• 대한전자공학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.402-406
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• 1988

The MgGa2Se4 single crystal for study of optical properties is for the first time grown by Bridgmna method. The crystal structure of grown MgGa2Se4 single crystal has the Rhomobohedral structure (R3m) and its lattice constant are a=3.950\ulcorner c=38.893\ulcornerin Hexagonal structure. The energy band structure of grown MgGa2Se4 single crystal structure has direct band gap and the optical energy gap measured from optical absorption in this crystal is 2.20eV at 290K. The temperature dependence of energy gap was given Eg(T)=Eg(O)-aT\ulcorner)B+T), from varshni equation, where Eg(O)=2.34eV, a=8.79x10**-4eV/and b=250K.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.420-420
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• 2010

AC PDP에서 유전체 보호막으로 사용되는 MgO 박막은 높은 이차전자방출계수($\gamma$)로 인해 방전전압을 낮춰주는 중요한 역할을 하고 있다. 이러한 MgO 보호막의 이차전자방출계수를 증가시키기 위해 MgO 의 Energy Band Structure 규명이 중요한 연구 주제가 되고 있다. MgO의 이차전자방출계수($\gamma$)는 Auger 중화 이론에 의해 방출 메커니즘이 설명이 되고, 그 원리는 다음과 같다. 고유의 이온화 에너지를 가진 이온이 MgO 표면에 입사 되면, Tunneling Effect에 의해 전자와 이온 사이에 중화가 일어나고, 중화가 되고 남은 에너지가 MgO Valance Band 내의 전자에게 전달되면 이때 남은 에너지(${\Delta}E$)가 MgO의 일함수(Work function) 보다 크게 되면 이차전자로 방출된다. 본 실험 에서는 $\gamma$-FIB System을 이용하여 결정 방향이 (100), (110), (111)을 갖는 Single Crystal MgO에 이온화 에너지가 24.58eV인 He Ion source를 주사 하였을 때 Auger self-convolution을 통해 이차전자의 운동 에너지 분포를 구하고, 이를 통해 MgO 내의 Energy Band Structure를 실험적으로 측정하였다. 이를 통해 MgO Single Crystal의 일함수 및 Defect Level의 분포를 확인하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권6호
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• pp.504-510
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• 1994

In this work the crystal structure, optical absorption and photoluminescence of Cd$_{4}$GeSe$_{6}$ single srystals grown by the vertical bridgman method are investigated. From the observed results of the PICTS, we proposed on energy band model which contains deep levels between the conduction band and the valence band. The energy band model permit us to explain the mechanism of the radiative recombination for the Cd$_{4}$GeSe$_{6}$ single crystals.als.

• 한국광물학회지
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• 제12권1호
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• pp.23-31
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• 1999

The dehydroxylation of kaolinite was investigated in detail by means of energy-filtering transmission electron microscope with both orientations parallel and perpendicular to c. The dehydroxylation could be characterized by the broad background including (0.211) band (20~24$^{\circ}$ 2$\theta$) on X-ray diffraction and by the three halo rings (d-spacing : 3.28~4.40$\AA$ (near (02,11) band), 2.41~245$\AA$ (near (20,13) band), 1.16~1.23$\AA$ (near (0.8,44) band)), and (02,11) and (20,13) spots on electron diffraction. These indicate existence of a short-range order along the a and b axes. Interplanar spacing of (001) is reduced to about 6.86$\AA$ and the sharp additional intensity maximum of about 14.2$\AA$ reveals that metakaolinite has a modulated structure along c axis. It is proposed that the modulated structure is attributed to the domains consisting of more than two-layers due to the changes of positions of the vacant octahedral sites in successive layers.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.442-446
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• 1998

$\alpha$--sulfur single crystal which has orthorohmbic structure was grown using Bridgman method. The indirect optical energy band gap of this crystal are 2.65 and 2.82 eV at 10 and 300K, respectively. The wavelengths of photoluminecence(PL) peaks are 543 and 596 nm at 10k, By thermally stimulated current (TSC) method, two electron traps($D_1,D_2$) located at 0/23 and 0.43eV below the conduction band and a hole trap(A) located at 0.31 eV above the valence band are observed. PL mechanism of $\alpha$-sulfur single crystal is analyzed using the values of optical energy band gap at 10k two electron traps and a hole trap.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 1999년도 춘계종합학술대회
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• pp.389-393
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• 1999

