• 제목/요약/키워드: Field trapping

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급속 열처리 공정에 의한 초박막 재산화 질화산화막의 유전 특성 (Dielectrical Characteristics of Ultrathin Reoxidized Nitrided Oxides by Rapid Thermal Process)

  • 이용재;안점영
    • 한국통신학회논문지
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    • 제16권11호
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    • pp.1179-1185
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    • 1991
  • 초박막 재산화 질화산화막을 $1050^{\circ}C-1100^{\circ}C$ 온도에서 20, 40초 동안 산소 분위기에서 램프 가열 방법의 급속 열처리 공정에 의해 형성 시켰다. 초박막의 전기적 특성은 누설전류, 항복전압, 시간종속 항복과 F-N 관통을 분석 하였다. 질화와 재산화 조건에 따른 전하포획의 의존성 즉 고전계 스트레스에 유기되는 항복전하량$(Q_{BD})$ 증가 여부와 평탄대역 전압이동$(\DeltaV_{FB})$을 연구하였다. 분석 결과에 의하면, 급속 열처리 재산화시 유전적 성질이 상당히 개선되었고, 항복전하량은 증가되었으며, 평탄대역전압은 감소 되었다.

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코드 레이트가 높은 시스템에 있어서의 비이진코드의 디코더 설계 (Decoder Design of a Nonbinary Code in the System with a High Code Rate)

  • 정일석;강창언
    • 한국통신학회논문지
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    • 제11권1호
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    • pp.53-63
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    • 1986
  • 본 논문은 코드레이트가 R, 에러 정정 능력이 t일때, R>1/t를 만족하는 비이진 코드의 디코더 설계에 관한 연구이다. 에러 트래핑 디코딩 방식으로 설계하기 위해 카버링 단항식 개념을 도입하였으며, 실제 이를 이용하여 (15, 11) Reed-Solomon코드의 디코더를 구현하였다. 이 디코더 시스템은 Galois Field 곱셈 및 나눗셈 회로를 필요로 하지 않으므로 간단히 구성할 수 있었으며, 마이크로 컴퓨터를 이용하여 실험하였다. 본 연구의 결과로서, 이 디코더는 하나의 코드 위드를 디코딩하는데 60클럭이 소요되었으며 2개의 심볼 에러와 8개의 이진 버스트 에러를 정정할 수 있으며, 성능을 채널 에러 확률이 $5{\times}10^-4$~$5{\times}10^-5$정도일 때 가장 효율적임을 알 수 있었다.

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Influense of the high-voltage conductivity on peculiarity of polarization ferroelectric polymer on based vinylidenefluoride

  • Kochervinskii, V.V.;Chubunova, E.V.;Lebedinskii, Y.Y.;Pavlov, A.S.;Pakuro, N.I.
    • Advances in materials Research
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    • 제4권2호
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    • pp.113-132
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    • 2015
  • The phenomena of high-voltage polarization and conductivity in oriented vinylidenefluoride and tetrafluoroethylene copolymer films have been investigated. It was shown that under certain electric fields, injection of carriers from the material of electrodes appears The barrier for holes injection in the copolymer was found to be lower than that for electrons. It results in more effective screening of the external field near the anode than near cathode. Electrones, ejected from cathode, creating negative charge by trapping on the surface. It is shown that the electrons injected from cathodes create a negative homocharge on the copolymer surface and then become captured on the surface shallow traps. Their nature has been studied by the x-ray photoelectron spectroscopy. It was shown that these traps may consist of chemical defects in the form of new functional groups formed by reactions of surface macromolecules with sputtered atoms of aluminum. The asymmetric shape of hysteresis curves was explained by the difference in mobility of injected holes and electrons. These factors caused appearance of "non-closed" hysteresis curves for fluorine-containing polymer ferroelectrics. Hysteresis phenomena observed at low electric fields (below coercive ones) are to associate with the behavior of the domains localized in the ordered regions formed during secondary crystallization of copolymers.

포트각도에 따른 2행정기관 실린더내의 유동장 해석 (Analysis of the flow field in two-stroke engine cylinder of different intake ports angles)

  • 홍기배;최영진;유홍선;정인식
    • 오토저널
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    • 제15권1호
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    • pp.55-66
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    • 1993
  • The characteristics of the flow processes in the cylinder of the two-stroke cycle engines have become the subject of increasing and attention owing to the simplicity and the higher power per unit weight of the two-stroke cycle engine. Among the many factors which influence on the scavenging flow, the port angle is important factor. Hence, four different type models with one inlet-port and two side-ports are studied to show the effect of port angle on the laminar scavenging flow. When the inlet-port axial is relatively larger than the side-port axial angle, it is showed that the fresh charge penetrate into the burned gas and displace it first toward the cylinder head and then toward the exhaust port. When the inlet-port axial angle is much less than the side-port axial angle, the fresh charge through the inlet-port directly move toward the exhaust port. The result showed that the model A may suppress the generation of vortices in the vicinity of inlet and side prots which restrict the sufficient supply of fresh charge and obstruct the perfect displacement of all combustion products.

