• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 컴퓨터소사이어티 추계학술대회논문집
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• pp.15-18
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• 2003

Flash memory becomes more important for its fast access speed, low-power, shock resistance and nonvolatile storage. But its native restrictions that have limited 1ifetime, inability of update in place, different size unit of read/write and erase operations need to managed by FTL(Flash Translation Layer). FTL has to control the wear-leveling, address mapping, bad block management of flash memory. In this paper, we focuses on the fast access to address mapping table and proposed the way of faster valid page search in the flash memory using the VPLT(Valid Page Lookup Table). This method is expected to decrease the frequency of access of flash memory that have an significant effect on performance of read and block-transfer operations. For the validations, we implemented the FTL based on Windows CE platform and obtained an improved result.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권3호
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• pp.94-100
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• 2008

컴팩트 플래시 메모리와 같은 휴대용 저장장치 표준에서는 플래시 메모리 시스템 소프트웨어인 FTL(Flash Translation Layer)이 필요하다. 본 논문에서는 논리 주소를 물리 주소로 빠르게 변환하기 위해 Clustered Hash Table과 2단계 소프트웨어 캐시 기법을 사용하여 FTL을 설계하였다. 실험 결과 본 논문에서 제안한 CFTL이 잘 알려진 NFTL과 AFTL보다 각각 13%, 8% 이상 주소 변환 성능이 빠르고 AFTL보다 메모리 사용량을 75% 이상 감소시켰다.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제15권1호
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• pp.1-13
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• 2009

플래시 메모리는 크기가 작고, 적은 전력을 사용하며 충격에 강하기 때문에 MP3 플레이어, 핸드폰, 디지털 카메라와 같은 휴대용 기기에서 저장장치로 널리 사용되고 있다. 플래시 메모리의 많은 장점 때문에 개인용 컴퓨터 및 노트북에서 사용되는 저장장치인 하드디스크를 플래시 메모리로 대체하고자 하는 연구도 진행되고 있다. 플래시 메모리는 덮어쓰기가 허용되지 않으며 읽기/쓰기의 기본 단위와 삭제의 기본 단위가 다르기 때문에 FTL(Flash Translation Layer)라는 플래시 변환 계층을 사용한다. 최근에는 기존의 플래시 메모리와 다른 물리구조와 특성을 갖는 대블록 플래시 메모리가 등장하여 기존의 FTL을 그대로 사용하게 되면 플래시 메모리를 효율적으로 사용할 수 없다. 본 논문에서는 기존의 FTL 중 가장 좋은 성능을 내는 FAST(Fully Associative Sector Translation)을 기반으로 데이타블록 내에서 페이지단위 사상을 적용하여 대블록 플래시 메모리의 특성에 맞는 FTL 기법을 제안한다.

• 한국실내디자인학회논문집
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• 제22권6호
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• pp.181-189
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• 2013

Space in the past had characteristics of place which are required for specific behavior to be done as we recognized it easily. However, for space in modern times, the purpose, forms and behavior space has, have changed as tools comprising the space have changed. 'Virtual space' which has been a conversation topic recently is unspecific and changeable space whose forms and geological location are not defined clearly. In addition, behaviors caused by this virtual space in combination with real space are taking place. The nature of Flash Mob which is one of the typical behaviors which take place starting from virtual space to be connected with real space, is that it is intangible game culture whose forms and behaviors are not fixed, and it is not limited to a specific place. Besides, Flash Mob is characteristic of representing game culture in modern society, and its nature can be summarized as temporariness, non-placeness, anonymity, double-sidedness and so forth. Since events generally take place in every place when man is involved in space, it's possible to generally think events derived from interpersonal relationships between man and man. We are to study spatial characteristics of Flash Mob by analyzing features and cases of the Flash Mob by means of them.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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• pp.145-150
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• 1998

8$\times$8 bit scaled SONOSFET NAND type flash EEPROM that shows better characteristics on cell density and endurance than NOR type have been designed and its electrical characteristics are verified with computer aided simulation. For the simulation, the spice model parameter was extracted from the sealed down SONOSFET that was fabricated by $1.5mutextrm{m}$ topological design rule. To improve the endurance of the device, the EEPROM design to have modified Fowler-Nordheim tunneling through the whole channel area in Write/Erase operation. As a result, it operates Write/Erase operation at low current, and has been proven Its good endurance. The NAND type flash EEPROM, which has upper limit of V$_{th}$, has the upper limit of V$_{th}$ as 4.5V. It is better than that of floating gate as 4V. And a EEPROM using the SONOSFET without scaling (65$\AA$-l65$\AA$-35$\AA$), was also designed and its characteristics have been compared. It has more possibliity of error from the V$_{th}$ upper limit as 4V, and takes more time for Read operation due to low current. As a consequence, it is proven that scaled down SONOSFET is more pertinent than existing floating gate or SONOSFET without scaling for the NAND type flash EEPROM.EPROM.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권1호
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• pp.7-14
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• 2009

