Indium tin oxide (ITO) is widely used to make a transparent conducting film for various display devices and opto-electric devices. In this study, ITO films on glass substrate were fabricated by inductively coupled plasma (ICP) assisted dc magnetron sputtering. A two-turn rf coil was inserted in the process chamber between the substrate and magnetron for the generation of ICP. The substrates were not heated intentionally. Subsequent post-annealing treatment for as-deposited ITO films was not performed. Low-temperature deposition technique is required for ITO films to be used with heat sensitive plastic substrates, such as the polycarbonate and acrylic substrates used in LCD devices. The surface roughness of the ITO films is also an important feature in the application of OLEDs along with the use of a low temperature deposition technique. In order to obtain optimum ITO thin film properties at low temperature, the depositions were carried out at different condition in changing of Ar and $O_2$ gas mixtures, ICP power. The electrical, optical and structural properties of the deposited films were characterized by four-point probe, UV/VIS spectrophotometer, atomic force microscopy(AFM) and x-ray diffraction (XRD). The electrical resistivity of the films was -l0$^{-4}$$\Omega$cm and the optical transmittance in the visible range was >85%. The surface roughness ( $R_{rms}$) was -20$\AA$.>.
Indium-tin oxides (ITO) films have been widely used as transparent electrodes for optoelectronic devices such as organic light emitting diodes (OLEDs), photovoltaics, touch screen devices, and flat-paneldisplay. In particular, to improve hole injection efficiency in OLEDs, transparent electrodes should have high work-function besides their transparency and low resistivity. Nevertheless, few studies have been made on engineering the work function of ITO for use as an efficient anode. In this study, the effects of a wide range of Nb or Zn doping rate on the changes in work functions of ITO anode were investigated. The Nb or Zn doped ITO films were fabricated on glass substrates using combinatorial sputtering system which yields a linear composition spread of Nb or Zn concentration in ITO films in a controlled manner by co-sputtering two targets of ITO and Nb2O5 or ITO and ZnO. We have also examined the resistivity, transmittance, and other structural properties of the Nb or Zn-doped ITO films. Furthermore, OLEDs employing Nb or Zn-doped ITO anodes were fabricated and the device performances were investigated concerned with the work function changes.
The transparent conducting oxides(TCOs) are widely used as electrodes for most flat panel display devices(FPDs), electrodes in solar cells and organic light emitting diodes(OLED). Among them, indium oxide materials are mostly used due to its high electrical conductivity and a high transmittance in the visible spectrum. The present study reports on a study of the electrical and optical properties of IGZO thin films prepared on glass and PET substrates by the combinational magnetron sputtering. We use the targets of IZO and Ga2O3 for the deposition process. In some case the deposition process is coupled with the End-Hall ion-beam treatment onto the substrates before the sputtering. In addition we control the deposition rate to optimize the film quality and to minimize the surface roughness. Then we investigate the effects of the Ar gas pressure and RF power during the sputtering process upon the electrical, optical and morphological properties of thin films. The properties of prepared IGZO thin films have been analyzed by using the XRD, AFM, a-step, 4-point probe, and UV spectrophotometer.
Electroluminescence is the light emission obtained by an electrical excitation energy passing through a phosphor under an applied high electrical field. EL are paid much attention on flat panel display as a backlight and indicator, which are divided into ACPRL(alternating-current powder electroluminescent) and ACTFEL(alternating-current powder electroluminescent). In this paper, Electric and emission properties on ACPEL are investigated based on ZnS:Cu phosphor. The basic structure on this is ITO glass/phosphor/insulator/ backelectrode, CR-M which has high efficiency on thermal properties and dielectric Properties was introduced and BaTiO$_3$ as a insulating layer in order to increase app1ied electric field on phosphor. Changing on Dielectric and emission Properties was caused by a different viscosity of binder which filled on space between phosphor particle. 60cd/$m^2$ under 60V, 2kHz sinusoidal was gotten from ACPELD prepared in this work.
The cargo containment system (CCS) for ships carrying cryogenic fluid consists of at least two levels of barriers and insulation layers. It is because, even though there is a small amount of leak through the primary barrier, the liquid tight secondary barrier blocks further leakage of the cryogenic fluid. However, once the secondary barrier is damaged, it is highly possible that the leaked cryogenic fluid flows through the flat joint made of glass wool and reaches the inner hull of the ship. The primary objective of the present study is to investigate the influence of the damage extent in the secondary barrier on the amount of leaked cryogenic fluid reaching the inner hull and the temperature distribution there. Simulation results using a computational fluid dynamics tool were compared with the experimental data for the leaked cryogenic fluid flow and evaporation in the secondary insulation layer. The experimental and computational results suggest that, unless there is a massive leak, the cryogenic fluid mostly evaporates in the insulation layer and does not reach the inner hull in the state of liquid.
