• 한국세라믹학회지
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• 제15권3호
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• pp.140-148
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• 1978

The piezoelectric properties of some perovskite ferroelectric materials have been investigated. The Curie temperature of $Nb^{+5}$ deped $BaTiO_3$ is lowered, and that of $La^{+3}$ doped BaTiO3 varies depending on whether the ionic neautrality of the ceramics is satisfied. The optimum sintered density of BaTiO3 system is obtained when the specimen is sintered for about an hour at 1300-140$0^{\circ}C$ (the optimal sintering temperature of PZT is also about 130$0^{\circ}C$). The electromechanical coupling factor of PZT is reported to be larger than that of $BaTiO_3$ system.

• 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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• 한국소음진동공학회 2000년도 춘계학술대회논문집
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• pp.1261-1267
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• 2000

외부에서 자극이 가해질 때 상전이(phase transformations)하는 방식으로 대응하는 재료들이 최근 다양하게 연구되고 있다. 예를 들어 형상기억합금은 주변 온도의 변화에 대응하여 그 형상을 변화시키는데 이 과정은 미시적으로는 격자의 형태가 - 예를 들면 정방형 격자에서 입방형격자로 혹은 그 반대로 - 변화하는 과정이다. 강유전체 역시 외부에서 인가되는 전계의 변화에 대응하여 그 격자구조가 변하는데 그와 함께 기계적 변형이 동반하게 된다. 본 논문에서는 상전이를 하는 재료에 적용될 수 있는 1차원 구성방정식을 강유전체의 예를 들어 제시하고 간단한 계산결과를 보이기로 한다. 본 모델을 확장하여 강유전체에서의 분극역전(polarization reversals)에 대한 3차원 유한요소 모델을 개발하고 응용하려는 시도가 이루어지고 있다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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• pp.399-402
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• 2005

We have studied the Pixel Isolated Phase Separated Composite Organic Film (PI-PSCOF). The PI-PSCOF can be made by the anisotropic phase separation between Ferroelectric Liquid Crystals and Pre-polymer materials by irradiating the UV with optimizing its intensity and time. In the technology, the FLC molecules are isolated in pixels where FLCs are surrounded by the inter-pixel vertical polymer walls and the horizontal polymer films on the upper substrate. The good merits of this technology are fast response time, and good mechanical and thermal stability against external high pressure and temperature. We will compare the results obtained from FLC, PSCOF, and PI-PSCOF modes by using the electro-optic measurement and x-ray scattering, and mechanical method. We believe that the PI-PSCOF technology can be a best candidate for future Flexible Display Applications.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제3권3호
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• pp.213-217
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• 1997

In this paper, the imparct of X-ray and plasma process-induced-damages to La doped Lead Zirconate Titanate (PLZT, (Pb1-xLa)(Zr0.5Ti0.5)O3) capacitor characteristics have been investigated from the viewpoint of gigabit scale dynamic random access memory (DRAM) applications. Plamsa damage causes asymmetric degradation on hysteresis characteristics of PLZT films. On the other hand, X-ray damage results in a symmetrical reduction of charge storage densities (Qc's) for both polarities. As La concentration increases in the films, the radiation hardness of PLZT films on X-ray and plasma exposures is improved. It is observed that the damaged devices are fully recovered by thermal annealing under oxygen ambient.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제17권1호
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• pp.29-32
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• 2016

Using the various exchange-correlation functionals, such as LDA, GGA-PBE, GGA-PBEsol and GGA-AM05 functionals, first principle studies were conducted to determine the structures of paraelectric and ferroelectric PbTiO₃. Based on the structures determined by the various functionals, the piezoelectric properties of PbTiO₃ are predicted under the density-functional perturbation theory (DFPT). The present prediction with the various GGA functionals are closer to the experimental findings compared to the LDA values. The present DFT calculations using the GGA-PBEsol functional estimate the experimental data more reasonably than the conventional LDA and GGA fucntionals. The GGA-AM05 functional also predicts the experimental data as well as the GGA-PBEsol. The piezoelectric tensor calculated with PBEsol is relatively insensitive to pressure.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권5호
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• pp.648-657
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• 1995

정보처리의 다양화, 고속화를 위하여 장래의 집적회로는 다량의 정보를 단시간에 처리하지 않으면 안된다. 종래, 3년에 4배의 고집적화가 실현되어 LSI개발에 기술 견인차의 역할을 하고 있는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 미세화기술의 한계를 우려하면서도 오히려 개발에 박차를 가하고 있다. 이러한 DRAM의 미세, 대용량화에는 미세가공 기술, 새로운 메모리 셀과 트랜지스터 기술, 새로운 회로 기술, 그 이외에 재료박막기술, Computer aided design/Design automation(CAD/DA) 기술, 검사평가기술 혹은 소형팩키지(package)기술등의 광범위한 기술발전이 뒷받침되어 왔다. 그 중에서 미세가공 기술 및 새로운 트랜지스터 기술과 메모리 셀 기술을 중심으로 개발 동향을 살펴보고 최근에 발표된 1Gbit DRAM의 시제품 기술에 대하여 분석해 보기로 한다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권2호
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• pp.156-165
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• 1997

