• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2008년도 춘계종합학술대회 A
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• pp.755-760
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• 2008

영상 Display의 시장 동향과 기술 동향에 대하여 기술하였다. 영상 Display 로서는 그밖에 유기 EL(Electroluminescence), FED(Filed Emission Display) 등이 있고 차세대 Display도 개발이 진행되고 있다. 양자 모두 스스로 발광하는 형태를 취하기 위해서는 Back Light가 필요하지 않고, 박형과, 넓은 시야각, 또한 응답 속도가 빠르고 때문에 액정 Display 보다 유리하리라 판단된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.558-560
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• 1995

Tunneling current from filed emission display tips is calculated by numerical analysis using a finite element method software. For simple tip structures it is shown that the image charge method could provide an efficient way to estimate the tunneling current.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1543-1544
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• 2007

Carbon nanotubes (CNTs) are coated on green $ZnGa_2O_4:Mn^{2+}$ phosphor for filed emission display. The cathodoluminescent intensity of CNTs-phosphor is improved compared with uncoated phosphors. Also the effects of phosphors-coated CNTs on electrical and degradation characteristics are investigated to reveal the reason of the enhanced emission intensity.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권3호
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• pp.240-244
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• 2002

$Gd_2O_3,\;CeO_2$ 및 $NH_4Br$ 분말을 사용하여 GdOBr:Ce 형광체를 고상 반응으로 합성하였다. GdOBr:Ce 형광체는 370nm UV 여기 하에 410∼430nm의 영역에서 청색 발광스펙트럼을 보였으며, 2mol%의 Ce 농도에서 최대 발광특성을 나타냈다. FED용 형광체로의 응용 가능성을 알아보기 위해 GdOBr:Ce 형광체의 음극서 발광(CL)을 측정하였다. CL의 경우 PL과 동일한 영역인 410∼430nm에서 발광을 나타냈으며, Ce 농도가 1mol%일 때 발광의 최대치를 보였다. CL에서의 degradation 효과를 보기 위해 전자선을 10분간 조사하여 상용형광체와 비교하였다. 이로부터 GdOBr:Ce 형광체를 FED용 청색 형광체로 응용할 수 있는 가능성을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권12호
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• pp.824-828
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• 2016

In this study, effects of ICP (inductively coupled plasma) treatment on PAR thin film have been investigated. A maximum etch rate of the PAR thin films and the selectivity of PAR to PR were obtained as 110 nm/minand 1.1 in the $CF_4/O_2$ (5:15 sccm) gas mixture. We present the surface properties of PAR thin film with various treatment conditions. The surface morphology and cross section of the PAR thin film was observed by AFM (atomic force microscopy) and FE-SEM (filed emission scanning electron microscopy).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.263-266
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• 1999

Electrolunlinescent devices based on conjugated polymer emitting materials have been much attracted possible applications for multicolor flat panel display, since the conjugated polymers have a small band gap emitting obtained at a low driving voltage. In this paper, we fabricated the single layer EL device using poly(3-hexylthiophene) as emitting material Electroluminescence(EL) and I-V-L characteristics of indium-tin-oxide[ITO]P3HT/AI device with a various thickness were investigated. It was demonstrate that the I-V characteristics depend, not the voltage but the electric- field strength, The current is dependent on the electric filed and not on the applied voltage, indicating that the carriers are injected by a tunneling process. In the device, the barrier to hole injection is only 0.5eV and the barrier to electron injection is 1.5eV.