• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.95.1-95
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• 2002

• 한국막학회:학술대회논문집
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• 한국막학회 2005년도 추계 총회 및 학술발표회
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• pp.63-66
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• 2005

• Membrane and Water Treatment
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• 제2권3호
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• pp.187-205
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• 2011

The electric transport of the mixture of hydrochloric and phosphoric acids through strong base (Neosepta ACM) and weak base (Selemion AAV) anion-exchange membranes was investigated. The instantaneous efficiency of HCl removal from the cathode solution, $CE_{Cl}$, with and without $H_3PO_4$ was determined. It was found that $CE_{Cl}$ was 0.8-0.9 if the number of moles of elementary charge passed through the system, $n_F$, did not exceed ca. 80% of the initial number of HCl moles in the cathode solution, $n_{Cl,ca,0}$. The retention efficiency of $H_3PO_4$ in that range was close to one. The transport of acid mixtures was satisfactorily described by a model based on the extended Nernst-Planck and Donnan equations for $n_F$ not exceeding $n_{Cl,ca,0}$. Among the tested model parameters, most important were: concentration of fixed charges, the porosity-tortuosity coefficient, and the partition coefficient of an undissociated form of $H_3PO_4$. For the both membranes, the obtained optimal values of fixed charge concentration, $\bar{c}_m$, were up to 40% lower than the literature values of $\bar{c}_m$ obtained from the equilibrium measurements. Regarding the $H_3PO_4$ equilibria, it was sufficient to consider $H_3PO_4$ as a monoprotic acid.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
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• pp.50.1-50.1
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• 2010

결정질 실리콘 태양전지의 원가에서 Wafer는 60~70%의 매우 높은 비중을 차지하고 있다. 많은 연구들이 원가 절감을 위하여 Wafer의 두께를 감소시키는 것에 집중하고 있다. 그러나 Wafer 두께의 감소는 태양전지의 효율 감소와 공정 진행 중에 파손율이 상승하는 등의 문제가 발생한다. 이에 본 논문에서는 결정질 태양전지 구조 중에서 24.7% 이상의 최고 변환 효율을 갖는 PERL(Passivated Emitter, Rear Locally diffuse) 구조를 대상으로 wafer 두께 감소에 따른 변환 효율 감소의 원인과 해결 방안을 제시하고자 한다. Simulation으로 확인한 결과 370 um 두께의 wafer에서 24.2 %의 효율은 50 um 두께의 wafer에서는 20.8 %로 감소함을 확인할 수 있었다. 얇아진 wafer에서 감소한 효율을 개선하기 위하여 후면 recombination velocity, 후면 fixed charge density, 후면 산화막 두께 등을 다양화하여, 각각의 경우에 대한 cell의 효율 변화를 살펴보았다. 그 결과 후면 recombination velocity, 후면 fixed charge density, 후면 산화막 두께를 최적화 하여, 각각 2.8 %p, 1.5 %p, 2.8 %p의 효율 개선 효과를 얻었다. 위 세 가지 효과를 동시에 적용하면 50 um wafer에서 370 um wafer 효율의 결과와 근접한 24.2 %의 효율을 얻을 수 있었다. 향후에는 위의 결과를 바탕으로 실제 실험을 통하여 확인할 계획이다.

• 인터넷정보학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.119-128
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• 2008

상용의 소프트웨어를 사용하기 위해서 대부분의 소프트웨어 사용자는 그 소프트웨어를 구입하여야한다. 하지만 해당 소프트웨어에 대한 사용 시간이 길지 않은 경우, 그 소프트웨어 비용은 과다한 지출로 인식된다. 소프트웨어 임대 서비스는 이러한 경우 효과적인 대안일 수 있다. 소프트웨어 임대를 지원하기 위해서는 요금 부과 기법이 필요하다. 두 종류의 요금 부과 기법이 생각될 수 있다. 하나는 특정 기간 소프트웨어 사용에 대하여 일정한 요금을 부과하는 것이며 다른 하나는 실제 사용한 시간에 따라 요금을 부과하는 것이다. 이 논문에서는 소프트웨어의 실제 사용 시간에 따라 요금을 부과하는 기법을 제안한다 소프트웨어의 실제 사용 시간에 따라 요금을 부과하기 위하여 사용 시간을 정화하게 측정할 수 있는 기법을 고안하였다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2007년도 가을 학술발표논문집 Vol.34 No.2 (C)
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• pp.371-374
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• 2007

