• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.486-489
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• 2007

Carbon nanotube (CNT) cathodes having a trench structure similar to the structure of the gated triodetype cathode were successfully fabricated by a screenprinting method with multi-walled carbon nanotubes. We observed that a liquid method not only readily removes the organic residues on the CNT films, but also satisfactorily protrudes the CNTs out of the electrode surface. The CNT cathodes prepared by the liquid method showed a turned-on field of $1.4\;V/{\mu}m$. The emission current density of them was about $3.1\;mA/cm^2$ at the electric field of $3\; V/{\mu}m$. The liquid method appears to be a promising surface treatment of CNT cathode for gated triode-type FEDs applications.

• The Korean Journal of Pain
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• 제21권2호
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• pp.155-158
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• 2008

This report presents the application of occipital nerve stimulation in two patients with severe and disabling bilateral occipital neuralgia. Pain persisted despite the use of several procedures and the administration of medication in the patients. The patients underwent peripheral nerve stimulation for the treatment of headache. Peripheral nerve stimulation was accomplished via implantation of a subcutaneous electrode to stimulate the peripheral nerve in the occipital area. The patients reported a 90% improvement in overall pain. These cases illustrate the possible utilization of peripheral nerve stimulation for the treatment of occipital neuralgia.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.361-364
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• 2000

Antimony doped tin oxide (ATO) thin films were deposited at room temperature by reactive ion-beam sputter deposition (IBSD) technique in oxidizing atmosphere utilizing Sb and Sn metal targets. Effect of Sb doping concentration, film thickness and heat treatment on electrical and optical properties was investigated. The thickness of as-deposited films was controlled approximately to 1500 $\AA$ or 2000$\AA$, and Sb concentration to 10.8 and 14.9 wt%, as determined by SEM and XPS analyses. Heat treatment was performed at the temperature from 40$0^{\circ}C$ to 80$0^{\circ}C$ in flowing $O_2$or forming gas. The resulting ATO films showed widely changing electrical resistivity and optical transmittance values in the visible spectrum depending on the composition, thickness and firing condition.

• 열처리공학회지
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• 제25권2호
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• pp.80-84
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• 2012

An apparatus was constructed to nitrify small metallic sintered components by using a hollow-cathode discharge plasma method. A stainless steel basket, which contains a sintered part to be nitrified, is potentially grounded and serves as hollow-cathode electrode. Hollow-cathode plasma was produced by supplying the positive voltage to the anode. In this study sintered carbon iron and stainless steel were used as testing specimens. It was shown that an effective nitrifying took place by controlling the total pressure of nitrogen and hydrogen gas and applied voltage.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제45권2호
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• pp.190-196
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• 2007

본 연구에서는 전기화학적 처리공정을 이용하여 전극판 종류에 따른 질산성 질소의 농도별 제거효율을 살펴보았고, 여기서 선정된 전극으로 운전조건(pH 변화, 전류밀도, 환원제, 교차전류)을 변화시켜 질산성 질소 제거효율, 에너지소모량에 따른 최적운전조건을 평가하였다. 또한 단일공정에 의한 처리가 아닌 다단계 전기화학적 처리를 통한 질산성 질소 제거 실험을 진행하였다. 100 mg $NO_3^{-}$ -N/L 농도로 실험한 결과에서 동일 전극인 경우 Zn-Zn 전극판, 불용성 산화전극 백금(Pt)인 경우 Pt-Ti 전극에서 높은 질산성 질소 제거효율을 나타내었다. 150 mg $NO_3^{-}$ -N/L에서 Zn-Zn 전극판인 경우 pH 조절없이 전기분해한 결과 70~85%, 불용성 산화전극인 백금(Pt)인 경우 Pt-Ti 전극에서 40~50%의 질산성 질소 제거효율을 나타내었다. 그리고 고농도인 500, 1,000 mg $NO_3^{-}$ -N/L 질산성 질소 제거 실험결과, 농도가 증가할수록 제거효율은 감소하는 경향을 보이지만 에너지 소모량에 대한 질소 제거효율은 증가하였다. 다단계 전기화학적 처리 실험결과, Test 4 조건을 최적의 조건으로 선정하였으며 그 이유는 다음과 같다. 첫 번째, 1단계에서 소모된 Zn 양극의 대부분을 2단계 이후 공정에서 회수하였고, 두 번째, 2단계 이후에서는 불용성 백금을 산화전극으로 사용함으로써 전극 소모 가능성을 줄였으며, 마지막으로 Zn을 환원전극으로 사용함으로써 Zn의 재이용 가능성을 높였다. 따라서, 질소를 함유한 표면처리 폐수 처리에 전기화학적 공정이 적용될 수 있을 것으로 판단된다.

