This paper presents a wide-range tunable wavelength-locking technology based on optoelectronic oscillation (OEO) loops for optical fiber sensors and microwave photonics applications, explains the theoretical fundamentals of the design, and demonstrates a method for locking the relative wavelength differences between a leader semiconductor laser and its follower lasers. The input of the OEO loop in the proposed scheme (the relative wavelength difference) determines the radio-frequency (RF) signal frequency of the oscillation output, which is quantized into an injection current signal for feedback to control the wavelength drift of follower lasers so that they follow the wavelength change of the leader laser. The results from a 10-hour continuous experiment in a field environment show that the wavelength-locking accuracy reached ±0.38 GHz with an Allan deviation of 6.1 pm over 2 hours, and the wavelength jitter between the leader and follower lasers was suppressed within 0.01 nm, even though the test equipment was not isolated from vibrations and the temperature was not controlled. Moreover, the tunable range of wavelength locking was maintained from 10 to 17 nm for nonideal electrical devices with limited bandwidth.
I propose a vector passive harmonic mode-locked fiber laser based on topological insulator Bi2Se3 interacting with a fiber taper with a diameter of 7 μm. The particles of topological insulator are deposited uniformly onto the fiber taper with light pressure effect. By incorporating the fabricated saturable absorber into an Er-doped fiber laser cavity, stable mode-locked fiber is obtained. Due to the intense evanescent field of the fiber taper, strong confinement of light enhances the nonlinearity of the laser cavity, and passive harmonic mode-locking is performed. I observe a maximum harmonic mode-locking of 356th, corresponding to a frequency of 3.57 GHz. The pulse duration is 824 fs, and the full width at half maximum of the spectrum is about 8.2 nm. The polarization dependent loss of the saturable absorber is ~ 2.5 dB in the wavelength range of the C band. As the cavity contains no other polarization dependent device, the mode-locked laser is functioning in the vector state. The harmonic order vs pump power is investigated. To the best of our knowledge, this report is the highest frequency mode-locked fiber laser based on Bi2Se3. Experimental results indicate that the topological insulator Bi2Se3 functioning with a thin fiber taper is effective for vector harmonic mode-locking.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.10
no.5
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pp.653-662
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1999
In this paper, subharmonically injection locked oscillator(SILO) was designed and measured. SILO with series feedback was designed using Two Signal Method(TSM). The free-running oscillator frequency was 9.4 GHz with 6 dBm output power. In case of injection, the multiplied injected signal locked the free-running frequency. The locked signal output power was higher than any other spurious response at least 40 dB. The locking range was 220MHz (second subharmonic locking), 100 MHz(4th subharmonic locking), and phase noise was -111 dBc/Hz, -104 dBc/Hz at 100kHz offset, respectively.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.7
no.5
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pp.1076-1081
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2003
A new technique for generating millimeter-wave signals from a semiconductor laser is presented. The method multiples the signal frequency by using optical injection of short optical pulses at a sub-harmonic of the cavity round-trip frequency to drive the laser oscillating at its resonant frequency. A 32GHz signal is generated using a multisection semiconductor laser operated under continuous wave conditions, by injection optical pulses at a repetition rate equal to the fourth subhamonic(8GHz). The generated millimeter-wave signal exhibits a large submamonic suppression ratio(>17 dB), large frequency detuning range (>300 MHz) low levels of phase-noise(-77.5 dBc/Hz), and large locking (>400 MHz)
In this paper, Dual PFD(Phase Frequency Detector) with improved phase locking time is proposed. The proposed PFD consists of positive and negative edge triggered D flip-flop. In order to confirm the characteristics of proposed PFD, HSPICE simulations are performed using a 0.25${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS process. As a result of simulations, the proposed PFD has a characteristic of fast phase locking time with dead zone free.
Journal of information and communication convergence engineering
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v.8
no.4
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pp.457-460
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2010
we have analyzed tens of Giga pulse signal generation using sideband injection locking scheme. The numerical model for semiconductor lasers under the strong optical injection is based on the Lang's equation and has been extended in order to take into account the simultaneous injection of the multiple sidebands of the current-modulated laser. The numerical simulation results show that the unselected sidebands will affect the optical and RF-spectral characteristics even though the semiconductor laser is locked to the target sidebands.
Locking time of the DLL is the important design issue in case of clock gating for low power system. For precise analysis of the locking speed of the DLL, this paper analyzes the locking process of the DLL in time domain. Analysis result shows that the value of the DLL bandwidth over reference frequency should be limited to below 1 ($i.e.w_n/F_{REF}<1$) for the stable operation and relation between bandwidth and lock time is expressed by log function.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.32A
no.1
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pp.119-128
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1995
We report hybrid and passive mode-locking results of tilted-stripe AlGaAs semiconductor laser traveling wave amplifiers with saturable absorbers. Dependence ofthe pulse width on the mode locking frequency, the bandwidth of spectral filters, and the bias current of the laser amplifier are investigated. We generate 4 ps optical pulses by using the hybrid mode locking technique. The repetition rate and the peak power of generated pulses are 516 MHz and 170 mW, respectively. The tuning range of uor mode locked laser is 10 nm with the center wavelength of 780 nm. We also generate 2.6 ps optical pulses with peak power of 830 mW by using the passive mode locking technique.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.34D
no.6
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pp.58-64
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1997
The wavelengt lockin gsystem of the optical fabry-perot filter theoretially derived and experimentally realized by using the ithering method in order to compensate the laser wavelength drift increasing the BER of the WDM system. The deviation between the laser wavelength and the optical filter center wavelength is compensated by applying a suitable voltage to the PZT. Accordingly, the laser wavelength selected by the fabry-perot filter always maintains the condition of maximum transmission powr. A wavelength locking system has been demonstrated using a fiber fabry-perot filter with a free spectral range of 80nm and an FWH of 1nm. The voltages of the sine wave generated for dithering was 20mV and 10mV, the frequency was 2kHz and center wavelength of the tunable laser was 1550nm. In this paper, the locking system have 20ms of locking time and 2nm of locking range.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.22
no.8
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pp.1622-1631
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1997
A 3-stages Active Microstrip Phased Array Antenn(AMPAA) is implemented using Injection-Locking Coupled Oscillators(ILCO). The AMPAA is a beam scanning active antenna with capability of electrical scanning by frequency varation of ILCO. The synchronization of resonance frequencies in array elements is occured by ILCO, and the ILCO amplifies the injection signal and functions as a phase shifter. The microstrip ptch is operated as a radiation element. The unilateral amplifier is a mutual coupling element of AMPAA, eliminates the reverse locking signal and controls the locking bandwidth of ILCO. The possibility of Monolithic Microwave Integrated Circuits(MMIC) of T/R module is proposed by simplified and integrated fabrication process of AMPAA. The 0.75.$lambda_{0}$ is fixed for a mutual coupling space to wide the scanning angle and minimize the multi-mode. The AMPAA has beam scanning angle of 31.4.deg., HPBW(Half Power Beam Widths) of 26.deg., directive gain of 13.64dB and side lobe of -16.5dB were measured, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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