D-E hysteresis loops have been measured for the 65/35 mole % copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene over wide temperature range. The remanent polarization and the coercive field at room temperature were estimated to be 75 mC/m$^{2}$ and 55 MV/m respectively. D-E hysteresis loops were observed even below the glass transition temperature(-20.deg. C) and the remanent polarization and the coercive field were larger, as the temperature lower. It seems that the remanent polarization and the coercive field depend on the amorphous region as well as crystalline region in this copolymer. And the ferroelectric-to-paraelectric phase transition was observed at 90.deg. C on heating and 80'C on cooling. Double hysteresis loops were observed at the temperature(85.deg. C) of paraelectric phase.

• Elastomers and Composites
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• 제56권2호
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• pp.57-64
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• 2021

This paper reviews recent developments and applications of dielectric elastomers (DEs) and suggests various techniques to improve DE properties. DEs as smart materials are a variety of electro-active polymers (EAPs) that convert electrical energy into mechanical energy and cause a large deformation when a voltage is applied. The dielectric constant, modulus, and dielectric loss of DEs determine the efficiency of deformation. Among these, the dielectric constant significantly affects their performance. Therefore, various recent approaches to improve the dielectric constant are reviewed, including the enhancement of polarization, introduction of microporous structures in the matrix, and introduction of ferroelectric fillers. Furthermore, the basic principles of DEs are examined, as well as their various applications such as actuators, generators, sensors, and artificial muscles.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.125-125
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• 2003

PZT(Pb(Zr,Ti)O3)는 우수한 강유전 특성을 가지기 때문에 FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) 소자에 응용하기 위해 많은 연구가 진행되고 있다. 스퍼터에 의해 증착된 PZT는 처음에 pyrochlore상으로 존재하다가 후 열처리를 통해 이력 특성을 나타내는 perovskite상으로 천이된다. 일반적인 furnace열처리 방법은 고온에서의 장시간 열처리가 요구되고 Pb-loss현상이나 TiO2와 같은 이차상의 생성 그리고 하부 Pt전극의 roughness증가 및 crack과 같은 문제점이 있다. 최근 들어 후 열처리를 RTA로 이용하는 연구가 진행되고 있는데 이는 열처리 시간이 짧기 때문에 위와 같은 문제점을 개선할 수 있었다. 하지만 RTA방법 또한 어느 정도의 thermal budget이 존재하고 추가적 장비가 필요하며 기판의 전체적 가열공정이므로 다른 CMOS공정과 compatibility가 떨어진다. 따라서 본 실험에서는 위와 같은 문제를 해결하고자 노력을 집중하였고 이를 위한 새로운 열처리 방법을 개발하였다. 즉 Pt 하부전극에 전압(전류)을 인가하여 순간적으로 고온으로 결정화시키는 새로운 공정을 모색하였는데 이와 같은 방법은 열처리를 위한 추가적인 장비가 필요없고 국부적으로 순간적인 가열이기 때문에 glass기판에도 적합하며 RTA보다 승온시간 및 열처리 시간이 짧기 때문에 thermal budget도 줄일 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제23권6호
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• pp.33-36
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• 1986

The $PbTiO_3$is well known materials having remarkable ferroelectric piezoelectric and pyro-electric properties. Thin films of the lead titanite has been successfully fabricated by Chemical Vapor Deposition on the borosilicate glass and titanium substrate. The $PbTiO_3$ thin film deposited on the borosilicate glass using the $PbCl_2$, $TiCl_4$ dry oxygen and wet oxygen at different temperatures (50$0^{\circ}C$-$700^{\circ}C$) grows along the (001) preferred orientation. On the other hand the $PbTiO_3$ thin film deposited on the titanium substrate using the PbO grows along the (101) preferred orientation. Growth orientation of deposited $PbTiO_3$ depends on the reaction species irrespective of substrate materials. Maximum dielectic constant and loss tangent of the $PbTiO_3$ thin film deposited on the titanium substrate are about 90 and 0.02 respectively, . Deposition rates of $PbTiO_3$ deposited on the borosilicate glass and titanium substrate are 10-15 ${\mu}{\textrm}{m}$/hr. Titanium dioxide interlayer formed be-tween $PbTiO_3$ film and titanium substrate material, It improved the adhesion of the film.