디바이스 효율에 커다란 영향을 미치고 있는 임팩트이온화현상의 정확한 모델이 디바이스 시뮬레이션에 필수적인 요소가 되고 있다. 최근에는 정확한 GaAs 임팩트이온화 모델을 위해 각 에너지 범위에 파라서 7.8과 5.6의 지수를 갖는 수정된 Keldysh 공식이 사용되고 있다. 그러나 이 모델 또한 임팩트이온화의 방향성을 무시한 등방성 모델로서 저에너지에서 이방성을 보이는 임팩트이온화모델로서는 부적합하다. 임팩트이온화율은 낮은 전자에너지에서는 강한 이방성 성질을 나타내는 반면에, 임팩트이온화현상이 자주 발생하는 높은 에너지 범위에서는 등방성이 된다. 임팩트이온화율을 계산하기 위하여 Fermi 황금법칙과 의사 포텐셜방법에 의하여 계산된 full 에너지 밴드구조를 사용하였다. Form factor 및 실험값을 비교하였으며, 방향에 따른 전도대의 에너지 밴드 구조를 <100>, <110>, <111>의 방향에 대하여 조사하였다. 결과적으로, 임팩트이온화의 문턱에너지가 이방성을 갖음을 알 수 있었다. 또한 상대적으로 낮은 에너지 즉, 문턱에너지 근처에서 임팩트이온화율이 더욱 심하게 변화함을 알 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.123-124
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• 2007

A silver indium sulfide ($AgInS_2$) epilayer was grown by the hot wall epitaxy method, which has not been reported in the liteniture. The grown $AgInS_2$ epilayer has found to be a chalcopyrite structure and evaluated to be high quality crystal. From the photocurrent measurement in the temperature range from 30 K to 300 K, the two peaks of A and B were only observed, whereas the three peaks of A, B, and C were seen in the PC spectrum of 10 K. These peaks are ascribed to the band-to-band transition. The valence band splitting of $AgInS_2$ was investigated by means of the photocurrent measurement. The temperature dependence of the energy band gap of the $AgInS_2$ obtained from the photocurrent spectrum was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=\;E_g(0)\;eV-(7.78\;{\times}\;10^{-4}\;eV/K)T^2/(T\;+\;116\;K\;K)$. Also, Eg(0) is the energy band gap at 0 K, which is estimated to be 2.036 eV at the valence band state A and 2.186 eV at the valence band state B.

• 전자공학회논문지
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• 제50권12호
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• pp.197-204
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• 2013

본 논문에서는 주파수 영역에서 협대역 신호를 광대역으로 확장하는 새로운 인공 대역 확장 기술을 제안한다. 제안한 기술은 협대역 신호를 여기 신호와 스펙트럼 포락선 성분으로 분리하고, 주파수 영역에서 각각 독립적인 방법으로 확장한다. 여기 신호는 저대역의 하모닉 구조가 고대역에서 유지되도록 확장하고, 스펙트럼 포락선은 부대역별 에너지를 기반으로 NMF방법으로 확장한다. 마지막으로 시간 축에서 프레임 사이의 상관관계를 기반으로 스펙트럼 위상을 결정하여 최종 광대역 신호를 생성한다. 주관적 청취 평가를 통하여 제안한 방법으로 대역 확장된 신호가 원 협대역 신호보다 음질이 향상된 것을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제25권3호
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• pp.287-293
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• 1988

This paper calculates the band structure of the GaAs/(Al,Ga) As semiconductor superlttice with the interface3 grading, in consideration of different effective masses in each region. Including the effective masses, superlattice period, well and barrier widths, and the interface, the dispersion relation is derived, and the effects that the above parameters affect the subband (or miniband) structure of the superlattice and effective energy gap are investigated. It is particularly found that this case(ma<>mb<>mc) is significantly different from the same effective mass case(ma<>mb<>mc).

• 한국진공학회지
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• 제9권2호
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• pp.130-135
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• 2000

Photoluminescence(PL)와 photoreflectance(PR)를 이용하여 $Al_{0.25}/Ga_{0.75}/As/In_{0.15}/Ga_{0.85}$/AS/GaAS 슈우도형 고 전자 이동도 트랜지스터 구조에 대한 특성을 조사하였다. 온도 10K의 PL측정에서 InGaAs 양자우물에 의한 e2-hl 및 e2-hl 전이 피크가 각각 1.322 및 1.397 eV에서 관측되었다. 온도 의존성으로부터 첫번째 가전자 띠와 두번째 가전자 띠의 에너지 차이는 약 23'meV로 나타났다. 또한 300 K에서의 PR 측정으로 e2-h2및 e2-hl 전이에 의한 피크를 관측하였고, 두번째 전도 띠의 에너지 준위에 의한 피크가 띠 채움으로 인해 첫번째 전도 띠의 에너지 준위에 의한 피크보다 상대적으로 우세하였다. 반면에 PL 측정에서는 전자 가리개 효과 때문에 첫번째 전도 띠에 의한 피크가 우세하였다.