The objective of this research is to investigate the artistic meaning of "infinity," manifested by the fourth dimensional value in the genres of photography and architecture, by analyzing how Sugimoto Hiroshi's photographic spatio-temporal infinity transfers to his architectural approaches. The research is initiated by scrutinizing the themes, characteristics, techniques, and artistic meaning of Sugimoto's famous photographic series, including "Seascapes," "Theatres," and "Architecture"; the concept of infinity can be defined as infinite divergence and infinitesimal convergence between antithetical concepts in time, space, and being. Sugimoto's photographic works display "temporal infinity" by connecting ancient times, the present, and the future; "spatial infinity" by offering the potential for transformation from flat photographs into infinite three-dimensional space and fourth-dimensional concepts through time; and "existential infinity" of life and death by making us think about being and essence, being and time, and origin and religion. These perspectives are also used to analyze Sugimoto's architectural works, such as "Appropriate Proportion" and "Glass Tea House Mondrian." As a result, the research finds that in Sugimoto's architectural approaches, spatio-temporal infinity between antithetical values is manifested through the concept of origin, geometric form, extended axis, immaterial threshold, transparent materiality, and connectivity of light and shadow, provoking our existence to transcend into infinity itself.
The rapid thermal annealing effect of transparent IZTO(indium zinc oxide) and IAZO(indium alminium zinc oxide) films grown on glass substrate for solar cell or flat panel displays(FPDs) was studied. We prepared IZTO using RF magnetron sputtering and IAZO using DC co-sputtering method. Subsequently, using rapid thermal annealing(RTA) system, prepared IZTO and IAZO films were annealed at 300, 400, 500, $600^{\circ}C$ for 90sec. In addition, Electrical and optical characteristics were measured by Hall effect measurement and UV/Vis spectrometer examinations, respectively. To analyze structural properties and surface smoothness of the IZTO and IAZO films, XRD and SEM examinations were performed, respectively. It was shown that IZTO and IAZO films exhibited microcrystalline structure over $400^{\circ}C$ and amorphous structural regardless of RTA temperature, respectively.
Nowadays, ZnO thin films are investigated as transparent conductive electrodes for use in optoelectronics devices including flat displays, thin films transistors, solar cells because of their unique optical and electrical properties. For the use as transparent conductive electrodes, a film has to have low resistivity, high absorption in the ultra violent light region and high optical transmission in the visible region. Different technologies such as electron beam evaporation, chemical vapor deposition, laser evaporation, DC and RF magnetron sputtering and have been reported to produce thin films of ZnO with adequate performance for applications. However, highly transparent and conductive doped-ZnO thin films deposited by a metal-organic decomposition method have not been reported before. In this work, the effect of dopant concentration, heating treatment and annealing in areducing atmosphere on the structure, morphology, electrical and optical properties of ZnO thin films deposited on glass substrates by a Sol-gel method are investigated.
The development of next generation displays such as flexible display is a major challenge. Most materials and processes in current flat panel display industry cannot be transferred to flexible substrates. Typically, indium tin oxide (ITO) thin films are brittle and need to be deposited at high temperature to achieve an optimal opto-electrical property, therefore ITO films cannot be used as a flexible electrode. Up to date, many alternative materials to ITO have been proposed such as conductive polymers, nanometals, solution deposited transparent conductive oxide(TCO) and carbon nanotubes(CNTs). CNT based transparent conductive films are fabricated on glass and polymer substrates. CNT thin films exhibit a sheet resistance ($R_s$) of nearby $10^3\;{\Omega}/sq$ with a transmittance of around 80% on the visible light range, which is attributed by excellent dispersion and interaction among CNTs, solvents and polymeric binders. This talk will present the current studies, opto-electrical properties, design criteria and its applications for CNT-based transparent conductive films.
$TiO_2$(2 wt.%)-doped ZnO(TZO) films with thickness from 100 nm to 500 nm were prepared on polyethylene naphthalate(PEN) substrate under various rf-power range from 40 W to 80 W. Their electrical and optical properties were investigated as a function of rf-power. We think that these properties were closely related with the crystallization and the film density of TZO films. It was also presumed that the vaporization of the water vapor and other adsorbed particles such as an organic solvents can affect the electrical properties of the conventional transparent conductive oxide(TCO) films. On the other hand, since the TZO film deposited on glass substrate at room temperature with rf-power of 80 W shows a very low resistivity of $7.5\times10^{-4}\;\Omega{\cdot}cm$ and a very excellent transmittance over an average 85% in the visible range, that is comparable to that of ITO films. Therefore, we expect that the TZO films can be used as transparent electrode for optoelectronic devices such as touch-panels, flat-panel displays, and thin-film solar cells.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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