp.237-243
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• 2018

In-rich InGaN epilayers were grown on (0001) sapphire substrates by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE). InGaN epilayers grown at various growth condition were observed by SEM, XRD, and RHEED. When plasma power of nitrogen increased from 290 to 350 W, surface morphology and crystal quality became worse according to more active nitrogen on the surface of InGaN at N-rich growth condition. As In composition was reduced from 89 to 71% by changing the incoming flux of In and Ga, surface morphology and crystal quality became worse. In addition, weak peaks of cubic InGaN phase was observed from InGaN layer with 71% In composition by XRD ${\Phi}$ scan measurement. When growth temperature decreased from 500 to $400^{\circ}C$, RHEED diffraction pattern was changed to be from streaky to spotty which means atomically rough surface, and spotty pattern showed cubic symmetry of InGaN clearly. XRD ${\Phi}$ scan measurement gave clear evidence that more cubic InGaN phase was formed at low growth temperature. All these results indicates that extremely low surface mobility of Ga adatom caused inferior crystal quality and cubic InGaN phase.

• 미생물학회지
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• 제12권4호
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• pp.188-193
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• 1974

Effects of GA and IAA on the respiratory and photosynthetic activity of each growth stage during the synchronous culture of Chlorella ellipsodiea, were investigated. 1) GA ($2{\times}10^{-8}M$) affected most insignificantly on the respiratory activity of the stages Dn, Da, $L_1$, $L_2$, $L_3$-cells but only at $L_4$-cells treated with IAA($10^{-3}/M$) were promoted and $L_3$, $L_4$-cells were suppressed. With the treatment of GA-IAA the effects on respiration of eah stage cells were antagonistic. 2) Photosynthetic activity treated with GA during the each stage of Chlorella cells was promoted and IAA treated-cell were suppressed. The effect of GA-IAA upon the process of life cycle was also antagonistic. 3) It was revealed that respiratory and photosynthetic activity of Chlorella cells by the treatment of GA(($2{\times}10^{-8}M$) and IAA($10{\times}^{-3}/M$) had antogonistic effects.

• 한국약용작물학회지
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• 제24권4호
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• pp.284-293
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• 2016

Background: Developing new ginseng cultivars is a significant time-consuming process owing to the three years of growth required for ginseng to flower. To shorten the ginseng breeding process, it is necessary to establish rapid progression through each generation. In this study, we examined it was possible to rapidly break ginseng seed dormancy using gibberellic acid ($GA_3$) treatment and alternating temperature. Methods and Results: Seeds were obtained from local variety. Seeds were treated with either $GA_3$ at a concentration of $100mg/{\ell} $, constant temperature ($-2^{\circ}C$ and $2^{\circ}C$), alternating temperature ($2^{\circ}C$ followed by $-2^{\circ}C$, followed by $2^{\circ}C$) or a combination $GA_3$ and temperature treatment. Following experimental treatment, seeds were sown into trays and placed in a greenhouse. Low germination rates were observed in seeds that did not receive $GA_3$ treatment, which were similar following $2^{\circ}C$ and $-2^{\circ}C$ constant temperature treatment. Germination rates increased in proportion to $GA_3$ and more so when combined with alternating temperature treatment. In additon, stem and leaf lengths of the resulting ginseng plants were increased following $GA_3$ treatment, although no synergistic effect was observed with alternating temperature treatment. Conclusions: These results suggest that a combination $GA_3$ and alternating temperature treatment enhances ginseng seed germination, which can contribute to shortening the time required to progress through a single ginseng generation for breeding.

• 한국작물학회지
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• 제42권1호
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• pp.42-48
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• 1997

벼의 10일된 유묘에 0, 50, 100, 150m㏖의 NaCl을 처리하여 수분 흡수와 생육 그리고 GA$_3$와 ABA, IAA, zeatin의 내생 호르몬 수준을 단일클론 항체를 이용한 ELISA에 의해서 분석하였다. 1. 수분 함량은 50mM NaCl 처리에 의해서 동진벼, 삼강벼, 안나프르나 모두 시간이 지남에 따라서 감소하였다. 처리 5일째 수분함량은 동진(71%), 삼강(75%) 안나프르나(79%)순으로 높았다. 2. 염분처리에 의해서 지상부와 지하부 생육은 모두 억제되었다. 지하부가 지상부보다 억제되었다. 지상부와 지하부는 안나프르나 <삼강벼<동진벼 순으로 생육이 억제되었다. 3. GA$_3$와 IAA는 염분처리에 의해서 시간이 지남에 따라서 감소되었으며 zeatin도 감소 경향을 나타내었다. 4. ABA는 염분 농도와 시간에 따라 증가되었으며 염분처리 24시간에 크게 증가되었다. 특히 동진벼는 2n㏖에서 31n㏖ 까지 증가되었으나 안나프르나는 4.5n㏖에서 15n㏖까지만 증가되었다. 5. 수분 함량의 증감에 따라 식물호르몬의 함량이 변동됨을 알 수가 있었다.

• 한국분말재료학회지
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• 제25권6호
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• pp.482-486
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• 2018

Despite numerous advances in the preparation and use of GaN, and many leading-edge applications in lighting technologies, the preparation of high-quality GaN powder remains a challenge. Ammonolytic preparations of polycrystalline GaN have been studied using various precursors, but all were time-consuming and required high temperatures. In this study, an efficient and low-temperature method to synthesize high-purity hexagonal GaN powder is developed using sub-micron $Ga_2O_3$ powder as a starting material. The sub-micron $Ga_2O_3$ powder was prepared by an ultrasonic spray pyrolysis process. The GaN powder is synthesized from the sub-micron $Ga_2O_3$ powder through a nitridation treatment in an $NH_3$ flow at $800^{\circ}C$. The characteristics of the synthesized powder are systematically examined by X-ray diffraction, scanning and transmission electron microscopy, and UV-vis spectrophotometer.