Electrical characteristic for Phase-change Random Access Memory according to the $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ thin film of cell structure
(상변화 메모리 응용을 위한 $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ 박막의 셀 구조에 따른 전기적 특성)
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- Proceedings of the KIEE Conference
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- 2007.07a
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- pp.1335-1336
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- 2007