Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.36-36
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2010
Currently, there are several newly developed energy resources for the future to replace petroleum resources such as hydrogen fuel cell, solar cell, wind power, and etc. Among them, solar cell has attracted a worldwide concern, because it has an enormous amount of resources. In general, a study of solar cells can be classified in to an area of bulk type and thin-film type. Inorganic solar cells based on silicon have been tremendously developed in technology and efficiency. However, since there are many lithographic steps, high processing temperature approximately $1000^{\circ}C$, and expensive raw materials, a manufacturing cost of device are nearly reaching a limit. Contrary to those disadvantages, organic solar cells can be manufactured at room temperature. Also, it has many advantages such as a low cost, easy fabrication of thin film, and possible manufacture to a large size. Because it can be made to be flexible, research and development on solar cells are actively in progress for the next generation. ever though an efficiency of the organic solar cell is low compared to that of inorganic one, a continuous study is needed. In this paper, we report optimal device structure obtained by a program simulation for design and development of highly efficient organic photovoltaic cells. we have also compared simulated results to experimental ones.
In recent years, laser induced graphene process have been intensively studied for eco-friendly electronic device such as flexible electronics or thin film based energy storage devices because of its simple and effective process. In order to increase the performance and efficiency of an electronic device using such a graphene patterned structure, it is essential to study an optimized laser patterning condition as small as possible linewidth while maintaining the graphene-specific 2-dimensional characteristics. In this study, we analyzed to find the optimal line pattern by using a Ti:sapphire femtosecond laser based photo-thermal reduction process. we tuned intensity and scanning speed of laser spot for generating effective graphene characteristic and minimum thermal effect. As a result, we demonstrated the reduced graphene pattern of 30㎛ in linewidth by using a focused laser beam of 18㎛ in diameter.
Jin, Mi-Jin;Um, Doo-Seung;Ogbeide, Osarenkhoe;Kim, Chang-Il;Yoo, Jung-Woo;Robinson, J. W. A.
Advances in nano research
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v.13
no.3
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pp.259-267
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2022
Two-dimensional (2D) transition metal carbides/nitrides or "MXenes" belong to a diverse-class of layered compounds, which offer composition- and electric-field-tunable electrical and physical properties. Although the majority of the MXenes, including Ti3C2Tx, are metallic, they typically show semiconductor-like behaviour in their percolated thin-film structure; this is also the most common structure used for fundamental studies and prototype device development of MXene. Magnetoconductance studies of thin-film MXenes are central to understanding their electronic transport properties and charge carrier dynamics, and also to evaluate their potential for spin-tronics and magnetoelectronics. Since MXenes are produced through solution processing, it is desirable to develop deposition strategies such as inkjet-printing to enable scale-up production with intricate structures/networks. Here, we systematically investigate the extrinsic negative magnetoconductance of inkjetprinted Ti3C2Tx MXene thin-films and report a crossover from weak anti-localization (WAL) to weak localization (WL) near 2.5K. The crossover from WAL to WL is consistent with strong, extrinsic, spin-orbit coupling, a key property for active control of spin currents in spin-orbitronic devices. From WAL/WL magnetoconductance analysis, we estimate that the printed MXene thin-film has a spin orbit coupling field of up to 0.84 T at 1.9 K. Our results and analyses offer a deeper understanding into microscopic charge carrier transport in Ti3C2Tx, revealing promising properties for printed, flexible, electronic and spinorbitronic device applications.
Donghun Lee;Seongmin Jeong;Hak Su Jang;Dongju Ha;Dong Yeol Hyeon;Yu Mi Woo;Changyeon Baek;Min-Ku Lee;Gyoung-Ja Lee;Jung Hwan Park;Kwi-Il Park
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.37
no.4
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pp.427-432
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2024
The polymer crystallization process, promoting the formation of ferroelectric β-phase, is essential for developing polyvinylidene fluoride (PVDF)-based high-performance piezoelectric energy harvesters. However, traditional high-temperature annealing is unsuitable for the manufacture of flexible piezoelectric devices due to the thermal damage to plastic components that occurs during the long processing times. In this study, we investigated the feasibility of introducing a flash lamp annealing that can rapidly induce the β-phase in the PVDF layer while avoiding device damage through selective heating. The flash light-irradiated PVDF films achieved a maximum β-phase content of 76.52% under an applied voltage of 300 V and an on-time of 1.5 ms, a higher fraction than that obtained through thermal annealing. The PVDF-based piezoelectric energy harvester with the optimized irradiation condition generates a stable output voltage of 0.23 V and a current of 102 nA under repeated bendings. These results demonstrate that flash lamp annealing can be an effective process for realizing the mass production of PVDF-based flexible electronics.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.160-160
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2010
Organic electronic devices require a passivation layer to ensure sufficient lifetime. Specifically, flexible organic electronic devices need a barrier layer that transmits less than $10^{-6}\;g/m^2/day$ of water and $10^{-5}\;g/m^2/day$ of oxygen. To increase the lifetime of organic electronic device, therefore, it is indispensable to protect the organic materials from water and oxygen. Severe groups have reported on multi-layerd barriers consisting inorganic thin films deposited by plasma enhenced chemical deposition (PECVD) or sputtering. However, it is difficult to control the formation of granular-type morphology and microscopic pinholes in PECVD and sputtering. On the contrary, atomic layer deoposition (ALD) is free of pinhole, highly uniform, conformal films and show good step coverage. In this study, the passivation layer was deposited using single-process PEALD. The passivation layer, in our case, was a bilayer system consisting of $Al_2O_3$ films and a $TiO_2$ buffer layer on a poly (ether sulfon) (PES) substrate. Because the deposition temperature and plasma power have a significant effect on the properties of the passivation layer, the characteristics of the $Al_2O_3$ films were investigated in terms of density under different deposition temperatures and plasma powers. The effect of the $TiO_2$ buffer layer also was also addressed. In addition, the water vapor transmission rate (WVTR) and organic light-emitting diode (OLEDs) lifetime were measured after forming a bilayer composed of $Al_2O_3/TiO_2$ on a PES substrate.
