점착성과 소수성을 제거함으로써 실리콘 EVD 튜브의 성능을 향상시키기 위하여 저온 플라스마 공정을 이용한 실리콘 고무의 표면개질을 시도하였다. 고분자를 형성하지 않는 플라스마를 이용한 표면처리와 고분자를 형성하는 플라스마를 이용한 박막코팅 방법을 시도하였다. 박막코팅을 할 경우에 점착성이 특히 크게 줄어들었으며, 결과적으로 실험실 환경에서의 오염 정도를 줄일 수 있었다. 산소를 포함한 플라스마를 이응할 경우 튜브의 외부뿐만 아니라 내부의 표면을 친수성으로 개질시킴으로써, 결과적으로 수력학적 초기 저항을 줄일 수 있었다. 대부분의 경우에 있어서, 이러한 표면개질은 실리콘 튜브의 기계적 물성에 아무런 악영향을 끼치지 않았으며 영율, 인장강도, 인장율 등의 물성은 오히려 향상되었다.
생고분자를 이용한 포장 소재에 관한 연구는 많이 이루어지고 있으나 그 것의 상업적 식품 적용은 순수 생고분자의 비용과 생고분자 소재의 불충분한 물리적 성질에 의해 많은 제한을 받고 있다. 본 연구에서는 식품 가공 부산물인 DMM과 WPI를 이용하여 가식성 적층필름을 개발하였다. WPI 필름과의 적층을 통해 DMM 필름의 신장성과 열접합강도를 높일 수 있었고, 이로써 적층기술이 DMM 필름의 식품 포장에서의 적용 가능성을 높이는 방법으로 제시될 수 있었다. DMM 외 다른 식품 가공 부산물을 기초로 한 생고분자 필름들 개발에 있어서도 그들의 식품 적용성 향상의 방법으로 적층방법을 제안할 수 있으리라 사료된다.
본 연구에서는 폐기되는 성게 껍질을 이용한 생분해성 필름소재를 개발하고자 gelatin을 첨가한 복합필름 및 항산화, 항균성을 부여하기 위해 아까시 꽃 추출물(RFE)을 첨가한 필름을 제조하였다. 그 결과 gelatin 비율이 증가함에 따라 성게 껍질 필름의 인장강도가 증가하였고 신장률이 감소하였으며, 성게 껍질과 gelatin을 8:2 비율로 첨가하였을 때 최적의 물성을 보였다. 또한, 필름에 RFE를 첨가함에 따라 인장강도는 감소하였으나 신장률과 필름 투습도는 증가하였다. RFE 함유 성게 껍질 필름의 ABTS, DPPH 라디칼 소거능 측정과 디스크 확산법을 이용하여 항산화 및 항균 능력을 측정하였는데, RFE 농도가 증가함에 따라 항산화, 항균 능력이 향상하였다. 따라서 본 연구 결과, RFE를 첨가한 생분해 성게 껍질 필름은 적절한 물성과 함께 항산화, 항균 능력이 있기에 가공식품의 저장성을 증대시킬 수 있는 기능성 포장 소재로의 활용이 가능하다고 판단된다.
Langmuir-Blodgett(L.B) method is one of the most possible candidate for the fabrication of the micro scale memory or electrical devices. As for a fundamental study on the conduction mechanism in the organic thin membrane, N-alkyl quinolium-TCNQ complexes were synthesized and their physical properties were examined spectroscopically. LB film was produced by using Moving Wall Type LB Apparatus. The average area per molecule (N-docosylquinolium-TCNQ) was $67.97{\AA}^2$ which is ${\AA}^2$ larger than N-docosyl quinolium-TCNQ.
박막의 자왜와 그 측정에 연관되는 기판과 박막의 영율 및 자장 중에서 자성체의 영율이 변화하는 ${\Delta}\;E$ 효과 등을 하나의 장치로 측정하는 방법을 연구하였다. 박막이 중착된 기판을 전 극위에 나란하게 외팔보가 되게 지지하면, 전기용량이 형성되고, 그 용량은 시료자체의 무게, 인가된 자장 및 전기장에 의한 굴곡으로 미소변화하며 그것을 미소용량 브리지로 검출하여 역학적 계산으로 박막과 기판의 영율과 자왜 및 ${\Delta}\;E$ 효과를 측정항여 그 결과에 대하여 고찰하였다.