본 논문에서는 고정 비용을 고려한 비선형 수송문제(Fixed Charge Non-linear Transportation Problem)에 대해 다룬다. 이는 한 종류의 상품을 다수의 공급처에서 다수의 수급처로 수송할 때, 총 수송비용과 고정 비용이 최소가 되도록 각 공급처와 수급처 간의 수송량을 결정하는 문제이다. 현재 비선형 수송문제에 대한 다양한 해법들이 제안되고 있으며 그 중에서도 메타 휴리스틱을 이용한 해법들이 가장 활발히 연구되고 있다. 본 논문에서는 메타 휴리스틱 방법들중에 가장 널리 이용되고 있는 유전 알고리즘을 이용한 해법을 제시하고자 한다. 유전 알고리즘을 적용함에 있어서 제일 첫 관문은 해의 유전자표현을 어떻게 나타낼 것인가이다. 본 논문에서는 수송문제의 해를 걸침나무로 표현할 수 있다는 점 에 착안하여 다양한 트리 표현법을 수송문제에 적용해 보고 수치 실험을 통해 그 성능에 대한 비교 연구를 한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 추계종합학술대회
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• pp.969-972
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• 2007

수송문제는 산업공학 및 전자계산학 분야에서 중요한 문제 중의 하나로 인식된다. 수송문제가 시설을 수립하거나 고객들의 요구를 이행하기 위한 추가적인 고정 비용과 연관될 때, 이를 고정비용을 고려한 비선형 수송문제(Fixed Charge Non-linear Transportation Problem)라 한다. 고정비용을 고려한 비선형 수송문제는 한 종류의 상품을 다수의 공급처에서 다수의 수급처로 수송할 때, 수송비용과 고정비용이 최소가 되도록 수송량을 결정하는 문제이다. 본 논문에서는 이 비선형 수송문제에 가장 많이 쓰이는 메타 휴리스틱 방법들 중 유전 알고리즘을 이용한 해법을 제시한다. 유전 알고리즘을 적용함에 있어서 가장 중요한 것 중에 하나는 해의 유전자표현을 어떻게 나타낼 것인가 인데, 본 논문에서는 수송문제의 해를 걸침나무로 표현할 수 있다는 점에 착안하여 유전자 표현법들을 수송문제에 적용해 보고 수치 실험을 통해 그 성능에 대한 비교를 한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1243-1245
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• 1994

SiN films were deposited in $Si_2H_6$(99.9%), $NH_3$(99.99%) gas mixture with carrier gas $N_2$ on Si substrate by ArF Excimer Laser CVD. SiN film deposition conditions that are substrate temperature and Laser average power were varied in order to investigate the dependence of SiN film on the condition. A post-deposition anneal was performed to examine variation of fixed charge density in the films. The deposition rate was increased as the substrate temperature and Laser power were increased during film deposition. The refractive index was increased with increasing substrate temperature, but it didn't have the dependence on Laser power. The fixed charge density was decreased when a post-deposition anneal was performed.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.379-381
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• 1994

Volume holograms recorded in photorefractive materials can find important applications in optical memories and optical computing systems. One problem with a photorefractive hologram is that it gets erased by the readout light. Nondestructive readout can be achieved by hologram fixing, and several fixing methods have been reported. Fixing is accomplished by thermally activated motion of an unknown ionic defect, which neutralizes the electronic space-charge patterns. At room temperature the ionic patterns are stabilized. When the electrons are partially redistributed by light, a net space-charge pattern appears, and tile fixed hologram can be read out. In this paper, theoretical modeling and some experimental results are presented for thermal fixing of volume phase holograms in photorefractive $LiNbO_3$:Fe. Thermal fixing can be done during or after recording and depends on fixing temperature ($100{\sim}200^{\circ}C$ range) and grating length. Fixed Slating can be erased completely at the temperature over $300^{\circ}C$. Theoretical modeling shows weil the compensation of electronic Slating by ionic grating and is in good agreement with experimental results. In experiments the dependence of thermal fixing on temperatures and grating lengths is investigated.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권7호
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• pp.569-574
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• 2007

In this paper, the reliability (NBTI degradation: ${\Delta}V_{th}$) and device characteristic of nano-scale PMOSFET with plasma nitrided oxide (PNO) is characterized in depth by comparing those with thermally nitrided oxide (TNO). PNO case shows the reduction of gate leakage current and interface state density compared to TNO with no change of the $I_{D.sat}\;vs.\;I_{OFF}$ characteristics. Gate oxide capacitance (Cox) of PNO is larger than TNO and it increases as the N concentration increases in PNO. PNO also shows the improvement of NBTI characteristics because the nitrogen peak layer is located near the $Poly/SiO_2$ interface. However, if the nitrogen concentration in PNO oxide increases, threshold voltage degradation $({\Delta}V_{th})$ becomes more degraded by NBT stress due to the enhanced generation of the fixed oxide charges.