• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.504-505
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• 2008

We fabricated organic field-effect transistors (OFETs) based a fluorinated copper phthalocyanine ($F_{16}CuPc$) as an active layer. And we observed the surface morphology of the $F_{16}CuPc$ thin film. The $F_{16}CuPc$ thin film thickness was 40nm, and the channel length was $50{\mu}m$, channel width was 3mm. We observed the typical current-voltage (I-V) characteristics and capacitance-voltage (C-V) in $F_{16}CuPc$ FET and we calculated the effective mobility.

• 한국작물학회지
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• 제22권1호
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• pp.41-44
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• 1977

담배에서 약배양에 의한 반수체육종을 실용화하고 저 중촌등의 'D'배지를 이용하여 실험을 하였든바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 배양약중 평균 30% 이상이 반수농식물을 유기하였으며 약당 유기된 식물개체수는 평균 6주이상이었다. 2. F$_1$으로부터 유기된 반수체중 T.M.V 저항성은 이론치와 일치하는 1 : 1의 비를 나타내었다. 3. 반수체식물의 생육조사에서는 예기한바와 같이 모든 측정형질에 대하여 F$_1$의 반수체가 모본의 반수체보다 더큰 변이를 보였다.큰 변이를 보였다.

• 전자공학회논문지A
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• 제28A권12호
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• pp.59-64
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• 1991

Thin (25-103$\AA$) SiO$_2$ films are grown using the rapid thermal oxidation processing at temperatures of 105$0^{\circ}C$-115$0^{\circ}C$ for 5-30 sec, in order to investigate the characteristics of ultra thin oxide. For measuring the thickness of oxide TEM, ellipsometry, and C-V method which is taken in the condition of small surface band bending are used and compared. When neglecting the small deviation affected by both interface state and moisture charge effect, those three methods described above give similar results. In order to examine the effect of rapid thermal annealing, part of samples are annealed in N$_2$ ambient. MOS capacitors are fabricated and the characteristics of I-V and C-V are measured. Measurements show that the activation energy of initial thickness of oxide grown during the ramp-up time is of 1.125eV and the activation energy of the oxidation rate is of 0.98eV. As oxidation temperature is increased, dielectric breakdown field E$_{BD}$ is decreased due to the increase of fixed charge density N$_f$ However, E$_{BD}$ is shown to be decreased as increasing the thickness of oxide. The increase of N$_f$ in the early stage of thermal annealing results in the decrease of E$_{BD}$.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권2호
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• pp.52-59
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• 1998

The ZnS:Mn thin film electroluminescent(TFEL) devices fabricated by ALE system were investigated. Yellow-orange light emission was observed when the applied voltage exceeded 134 V and luminance increased sharply as the applied voltage increased. Luminance of 568 Cd/c $m^{2}$ was obtained under 1 KHz sinusoidal voltage wave application at the peak applied voltage of 230 V. The peak wavelength of the emissionwas 577 nm. The C-V, Q-V, $Q_{t}$ - $F_{p}$ , L- $Q_{cond}$, and V- $Q_{pol}$ have been measured under theapplication of the trapezoidal wave with its pulse width varying 0 to 75 .mu.sec. The phoshor and the insulator capacitance of the TFEL device under test were 24.3 nF/c $m^{2}$ and 9 nF/c $m^{2}$, respectively. It was observed that the threshold voltage changed from 137V to 100V as the pulse width varied from 0 to 75 .mu.sec. The L- $Q_{cond}$ characteristics showed that the light emission increased in proportion to the $Q_{cond}$. The luminance increased from 386 Cd/ $m^{2}$ to 607 Cd/ $m^{2}$ when the $Q^{+}$$_{cond}$ increased from 1.3 .mu.C/c $m^{2}$ to 2.3 .mu.C/c $m^{2}$. The V- $Q_{pol}$ characteristics showed that the V was inversely proportional to $Q_{pol}$./. th/ was inversely proportional to $Q_{pol}$./. pol/./.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.33-36
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• 2002

MESFET was fabricated using 4H-SiC substrates and epitaxy The DC characteristics of 0.5 urn gate length, 400 urn gate width MESFET had $I_{dss}$=200 ㎃/mm, maximum transconductance of 12 ㎳/mm at Vrs=-4 V, V, Is=27 V. Thc device had an fT of 2.5 GHz and $f_{mdx}$ of 13.3 GHz at $V_{ds}$ =27 V and $V_{g}$=-4 V. The fabrication and characterization of this device are discussed.d.d.d.

• 한국생물공학회:학술대회논문집
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• 한국생물공학회 2000년도 추계학술발표대회 및 bio-venture fair
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• pp.435-438
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• 2000

토양으로부터 2종류 그리고 해양으로부터 1종류의 원유 분해 미생물을 분리하였고, 이들을 strain A132, strain F722 그리고 strain OM1으로 각각 명명하였다. 이들 미생물은 Acinetobacter sp., Pseudomonas aeruginosa, Acinetobacter calcoaceticus로 각각 동정되었다. Strain A132. F722의 최적 배양 및 분해온도는 $35^{\circ}C$ 이고, 최적 생장 pH는 각각 8과 9에서 나타났다. 원유를 유일한 탄소원으로 하여 배양을 하였을 때 원유농도 2.0%(w/v)에서 생장이 높았다. 한편, 해양에서 분리된 strain OM1은 pH 7, 원유농도 3.0%(w/v)에서 생장이 높았다. 원유 분해능 조사에서는 Eleuthera (OMAN) 원유를 2.0%(w/v) 기질로 하였을 때, strain A132가 $25^{\circ}C$에서 $5.49g/\;l\;{\cdot}\;day$의 분해능을 나타내었다. 반면, L-Zakum (AFRICA) 원유에서는 strain F722가 $35^{\circ}C$에서 $1.19g/\;l\;{\cdot}\;day$의 분해능을 보였다. 등유$(nC_9-nC_{20})$와 경유$(nC_9-nC_{28})$에 대하여 분해특성을 조사한 결과 strain OM1은 배양 7일 후 95, 75%를 각각 분해하였다. Strain F722는 배양10일 후 80%의 분해율을 나타내었다.