Biodegradable films were prepared from roasted sesame meal and rice bran. Acetic anhydride, succinic anhydride, and formaldehyde were added to the film-forming solutions, and their effects on tensile strength, percent elongation, water vapor permeability, and water solubility of the films were studied. Roasted sesame meal did not form film without acylation or addition of formaldehyde. Acylated roasted sesame films had higher tensile strength and water-solubility, and lower % elongation than rice bran films. Acylation with acetic and succinic anhydrides increased tensile strength, percent elongation, and water solubility of rice bran films, but decreased water vapor permeability. Treatment with formaldehyde increased tensile strength of roasted sesame and rice bran films and % elongation of rice bran films, while reducing water-solubility of roasted sesame and rice bran films and water vapor permeability of rice bran films.
Carbon nitride thin films were deposited by reactive sputtering for the hard coating materials on Si wafer and tool steels. When the nitrogen content of carbon nitride film on tool steel is 33.4%, the mean hardness and elastic modulus are 49.34 GPa and 307.2 GPa respectively. The nitrided or carburised surface acts as the diffusion barrier which shows better adhesion of carbon nitride thin film on the steel surface. To prevent nitrogen diffusion from the film, steel substrate can be saturated by nitrogen forming a Fe$_3$N layer. The desirable structure at the surface after carburising is martensite, but sometimes, due to high carbon content an proeutectoid Fe$_3$C structure may form at the grain boundaries, leaving the overall surface brittle and may cause defects.
Purpose : To evaluate the true projection angles of film-side mandibular condyles in panoramic and transcranial radiographs. Materials and Methods : 52 panoramic and transcranial radiographs of 4 condyles from two human dry mandibles with gradual horizontal and vertical angle changes were taken. The results were compared with the standard panoramic and transcranial radiographs and the identical pairs were selected. Results and Conclusion : Panoramic radiography projected 10 degrees to the film-sided condyles both horizontally and vertically. Transcranial radiography projected 15 degrees to the film-sided condyles vertically. The medial and lateral poles were not forming the outline of condylar images in both projections when the horizontal angles of condyles were not sufficiently big enough.
In this study, SiNx and Al2O3 thin film was manufactured using PECVD deposition process and applied to crystalline silicon solar cells, resulting in 16.7% conversion efficiency. The structural improvement experiment of the rear electrode resulted in a 1.7% improvement in conversion efficiency compared to the reference cell by reducing the recombination rate of minority carriers and increasing the carrier lifetime by forming a passivation layer consisting of SiNx and Al2O3 thin films through the PECVD process.
The effect of rear passivation for passivated emitter and rear cell (PERC) using ozone and H2O oxidant of atomic layer deposited (ALD) Al2O3 was studied by post-annealing in N2 and forming gas ambients. Rear surface of PERC solar cell was passivated by Al2O3 grown by ALD with ozone and H2O oxidant. Al2O3 grown by ALD with ozone oxidant has been known to have many advantages, such as lower interface defects, low leakage current density. Its passivation quality is better than Al2O3 with H2O. Al2O3 layer with 10 nm and 20 nm thickness was grown at $150^{\circ}C$ with ozone oxidant and at $250^{\circ}C$ with H2O oxidant. And then each samples were post-annealled at $450^{\circ}C$ in N2 ambients and at $850^{\circ}C$ in forming gas ambients. The passivation quality was investigated by measuring the minority carrier lifetime respectively. We examined atomic layer deposited Al2O3 such as growth rate, film density, thickness, negative fixed charge density at AlOx/Si interface, and reflectance. The influences of process temperature and heat treatment were investigated using Sinton (WCT-120) by Quasi-Steady State Photoconductance (QSSPC) mode. Ozone-based ALD Al2O3 film shows the best carrier lifetime at lower deposition temperature than H2O-based ALD.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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