Silver nanowire-based transparent electrodes are very attractive as a next-generation flexible and transparent electrode that can replace ITO-based flexible electrodes because they have excellent conductivity, transmittance and mechanical flexibility. However, weak understanding of the silver nanowire solution for the fabrication of silver nanowire-based transparent electrodes often cause abnormal operation of the electrical device or peeling problem of the electrode films when applied to electronic devices. Here, we studied a Hydroxypropyl Methylcellulose (HPMC) adhesion promoter, which is one of the additives for silver nanowire solution, to improve the understanding of silver nanowire solution. In detail, it is characterized how the HPMC changes the properties of silver nanowire solution and silver nanowire film, which is fabricated with silver nanowire solution including the HPMC adhesion promoter. As the characteristics of solution, polar surface tension and dispersive surface tension were measured. As the film characteristics, surface energy, surface morphology, silver nanowire density, and sheet resistance were analyzed.
The energy harvesting device is known to be promising as an alternative to solve the resource shortage caused by the depletion of petroleum resources. In order to overcome the limitations (environmental pollution and low mechanical properties) of piezoelectric elements capable of converting mechanical motion into electrical energy, many studies have been conducted on a polymer matrix-based composite piezoelectric energy harvesting device. In this paper, the output performance and related applications of the reported piezoelectric composites are reviewed based on the applied materials and processes. As for the piezoelectric fillers, zinc oxide, which is advantageous in terms of eco-friendliness, biocompatibility, and flexibility, as well as ceramic fillers based on lead zirconate titanate and barium titanate, were reviewed. The polymer matrix was classified into piezoelectric polymers composed of polyvinylidene fluoride and copolymers, and flexible polymers based on epoxy and polydimethylsiloxane, to discuss piezoelectric synergy of composite materials and improvement of piezoelectric output by high external force application, respectively. In addition, the effect of improving the conductivity or the mechanical properties of composite material by the application of a metal or carbon-based secondary filler on the output performance of the piezoelectric harvesting device was explained in terms of the structure of the composite material. Composite material-based piezoelectric harvesting devices, which can be applied to small electronic devices, smart sensors, and medicine with improved performance, can provide potential insights as a power source for wireless electronic devices expected to be encountered in future daily life.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.100-100
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2016
Among various two-dimensional (2D) materials, 2D semiconductors and insulators have attracted a great deal of interest from nanoscience community beyond graphene, due to their attractive and unique properties. Such excellent characteristics have triggered highly active researches on 2D materials, such as hexagonal boron nitride (hBN), molybdenum disulfide (MoS2), and tungsten diselenide (WSe2). New physics observed in 2D semiconductors allow for development of new-concept devices. Especially, these emerging 2D materials are promising candidates for flexible and transparent electronics. Recently, van der Waals heterostructures (vdWH) have been achieved by putting these 2D materials onto another, in the similar way to build Lego blocks. This enables us to investigate intrinsic physical properties of atomically-sharp heterostructure interfaces and fabricate high performance optoelectronic devices for advanced applications. In this talk, fundamental properties of various 2D materials will be introduced, including growth technique and influence of defects on properties of 2D materials. We also fabricate high performance electronic/optoelectronic devices of vdWH, such as transistors, memories, and solar cells. The device platform based on van der Waals heterostructures show huge improvement of devices performance, high stability and transparency/flexibility due to unique properties of 2D materials and ultra-sharp heterointerfaces. Our work paves a new way toward future advanced electronics based on 2D materials.
Kim, Youngjun;Jung, Hyojin;Jin, Hyungki;Chun, Sungwoo;Park, Wanjun
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.228.2-228.2
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2014
Characteristics of high Fermi velocity, high mechanical strength, and transparency offer tremendous advantages for using graphene as a promising transparent conducting material [1] in electronic devices. Although graphene is a prospective candidate for touch sensor with strong mechanical properties [2] and flexibility, only few investigations have been carried out in the field of sensor as a device form. In this study, we suggest ultra-highly sensitive and transparent graphene touch sensor fabricated by single layer graphenes. One of the graphene layers is formed in the top panel as a disconnected graphene beam transferred on PDMS, and the other of the graphene layer is formed with line-patterning on the bottom panel of triple structure PET/PI/SiO2. The touch sensor shows characteristics of flexible. Its transmittance is approximately 75% where transmittance of the top panel and the bottom panel are 86.3% and 87%, respectively, at 550 nm wavelength. Sheet resistance of each graphene layer is estimated as low as $971{\Omega}/sq$. The results show that the conductance change rate (${\Delta}C/C0$) is $8{\times}105$ which depicts ultra-high sensitivity. Moreover, reliability characteristic confirms consistent behavior up to a 100-cycle test.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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v.11
no.6
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pp.48-54
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2012
In recent years, developments in the semiconductor and electronic industries have brought a rapid increase in the use of large size silicon. However, for many companies, it is hard to produce 400mm or 450mm wafers, because of excesive funds for exchange the equipments. Therefore, it is necessary to investigate 300mm wafer to obtain a better efficiency and a good property rate. Polishing is one of the important methods in manufacturing of Si wafers and in thinning of completed device wafers. This research investigated the surface characteristics that apply variable machining conditions and Taguchi Method was used to obtain more flexible and optimal condition. In this study, the machining conditions have head speed, oscillation speed and polishing time. By using optimum condition, it achieves a ultra precision mirror like surface.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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