• 한국광학회지
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• 제6권3호
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• pp.201-213
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• 1995

전자빔여기 XeF$(C\rightarrowA$ 엑시며 레이저의 상준위 B-와 C-상태에 대하여 충동혼합 운동과정을 포함하는 모델을 컴퓨터 시뮬레이션하여 이의 출력특성을 해석하였다 $XeF^*(B)$ 의 수밀도에 관련되는 $XeF^*(C)$의 형성에 대하여 레이저 에너지를 실험치와 비교하였다. 이 결과는 70ns[FWHM]의 전자빔(800kV, 21kA)을 사용한 대기압 매질에서 매우 좋은 일치$(28.5 mJ\pm5%)$를 보였고, $Xe/F_2/Ar=5.26/0.49/94.28%$의 최적화된 가스혼합비를 확인하였다. 또한 시뮬레이션으로 $XeF^*(C)$의 형성경로, $XeF^*(C)$의 완화경로, 청록색 파장대역의 흡수경로에 대한 $F_2$ 할로겐 도우너 및 Xe 압력의 함수관계를 조사하였다.

• 전기화학회지
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• 제5권4호
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• pp.192-196
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• 2002

Ionic liquids based on l-ethyl-3-methylimidazolium cation $(EMI^+)$ and inorganic or organic anions containing fluorine atoms were applied to electrolyte materials for double-layer capacitors. The double-layer capacitors composed of a pair of activated carbon electrodes and an ionic liquid selected from $EMIBF_4,\; EMINbF_6,\;EMITaF_6,\;EMICF_3SO_3,\;EMI(CF_3SO_2)_2N,\;and\;EMI(C_2F_5SO_2)_2N$ showed inferior low-temperature characteristics to those of a conventional nonaqueous electrolyte based on propylene carbonate (PC) solvent. On the other hand, the capacitor using $EMIF{\cdot}2.3HF$ showed excellent low-temperature characteristics due to its high conductivity at low temperatures, however, it had a lower working voltage $(\~2V)$ than the conventional nonaqueous counterpart $(\~3V)$.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권10호
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• pp.14-22
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• 2010

기존의 n-type metal-oxide-semiconductor field effect transistor(NMOSFET)은 $n^+/p^{(+)}/n^+$ type의 이온 주입을 통하여 소스/채널/드레인 영역을 형성하게 된다. 30 nm 이하의 채널 길이를 갖는 초미세 소자를 제작함에 있어서 설계한 유효 채널 길이를 정확하게 얻기 위해서는 주입된 이온들을 완전히 activation하여 전류 수준을 향상시키면서도 diffusion을 최소화하기 위해 낮은 thermal budget을 갖도록 공정을 설계해야 한다. 실제 공정에서의 process margin을 완화할 수 있도록 오히려 p-type 채널을 형성하져 않으면서도 기존의 NMOSFET의 동작을 온전히 구현할 수 있는 junctionless(JL) MOSFET이 연구중이다. 본 논문에서는 3차원 소자 시뮬레이션을 통하여 silicon nanowire(SNW) 구조에 접목시킨 JL MOSFET을 최적 설계하고 그러한 조건의 소자에 대하여 conductance, maximum oscillation frequency($f_{max}$), current gain cut-off frequency($f_T$) 등의 기본적인 고주파 특성을 분석한다. 채널 길이는 30 nm이며 설계 변수는 채널 도핑 농도와 채널 SNW의 반지름이다. 최적 설계된 JL SNW NMOSFET에 대하여 동작 조건($V_{GS}$ = $V_{DS}$ = 1.0 V)에서 각각 367.5 GHz, 602.5 GHz의 $f_T$, $f_{max}$를 얻을 수 있었다.

• 말소리와 음성과학
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• 제7권1호
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• pp.67-77
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• 2015

The purpose of this study was to investigate how deaf parents influence the speech sounds of their normal-hearing children. Twenty four normal hearing children of deaf adults (CODA) and normal hearing parents (NORMAL) aged 3 to 4 participated in the study. The F1, F2, and the vowel triangle area in 7 vowels and the voice onset times (VOTs) and closure durations in 9 stops were measured. The results of the study are as follows. First, the F1 and F2 for all vowels were higher and the vowel triangle area was larger in CODA than in NORMAL although they were not statistically significant. Second, VOTs in $C_{stop}V$ for $/t^*/$ and in $VC_{stop}V$ for $/t^*/$, $/t^h/$, and $/k^h/$ were longer in CODA than in NORMAL. Most stops in CODA appeared to be longer VOTs for most phonemes. Third, the manner and place of articulation in stops did not make a difference between CODA and NORMAL in VOTs and closed durations. CODA does not demonstrate the speech characteristics of deaf people, however, they seem to speak differently than NORMAL, which means CODA might be influenced by a different linguistic environment created by deaf parents in some way.