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Control of runner reed (Phragmites japonicus) in lentic wetlands

  • Hong, Mun Gi;Park, Hyun Jun;Nam, Bo Eun;Kim, Jae Geun
    • Journal of Ecology and Environment
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    • 제42권4호
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    • pp.150-154
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    • 2018
  • In lotic wetlands, runner reed (Phragmites japonicus) plays a role as a pioneer, which helps other plant species to settle by making dense roots trapping floating-sediments. In lentic wetlands, on the other hand, P. japonicus could play a role as an invader threatening biodiversity by forming tall and dense stands. To conserve an abandoned paddy terrace in mountainous areas, a habitat of an endangered dragonfly species (Nannophya pygmaea), from the monotypic-occupation by P. japonicus, we applied three kinds of treatment: (1) hand-clipping in 2009, (2) mechanical excavating in 2012, and (3) planting of alternative vegetational unit in 2012. We have monitored vegetation changes in the wetland in 2008~2012 and 2017. Vegetation cover of P. japonicus sharply decreased from 43% in 2011 to 16% in 2012 by the mechanical excavation. After 5 years from applying the treatment, Schoenoplectiella mucronata that was utilized in the planting became the predominant species instead of P. japonicus and the number of wetland plant species increased from 16 to 25 with the shift in species composition. This study showed the utility of three control methods of P. japonicas in a lentic wetland.

바이오 센서 적용을 위한 수직형 이중게이트 InGaAs TFET의 게이트 열화 현상 분석 (Constant Voltage Stress (CVS) and Hot Carrier Injection (HCI) Degradations of Vertical Double-date InGaAs TFETs for Bio Sensor Applications)

  • 백지민;김대현
    • 센서학회지
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    • 제31권1호
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    • pp.41-44
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    • 2022
  • In this study, we have fabricated and characterized vertical double-gate (DG) InGaAs tunnel field-effect-transistors (TFETs) with Al2O3/HfO2 = 1/5 nm bi-layer gate dielectric by employing a top-down approach. The device exhibited excellent characteristics including a minimum subthreshold swing of 60 mV/decade, a maximum transconductance of 141 µS/㎛, and an on/off current ratio of over 103 at 20℃. Although the TFETs were fabricated using a dry etch-based top-down approach, the values of DIBL and hysteresis were as low as 40 mV/V and below 10 mV, respectively. By evaluating the effects of constant voltage and hot carrier injection stress on the vertical DG InGaAs TFET, we have identified the dominant charge trapping mechanism in TFETs.

Fabrication of High-purity Rb Vapor Cell for Electric Field Sensing

  • Jae-Keun Yoo;Deok-Young Lee;Sin Hyuk Yim;Hyun-Gue Hong;Sun Do Lim;Seung Kwan Kim;Young-Pyo Hong;No-Weon Kang;In-Ho Bae
    • Current Optics and Photonics
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    • 제7권2호
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    • pp.207-212
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    • 2023
  • In this paper, we introduce our system for manufacturing a Rb vapor cell and describe its fabrication process in a sequence of removing impurities, cold trapping, and sealing off. Saturated absorption spectroscopy was performed to verify the quality of our cell by comparing it to that of a commercial one. By using the lab-fabricated Rb vapor cell, we observed electromagnetically induced transparency in a ladder-type system corresponding to the 5S1/2-5P3/2-28D5/2 transition of the 85Rb atom. A highly excited Rydberg atomic system was prepared using two counter-propagating external cavity diode lasers with wavelengths of 780 nm and 480 nm. We also observed the Autler-Townes splitting signal while a radio-frequency source around 100 GHz incidents into the Rydberg atomic medium.

Parylene 고분자 유전체 표면제어를 통한 OFET의 소자 안정성 향상 연구 (Improvement of Operating Stabilities in Organic Field-Effect Transistors by Surface Modification on Polymeric Parylene Dielectrics)

  • 서정윤;오승택;최기헌;이화성
    • 접착 및 계면
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    • 제22권3호
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    • pp.91-97
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    • 2021
  • 본 연구는 Parylene C 유전체 표면에 유기 자기조립단분자막(self-assembled monolayer, SAM) 중간층을 도입함으로써 표면특성을 제어하고 최종적으로 유기전계효과 트랜지스터(organic field-effect transistors, OFETs)의 전기적 안정성을 향상시킨 결과를 제시하였다. 유기 중간층을 적용함으로써, Parylene C 게이트 유전체의 표면 에너지를 제어하였으며, OFET의 가장 중요한 성능변수인 전계효과 이동도(field-effect transistor, μFET)와 문턱 전압 (threshold voltage, Vth)의 성능향상과 구동 안정성을 증대시켰다. 단순히 Parylene C 유전체를 적용한 Bare OFET에서 μFET 값은 0.12 cm2V-1s-1가 측정되었으나, hexamethyldisilazane (HMDS)과 octadecyltrichlorosilane (ODTS)를 중간층으로 적용된 소자에서는 각각 0.32과 0.34 cm2V-1s-1로 μFET가 증가하였다. 또한 1000번의 transfer 특성의 반복측정을 통해 ODTS 처리한 OFET의 μFET와 Vth의 변화가 가장 작게 나타남을 확인하였다. 이 연구를 통해 유기 SAM 중간층, 특히 ODTS는 효과적으로 Parylene C 표면을 알킬 사슬로 덮어 극성도를 낮춤과 함께 전하 트래핑을 감소시켜 소자의 전기적 구동 안정성을 증가시킬 수 있음을 확인하였다.

