Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.28
no.1
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pp.3-13
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1995
Electroless Ni and Cu platings were conducted on $B_4C$ and SiC. In the electroless Ni plating, the deposition rate on $B_4C$ was higher than on SiC. However, the electroless Cu deposition occured with high deposition rate regardless of the carbide substrates used in this study. Uniformity of the deposits was better in the electroless Cu deposition than in the electroless Ni deposition. In the topographies of the electroless depositions, Ni deposits have grown as colony, whereas Cu deposits have grown as fine individual grains.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.03a
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pp.86-86
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2003
Copper has attracted much attention in the deep submicron ULSI metallization process as a replacement for aluminum due to its lower resistivity and higher electromigration resistance. Electroless copper deposition method is appealing because it yields conformal, high quality copper at relatively low cost and a low processing temperature. In this work, it was investigated that effect of the microstructure of the substrate on the electroless deposition. The mechanism of the nucleation and growth of the palladium nuclei during palladium activation was proposed. Electroless copper deposition on TiN barriers using glyoxylic acid as a reducing agent was also investigated to replace toxic formaldehyde. Furthermore, electroless copper deposition on TaN$\sub$x/ barriers was examined at various nitrogen flow rate during TaN$\sub$x/ deposition. Finally, it was investigated that the effect of plasma treatment of as-deposited TaN$\sub$x/ harriers on the electroless copper deposition.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.32
no.4
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pp.487-495
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1999
In order to form metallic electrodes on PZT (Pb (Zr, Ti)O$_3$) ceramics, plating conditions for optimal electroless Ni deposition were investigated. Pb in PZT is the major component to inhibit the electroless deposition, because it plays a active role of catalytic poison in plating solution. Adhesion of the electroless Ni deposits is measured by push-pull scale test and peel test. Results such as deposition ability, deposition rate, and thickness of deposits showed in terms of concentration of etchant, composition of catalyzing solution, and composition and pH of electroless bath solution.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.55
no.4
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pp.202-214
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2022
Internal connections between device, package and external terminals for connecting packaging and printed circuit board are normally manufactured by electroless Ni-P plating followed by immersion Au plating (ENIG process) to ensure the connection reliability. In this study, a new non-cyanide-based immersion and electroless Au plating solutions using thiomalic acid as a complexing agent and aminoethanethiol as a reducing agent was investigated on different underlayer electroless Ni-P plating layers. As a result, it was confirmed that the deposition behavior and film properties of electroless Au plating are affected by grain size and impurity of the electroless Ni-P film, which is used as the plating underlayer. Au plating on the electroless Ni-P plating film with a dense surface structure showed the highest bonding strength. In addition, the electroless Au plating film on the Ni-P plating film has a smaller particle size exhibited higher bonding strength than that on the large particle size.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.55
no.5
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pp.299-307
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2022
Gold plating is used as a coating of connector in printed circuit boards, ceramic integrated circuit packages, semiconductor devices and so on, because the film has excellent electric conductivity, solderability and chemical properties such as durability to acid and other chemicals. In most cases, internal connection between device and package and external terminals for connecting packaging and printed circuit board are electroless Ni-P plating followed by immersion Au plating (ENIG) to ensure connection reliability. The deposition behavior and film properties of electroless Au plating are affected by P content, grain size and mixed impurity components in the electroless Ni-P alloy film used as the underlayer plating. In this study, the correlation between electroless nickel plating used as a underlayer layer and cyanide-free electroless Au plating using thiomalic acid as a complexing agent and aminoethanethiol as a reducing agent was investigated.
Electroless plated Ni-Co-P films have been used to suppress the electromagnetic waves from magnetic recording media, and the suppression is known to be achieved with films made with optimized plating composition and plating condition. Effects of complexing agents on the deposition rate and bath stability of Ni-Co-P film were studied using sodium citrate, sodium tartrate and multi-complex agents containing both of them. Deposition of electroless Ni-Co-P platings was dependent upon the complexing agents. Deposition rate was twice when using sodium tartrate compared to that using sodium citrate. And it was slightly slower with multi-complex agents than with sodium tartrate, bath stability being declined in the former. Deposition rate increased with increasing pH until pH 11. Excellent bath stability and good deposition rate were obtained using multi-complex agent as sodium citrate 0.10 mol/L and sodium tartrate 0.15 mol/L in the electroless Ni-Co-P plating films.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.32
no.3
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pp.331-335
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1999
Electroless plating nickel has superior mechanical property to electroplated nickel. Furthermore nickel can be coated on nonconducting substrate. In this research, electroless plating of nickel were conducted in different bath condition to find optimum conditions of electroless nickel plating for MEMS applications. The selectivity of activation method on several substrates was investigated. The effects of nickel concentration, reducing agent concentration and inhibitor on deposition rate were investigated. The effect of pH on deposition rate and content of phosphorous in deposited nickel was also investigated.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.621-624
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1999
Metalization technology of the fine patterns by electroless plating is required in place of electrodeposition as high-density printed boards(PCR) become indispensable with the miniaturization of electronic components. Electroless nickel plating is a suitable diffusion barrier between conductor meta1s, such as Al and Cu and solder is essetional in electronic packaging in order to sustain a long period of service. Moreover, Electroless nickel has particular characteristics including non-magnetic property, amorphous structure. wear resistance, corrosion protection and thermal stability In this study fundamental aspects of electroless nickel deposition were studied with effort of complexeing agents of different kinds. Then the property of electroless deposit are controlled by the composition of the deposition solution the deposition condition such as temperature and pH value and so on. the characteristics of the deposits has been carried out.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.36
no.5
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pp.393-397
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2003
The effects of the composition and additives on the blackening and deposition rate of electroless Ni-Zn plating have been examined. Hydrazine resulted in lower sheet resistance of the deposit than sodium hypophosphite. Zinc concentration more than 15 wt% and small amount of ammonium sulfate in the deposits were needed in obtaining Ni-Zn deposit with a black color. An optimum condition was obtained for the black Ni-Zn deposit at an appreciable deposition rate.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.41
no.1
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pp.23-27
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2008
The effect of solution agitation on the copper electroless deposition process of ULSI (ultra large scale integration) interconnections was investigated by using physical, electrochemical and electrical techniques. It was found that proper solution agitation was effective to obtain superconformal copper configuration within the trenches of $130{\sim}80nm$ width. The transition of open potential during electroless deposition process showed that solution agitation induced compact structure of copper deposits by suppressing mass transfer of cuprous ions toward substrate. Also, the specific resistivity of copper layers was lowered by increasing agitation speed, which made the deposited copper particles smaller. Considering both copper deposit configuration and electric property, around 500 rpm of solution agitation was the most suitable for the homogeneous electroless copper filling within the ultra-fine patterns.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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