원자력산업용 소재로 사용되는 가돌로니엄 (Gd, 원자번호 64) 금속을 20 kW 내외의 고출력 전자빔을 이용하여 용융시키고, 그 용융면의 온도 분포를 측정하였다 광학 필터들과 렌즈구경 크기를 조절하여 용융면에서 발생하는 방사강도를 ccd 카메라로 받아들이고 실시간으로 컴퓨터에 저장하였다. 이 방법을 이용하여 전자빔의 출력에 따른 용융면의 크기를 실시간으로 모니터 할 수 있어 안정적인 전자빔의 동작이 가능하였다 그리고 가돌로니엄 금속 용융면을 흑체복사로 가정하고 Planck's law를 적용한 결과는 적외선 온도계로 측정한 결과보다 동일한 전자빔 출력에서 100~$200^{\circ}C$ 높은 값을 보였다.
Cathode ray tubes (CRT) are the most common electronic display in use in information technology. The CRT consists of an electron gun, electrostatic or magnetic fields to direct the electron beam, and a phosphor screen. When the electron beam strikes the phosphor screen, the phosphor generates light. The phosphor screen has formed by precipitation method, electro-forming and centrifuge method. The high quality product was achieved by electro-forming or centrifuge method. Now applying method is electro-forming used with phosphor and Eh(isopropyl alcohol). Now applying method has been much consumption of raw-material, dirty working environment, dangerous fire and require of high cost. New method to form phosphor surface of monochrome is required to improve this matter. This study was developed novel method to form the phosphor surface by heat-transfer method. This method have advantages of simple process, automatization, clean environment, saving raw material and saving running-cost.
본 논문에서는 입력부, 특고압 발생부 및 고압 정류부, IGBT Pulse Switch로 구성된 Gyro-klystron용 대전력, 고전압, 전류 펄스 전원장치의 설계 및 개발에 대하여 기술하였다. 대전력, 고전압, 전류 펄스 전원장치를 위한 각 구성부분의 제어 및 설계 특징은 다음과 같다. 입력부인 IGBT Inverter는 펄스 전원장치의 전압 제어를 위하여 출력 고전압을 Feedback System 제어에 의해 Pulse 설정 전압을 갖도록 제어하며, 또한 Pulse 출력중에 직류 고전압부의 전압강하, 즉 Pulse 전압의 Drop이 커지는 것을 방지하기 위하여 Fast Dynamics를 갖도록 Feedback System을 구성하였다. 3대의 단상 특고압 승압변압기가 직렬로 구성된 특고압 발생부는 PWM된 전압을 입력받아 특고압으로 승압시킨다. 특고압 변압기는 고압 Pulse성 전압과 매우 높은 dV/dt 전압이 인가되므로 Stray Capacitance가 최소가 되어야 하며 절연파괴로부터 보호될 수 있어야 한다. 고압 정류부는 Inverter와 특고압변압기에 의하여 전원이 공급되므로 교류전압의 교번순간에 매우 높은 전압 변동률을 가지는 Fast Recovery High Voltage Rectifier로 설계, 제작되어졌다. Pulse Switch인 IGBT Switch는 Gate Driver에 의해 구동되어 진다. 주어진 Pulse 사양을 만족시키며 특히 소자의 전압 특성을 고려하여 120KV의 전압값을 갖도록 설계, 제작하였다. 본 논문에서는 고전압 펄스 전원장치 각 부분의 설계에 대하여 기본적인 사항들을 제시하며, 실험결과를 통하여 제안된 방식의 우수한 특성을 입증한다.
전자빔으로 증발시킨 gadolinium(Gd) 원자증기의 속도를 미량 저울(microbalance)을 사용하여 측정하였다. 증발 표면의 온도가 2400-2500 K인 조건에서 약 900 ㎧의 속도가 측정되었다. 이 값은 단열팽창을 하는 이상적 단원자의 최대 속도에 비해 약 100 ㎧ 더 빠른 속도에 해당된다. 이 특이 현상의 원인을 고온에서 여러 개의 들뜬 에너지 준위에 분포한 Gd 원자의 내부 에너지가 단열팽창 중에 운동 에너지로 전환되는 것으로 설명하였다. 100개의 들뜬 에너지 준위를 원자증기의 엔탈피에 포함시켜 속도를 계산한 값이 실험 결과와 비교적 일치함을 보였다. 가열된 표면 온도의 변화에 따른 원자증기의 유동 특성에 대해서도 보고한다.
A hollow cathode which has extremely stable discharge characteristic has been developed. This is composed of the two separated lanthanum hexaboride(LaB6) of a disk type in the tube as the electron emitters. The way of design is of great advantage to extend the surface discharge area of the LaB6, which is also useful for optimal fixing of the LaB6. The hollow cathode is capable of producing 30 kW(100 V, 300 A) of power continuously. Because the generated plasma beam with the high temperature(above $3000^{\circ}C$) from the hollow cathode passes through the center hole of the two intermediate electrodes, it is designed with the high temperature material of the tungsten and the suitable structure of the water cooling. The combinations of the hollow cathode and the two intermediate electrodes are practically useful for the ion plating plasma beam source.
The design, manufacturing process, and first operating test of a high power RF source for a proton accelerator are described. A klystron amplifier system has been developed for operation at 700 MHz, 1 MW and is composed of a triode type electron gun, six cavities, an RF output window, a beam collector, and an electromagnet. The prototype klystron was constructed and tested at a reduced duty to produce the designed output RF power.
고휘도 마이크로빔 X-선원에 사용할 고휘도 전자빔원을 탄소나노튜브를 이용하여 설계, 제작하였다. 전자빔원은 탄소나노튜브 팁을 이용한 음극, 전자빔 인출용 그리드, 전자빔 가속용 양극으로 이루어진 삼극관 형태의 구조를 가진다. 설계된 휘도 값을 얻기 위하여 X-선 발생부에서의 전자빔 직경이 5 $\mu$m 이하, 빔전류가 약 30 $\mu$A 이상이 요구된다 이러한 요구조건을 만족시키기 위하여, EGUN Code를 이용하여 전자빔의 궤적 및 공간분포 등을 계산함으로써, 탄소나노튜브 팁 및 전자빔원의 구조 등을 최적화 하였다. 제작된 탄소나노튜브 팁은 직경 200 $\mu$m 의 텅스텐 와이어를 전기화학적으로 에칭하여 그 끝을 뽀족하게 만든 뒤 텅스텐의 끝 부분에 탄소나 노튜브를 화학기상법으로 증착하여 제작하였다. 제작된 탄소나노튜브를 이용하여 전자빔 인출실험을 수행하였다. 개발 중인 탄소나노튜브 팁을 이용한 고휘도 전자빔원의 설계 특성 및 기초 실험결과를 보고한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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