Influence of gate insulator treatment on Zinc Oxide thin film transistors.

  • 김경택;박종완;문연건;김웅선;신새영
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2010년도 춘계학술발표대회
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    • pp.54.2-54.2
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    • 2010
  • 최근까지는 주로 비정질 실리콘이 디스플레이의 채널층으로 상용화 되어왔다. 비정질 실리콘 기반의 박막 트랜지스터는 제작의 경제성 및 균일성을 가지고 있어서 널리 상용화되고 있다. 하지만 비정질 실리콘의 구조적인 문제인 낮은 전자 이동도(< $1\;cm^2/Vs$)로 인하여 디스플레이의 대면적화에 부적합하며, 광학적으로 불투명한 특성을 갖기 때문에 차세대 디스플레이의 응용에 불리한 점이 있다. 이런 문제점의 대안으로 현재 국내외 여러 연구 그룹에서 산화물 기반의 반도체를 박막 트랜지스터의 채널층으로 사용하려는 연구가 진행중이다. 산화물 기반의 반도체는 밴드갭이 넓어서 광학적으로 투명하고, 상온에서 증착이 가능하며, 비정질 실리콘에 비해 월등히 우수한 이동도를 가짐으로 디스플레이의 대면적화에 유리하다. 특히 Zinc Oxide의 경우, band gap이 3.4eV로써, transparent conductors, varistors, surface acoustic waves, gas sensors, piezoelectric transducers 그리고 UV detectors 등의 많은 응용에 쓰이고 있다. 또한, a-Si TFTs에 비해 ZnO-based TFTs의 경우 우수한 소자 성능과 신뢰성을 나타내며, 대면적 제조시 우수한 균일성 및 낮은 생산비용이 장점이다. 그러나 ZnO-baesd TFTs의 경우 일정한 bias 아래에서 threshold voltage가 이동하는 문제점이 displays의 소자로 적용하는데 매우 중요하고 문제점으로 여겨진다. 특히 gate insulator와 channel layer사이의 interface에서의 defect에 의한 charge trapping이 이러한 문제점들을 야기한다고 보고되어진다. 본 연구에서는 Zinc Oxide 기반의 박막 트랜지스터를 DC magnetron sputtering을 이용하여 상온에서 제작을 하였다. 또한, $Si_3N_4$ 기판 위에 electron cyclotron resonance (ECR) $O_2$ plasma 처리와 plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)를 통하여 $SiO_2$ 를 10nm 증착을 하여 interface의 개선을 시도하였다. 그리고 TFTs 소자의 출력 특성 및 전이 특성을 평가를 하였고, 소자의 field effect mobility의 값이 향상을 하였다. 또한 Temperature, Bias Temperature stability의 조건에서 안정성을 평가를 하였다. 이러한 interface treatment는 안정성의 향상을 시킴으로써 대면적 디스플레의 적용에 비정질 실리콘을 대체할 유력한 물질이라고 생각된다.

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국내 친환경 인쇄를 위한 Ink Saving 적용 방법에 관한 연구 (A Study on ink Saving Application Method for Domestic for Eco-Friendly Printing)

  • 구철회
    • 한국인쇄학회지
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    • 제30권2호
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    • pp.35-45
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    • 2012
  • Need color separation process to appear number of minimum printing plate waterway maximum printing color at printing process. This time, printing plate is separated three primary colors of C(cyan), M(magenta), Y(yellow). Appear all colors of printing such three primary colors. But, three primary color ink appears 100% dark gray that is not clean as chroma is neared color to 0 because is not pure. As well as, the ink area rate that is whole by over print amount increase of three primary is expanded. As a result, influence in secondary printablity set-off growth by inaccurate color reproduction and ink dry badness, trapping efficiency decline etc.. Apply ink saving method that is replaced as K ink in consisted dark color constituent because three primary colors are over print each other adding one more K(black) plate by method to improve these problem. Therefore, can reduce extension of the total ink area rate, and help in correct color appearance control. As well as, eco-friendly printing process attains improving printablity at the same time curtailment of printing expense by reducing requirement of total ink. Usually, there are UCR(under color removal) and GCR(gray component replacement) to ink saving application method. But, the practical use limit is insufficient state to tribe of technological investigation or field application about these method in domestic printing field. Therefore, in this research, ink saving been bringing by one method of eco-friendly printing confirmed that is applicable in usual domestic printing environment. Also, searched result getting in printablity by ink saving application.