NAND 플래시 메모리를 이용한 카드가 보편화되어 이제는 대량의 멀티미디어 데이터를 모두 저장할 수 있는 수준에 이르렀다. 하지만 NAND 플래시 셀(cell)의 느린 동작으로 인하여 대량의 데이터를 빠르게 전송하기에는 많이 부족한 수준이다. 즉 대량의 멀티미디어 데이터를 NAND 플래시 메모리 카드로 전송할 경우 많은 시간이 걸리는 단점이 있다. 이에 본 논문에서는 데이터 전송률을 높이기 위한 새로운 하드웨어 및 소프트웨어의 구조를 제안한다. 제안하는 구조에서는 기존의 직렬 처리(serial processing) 기법과 다른, 다중 처리(multiprocessing) 기법을 사용하였다. 제안된 구조를 이용하여 VIP(Virtual IP) 환경에서 시뮬레이션하고 FPGA 보드환경에서 최종 실험하였다. 실험 결과 VIP환경에서는 160MB/s의 다운로드 성능을 볼 수 있었으며, FPGA 보드환경에서는 85.3MB/s의 다운로드 성능을 볼 수 있었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.867-870
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• 1999

In this paper, we designed a 8-bit flash ADC, which can be used in fully differential circuits. We adopted a 2-step flash architecture with digital correction. The designed ADC is expected to work at the sampling frequency of 30MHz. We carried out the layout with 0.65${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS technology The core size is 1.587mm$\times$1.069mm.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제11권4호
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• pp.305-311
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• 2005

휴대전화와 PDA 등에서 수행되는 플래시 메모리 소프트웨어는 돌발적인 전원 중단이나 기록매체 폴트에 대처하기 위하여 충분히 테스트되어야 한다 이러한 테스트를 위하여, 폴트 삽입 기능을 가지는 플래시 메모리 에뮬레이터를 설계하고 구현하였다. 폴트 삽입을 통한 테스트 기법은 FTL(Flash Translation Layer)과 플래시 메모리 기반 파일 시스템의 폴트 회복 기법을 설계하고 폴트로 인한 피해를 분석하는데 유용한 도구로 사용되었다. 본 논문에서는 플래시 메모리에서 관찰되는 폴트의 유형과 플래시 메모리 에뮬레이터에서 구현된 폴트 삽입 기능에 대해 설명한다. 그리고 폴트 삽입 테스트 과정에서 밝혀진 디자인 결함에 대하여 설명한다. 특히 신뢰성을 향상하기 위하여 도입된 기능이 신뢰성을 향상하기 보다 피해를 유발하는 것으로 밝혀졌다. 마지막으로 FTL과 파일 시스템의 "폴트 후 동작"에 대해 설명한다

• 청정기술
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• 제26권4호
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• pp.279-285
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• 2020

Laboratories and industrial processes typically involve the use of flammable substances. An important property used to estimate fire and explosion risk for a flammable liquid is the flash point. In this study, flash point data at 101.3 kPa were determined using a SETA closed cup flash point tester on the following solvent mixtures: {2,2,4-trimethylpentane + methylcyclohexane}, {2,2,4-trimethylpentane + ethylbenzene}, and {2,2,4-trimethylpentane + p-xylene}. The purpose of this work is to obtain flash point data for binary mixtures of 2,2,4-trimethylpentane with three hydrocarbons (methylcyclohexane, ethylbenzene, and p-xylene), which are representative compounds of the main aromatic hydrocarbon fractions of petroleum. The measured flash points are compared with the predicted values calculated using the GE models' activity coefficient patterns: the Wilson, the Non-Random Two-Liquid (NRTL), and the UNIversal QUAsiChemical (UNIQUAC) models. The non-ideality of the mixture is also considered. The average absolute deviation between the predicted and measured lower flash point s is less than 1.99 K, except when Raoult's law is calculated. In addition, the minimum flash point behavior is not observed in any of the three binary systems. This work's predicted results can be applied to design safe petrochemical processes, such as identifying safe storage conditions for non-ideal solutions containing volatile components.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제22권1호
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• pp.7-15
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• 1998

An upper bound elemental technique(UBET) program has been developed to analyze forging load, die-cavity filling and effective strain distribution for flash and flashless forgings. The program consists of forward and backward tracing processes. In the forward program, flash, die filling and forging load are predicted. In backward tracing process, the optimum dimensions of initial billet in conventional forging are determined from the final-shape data based on flash design. And the analysis is described for merit of flashless precision forging. Experiments are carried out with pure plasticine billets at room temperature. The theoretical predictions of forging load and flow pattern are in good agreement with the experimental results.