• 제목/요약/키워드: Elevated CPW

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Micromachined Low-Loss Low-Dispersion Elevated CPW for High-Speed Interconnects

  • S. H. Jeong;Lee, S. N.;Lee, S. G.;J. G. Yook;Kim, Y. J.;Park, H. K.
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제2권2호
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    • pp.59-64
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    • 2002
  • In this paper, 10$\mu$ m-elevated MEMS CPWs on various substrates are presented. Effective dielectric constants of elevated CPW(ECPW) on polyimide-loaded silicon or alumina substrate are examined and characteristic impedances are also computed versus elevation height. Dispersive property of ECPW and its electromagnetic field distributions are studied through 3-D FDTD algorithm for optimum design. Attenuation of ECPW is measured with TRL calibration procedure and revealed about 3.2 43 lower than that of conventional CPW on the same low-resistivity silicon at 40 CHz. ECPW on polyimide-loaded silicon with overlapped configuration reveals 0.2 dB/mm. Especially, alumina substrate imposes better attenuation than silicon.

DAML 구조를 이용한 새로운 구조의 SIR BPF 의 설계 및 제작 (Studies on Fabrication of Novel Micromachined SIR BPF using DAML)

  • 백태종;김성찬;임병옥;신동훈;이진구
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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    • pp.623-626
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    • 2005
  • In this paper, we proposed a new type SIR bandpass filter using DAML. This filter is consisted of 2 layers with MEMS resonator layer and CPW feed line. DAML ring resonator is elevated with $10\;{\mu}m$ height from GaAs substrate. Using MEMS processing, we are able to realize SIR bandpass filter easily. Furthermore it is useful to integrate on conventional MMICs because it has CPW interfaces and ring resonator is isolated from substrate by air-gap. We optimized and measured the results that $S_{21}$ attenuation at rejected band is over 15 dB, insertion loss is inside the limit of 3 dB, and relative bandwidth is about 10 % at 60 GHz

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마이크로 머시닝 기술을 이용한 새로운 구조의 100 GHz DMR bandpass Filter의 설계 및 제작 (Novel 100 GHz Dual-Mode Stepped Impedance Resonator BPF Using micromachining Technology)

  • 백태종;이상진;한민;임병옥;윤진섭;이진구
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제44권12호
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    • pp.7-11
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    • 2007
  • 본 논문에서는 MMIC 응용을 위한 dielectric-supported air-gapped microstrip line (DAML) 구조를 이용하여 dual-mode stepped impedance 링 공진기를 설계 제작하였다. 링 공진기는 표면 마이크로머시닝 기술을 이용하여 만들어졌다. DAML ring resonator는 다층구조로써 공기중에 위치한 신호선과 MMIC 응용에 적합하도록 CPW가 한 평면에 구성되 있으며 DAML-CPW 트랜지션이 자유로운게 특징이다. DAML 링 공진기는 $10{\mu}m$ 높이로 GaAs 기판 으로부터 띄어져 있다. 대역통과 여파기는 dual-mode 공진을 하며 stepped impedance 이용한 구조이다. 측정결과로 중심주파수 97 GHz에선 감쇠특성은 15 dB, 삽입손실은 2.65 dB를 보였으며, 상대 대역폭은 12 %를 나타냈다. 이같은 구조의 대역통과 여파기는 MMIC 와의 직접화에 유리하다.

DAML 구조를 이용한 새로운 형태의 SIR대역 통과 여파기의 설계 및 제작 (Studies on Fabrication of Novel Micromachined SIR. Bandpass Filter Using DAMLs)

  • 백태종;고백석;김성찬;임병옥;안단;김순구;신동훈;이진구
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제16권7호
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    • pp.760-767
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    • 2005
  • 본 논문에서 우리는 DAML(Dielectric Air-gapped supported Microstrip Line) 구조를 이용하여 새로운 구조의 SIR대역 통과 여파기를 설계 제작하였다. 제작된 SIR대역 통과 여파기는 MIM capacitor를 커플링 포트로써 사용함으로 DAML구조를 이용하여 쉽게 제작될 수 있다. 더욱이 이러한 구조는 CPW interfaces를 가지고 있고 DAML구조의 링 공진기는 기판으로부터 $10{\mu}m$높이로 분리되어 있기 때문에 일반적인 평면 구조의 MMICs와 집적하기 유리하다. 제작된 필터의 측정 결과, 60 GHz에서 $10\%$의 대역폭, 60.7 GHz에서 2.84 dB의 삽입 손실, 56 GHz에서 18.4 dB의 감쇠 특성, 60 GHz에서 23 dB의 반사 특성을 얻었다.

MEMS 기술을 이용한 Q-band MIMIC 발진기의 설계 및 제작 (Design and fabrication of Q-band MIMIC oscillator using the MEMS technology)

  • 백태종;이문교;임병옥;김성찬;이복형;안단;신동훈;박형무;이진구
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2004년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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    • pp.335-338
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    • 2004
  • We suggest Q-band MEMS MIMIC (Millimeter wave Monolithic Integrated Circuit) HEMT Oscillator using DAML (Dielectric-supported Airgapped Mcrostrip Line) structure. We elevated the signal lines from the substrate using dielectric post, in order to reduce the substrate dielectric loss and obtain low losses at millimeter-wave frequency. These DAML are composed with heist of $10\;{\mu}m$ and post size with $20\;{\mu}m\;{\times}\;20\;{\mu}m$. The MEMS oscillator was successfully integrated by the process of $0.1\;{\mu}m$ GaAs PHEMTs, CPW transmission line and DAML. The phase noise characteristic of the MEMS oscillator was improved more than 7.5 dBc/Hz at a 1 MHz offset frequency than that of the CPW oscillator And the high output power of 7.5 dBm was measured at 34.4 GHz.

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