• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2006.08a
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• pp.159-159
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• 2006

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.167.2-167.2
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• 2016

태양에너지는 전자기파로써 파장에 따라 여러 부분으로 나뉜다. 파장이 780nm 이상인 부분의 영역을 IR (infra Red) 즉 적외선으로 불린다. 이 부분이 열선에 해당하는 부분인데 대부분의 창문에 설치된 커튼이나 vertical 등은 빛을 차단하는 수단일 뿐, 유입되는 열 (적외선)을 차단시킬 수는 없다. 열은 결국 실내의 온도를 높이기 때문에 난방비 등 에너지 손실을 막긴 어렵다. 단열필름은 커튼이나 vertical과 달리 실내로 유입되는 열 (적외선)을 다시 실외로 반사시켜 실내로 유입되는 열을 최소화 한다. 본 연구는 IR 차폐를 목적으로 연구 되었고, 거기서 한 발 나아가 실내 분위기 등을 고려하여 소비자의 구호에 맞는 제품에 더 맞추기 위해 연구되었다. 기존 제품들과 차별된 점은 색상을 위한 추가적인 작업없이 굴절률과 두께 factor 등을 변화시켜 바로 7가지 색을 구현한다는 장점을 가지고 있다. 따라서 가격 경쟁력에서도 우위를 점 할 수 있는 중요한 기술이라 할 수 있겠다. 박막제조 장비로는 DC pulse In-line Sputter를 사용하였으며, 굴절률과 광학적인 두께 측정을 위한 ellipsometer, 그리고 UV-vis 를 통한 Transmittance 측정으로 제품 능력을 확인하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2008.05a
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• pp.378-381
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• 2008

고효율 a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지를 얻기 위해서는 우수한 c-Si wafer 위에 고품질의 비정질 실리콘박막을 통한 heterointerface를 형성하는 것이 매우 중요하다. 이를 달성하기 위해서는 공정중에 오염되기 쉬운 Si wafer 표면 상태를 정확히 검사하고 잘 관리하여야 한다. 본 연구에서는 세정 및 표면산화에 따른 Si wafer 상태를 Spectroscopic Ellipsometry 및 u-PCD를 이용하여 분석하였으며, <$\varepsilon$2> @4.25eV 값이 Si wafer 상태를 잘 나타내고 있음을 확인하였고 세정 최적화 할 경우 그 값이 43.02에 도달하였다. 또한 RF-PECVD로 증착된a-Si:H 박막을 EMA 모델링을 통해 분석한 결과 낮은 결정성과 높은 밀도를 가지는 a-Si:H를 얻을 수 있었으며, 이를 이종접합 태양전지에 적용한 결과 Flat wafer상에서 10.88%, textured wafer 적용하여 13.23%의 변환효율을 얻었다. 결론적으로 Spectroscopic Ellipsometry가 매우 얇고 고품질의 다층 박막이 필요한 이종접합 태양전지 분석에 있어 매우 유용한 방법임이 확인되었다.

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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• v.12 no.1
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• pp.85-90
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• 2007

We deposited thin films of ZnS(Zinc Sulphide), in which was used antireflection coating material of glasses-lens on silicon and slide-glass substrates using spin coating method, and measured spectra of ellipsometry angles ${\Delta}$ and ${\Psi}$ in the photon-energy range of 1.5~5.0 eV using a variable angle spectroscopic ellipsometer. The optical constants, refractive index and extinction coefficient, of ZnS were determined via the dispersion parameters extracted from the curve-fitting process based on Jellison-Modine dispersion function.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.11 no.4
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• pp.225-229
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• 2002

LPCVD silicon films were deposited at temperatures between $560^{\circ}C$ and $650^{\circ}C$ Structure, surface roughness, films thickness and residual stress were measured by using XRD, SEM, ellipsometer, $Tektak^3$, Tencor FLX-2320 and other techniques. Polysilicon films of low stress, small surface roughness were obtained when the films are deposited at $560^{\circ}C$ in the amorphous phase and subsequently annealed to make polycrystalline silicon layers at $900^{\circ}C$ -$1100^{\circ}C$. The silicon films deposited in amorphous phase and crystallized by post thermal treatment showed better mechanical properties.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.18 no.4
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• pp.96-99
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• 2019

Atomic layer etching (ALE) is one of the most promising techniques in the semiconductor industry. Since ALE has to be precisely controlled on the angstrom scale to achieve ideal results, an in-situ analysis of the processes is highly required. In this regard, we found during ALE experiments with in-situ monitoring with an ellipsometer that changes in the substrate temperature affected the refractive index of a material, leading to changes in measured film thickness. In addition, more ideal ALE results could be achieved by keeping the substrate temperature constant.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2009.02a
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• pp.467-468
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• 2009

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2009.02a
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• pp.465-466
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• 2009

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.07a
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• pp.198-199
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• 2002

진공 증착장비에서 다층박막으로 구성된 광학필터를 증착할 경우, 증착되는 동안 설계된 최종 광학필터의 성능을 구현하기 위해서는 실시간으로 각각의 층들에 대한 굴절률(n)과 물리적 두께(d)를 제어하거나 또는 광학적 두께(nd)를 제어해야 한다. 광학적 두께를 제어하는 대표적인 예로 광모니터링 방법이 있는데, 증착되는 기판에 직접 빛을 입사시켜 기판에서 반사된 빛이나 투과된 빛의 세기를 측정하여 증착과정을 제어하는 방법이다. (중략)

• Vacuum Magazine
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• v.2 no.3
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• pp.4-10
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• 2015

We developed a real-time three-polarizer spectroscopic ellipsometer based on a new data acquisition algorithm and a general data reduction (the process of extracting the ellipsometric sample parameters from the Fourier coefficients). The data acquisition algorithm measures Fourier coefficients of radiant flux waveform accurately and precisely. The general data reduction is introduced to represent the analytic functions of the standard uncertainties of the ellipsometric sample parameters, and the extracted theoretical values closely agree with the corresponding experimental data. Our approach can be used for optimization of measurement conditions, instrumentation, simulation, standardization, laboratory accreditation, and metrology.