• 접착 및 계면
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• 제21권3호
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• pp.86-92
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• 2020

본 연구에서 소스/드레인 전극이 위치하는 기판의 접촉영역과 두 전극사이 채널영역의 표면 에너지를 선택적으로 다르게 제어하여 고분자 트랜지스터의 소자성능과 전하주입 특성에 미치는 영향을 확인하였다. 채널영역의 표면에너지를 낮게 유지하면서 접촉영역의 표면에너지를 높였을 때 고분자 트랜지스터의 전하이동도는 0.063 ㎠/V·s, 접촉저항은 132.2 kΩ·cm, 그리고 문턱전압이하 스윙은 0.6 V/dec로 나타났으며, 이는 원래 소자에 비해 각각 2배와 30배 이상 개선된 결과이다. 채널길이에 따른 계면 트랩밀도를 분석한 결과, 접촉영역에서 선택적 표면처리에 의해 고분자반도체 분자의 공액중첩 방향과 전하주입 방향이 일치되면서 전하트랩 밀도가 감소한 것이 성능향상의 주요한 원인으로 확인되었다. 본 연구에서 적용한 전극과 고분자 반도체의 접촉영역에 선택적 표면처리 방법은 기존의 계면저항을 낮추는 다양한 공정과 함께 활용됨으로써 트랜지스터 성능향상을 최대화할 수 있는 가능성을 가진다.

• 한국진공학회지
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• 제17권1호
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• pp.67-72
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• 2008

본 연구에서는 염료감응 태양전지의 상대전극으로써 다중벽 탄소나노튜브를 사용하여 전기화학적 특성에 미치는 열처리 효과에 대해 연구하였다. 다중벽 탄소나노튜브는 실리콘 기판위에 철 촉매를 사용하여 열화학 기상증착법으로 합성하였다. 직경이 다른 다중벽 탄소나노튜브를 각각 성장하여 두 개의 샘플을 준비하였고 질소 분위기의 RTA(rapid thermal annealing) system에서 $900^{\circ}C$ 온도로 1분간 열처리 하였다. 다중벽 탄소나노튜브의 구조적, 전기적, 전기화학적 특성은 FE-SEM, Raman spectroscopy, 2-point probe station, electrochemical impedance spectroscopy (EIS)을 이용하여 측정하였다. 라만 스펙트럼 분석에서 열처리 한 다중벽 탄소나노튜브의 I(D)/I(G) ratio는 상당히 감소한 것을 확인하였으며, 다중벽 탄소나 노튜브 표면과 전해질과의 산화 환원 반응 특성에서는 열처리 전보다 열처리 후의 전해질과의 산화 환원 반응 특성이 향상된 것을 알 수 있었다. 표면에서의 반응 저항 또한 열처리 후의 다중벽 탄소나노튜브가 더 낮은 값을 나타내었다. 그 결과, 열처리 후의 다중벽 탄소나노튜브를 상대전극으로 사용하였을 때의 전기화학적 특성이 더 좋은 것을 확인하였다.

• 동의신경정신과학회지
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• 제20권2호
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• pp.111-120
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• 2009

Objectives : This study was performed to investigate the effects of Needle Electrode Electrical Stimulation (NEES) on ischemia-induced cerebrovascular accidents. After obstruction and reperfusion of ${\ast}{\ast}$ arteries in white mice, the amounts of necrosis and inflammation related substances IL-6, Caspase-3, and PARP, C-fos were measured in neurons of the hippocampus. The following results were obtained. Methods : This study used 21 male specific pathogen free (SPF) SD (Sprague Dawley) rats, 8 weeks of age and approximately 300 g in weight, that were given at least 1 week to adapt to the lab environment Each exposed artery was completely occluded with non-absorbent suture thread and kept in that state for 5 minutes. The sutures were then removed to allow reperfusion of blood. Test group is control group for comparison with the common carotid artery occlusion models, a GI group that underwent common carotid artery occlusion, and a needle electrode electrical stimulation (NEES) group that underwent NEES after artery occlusion. The GI and NEES groups were given 12, 24, or 48 hours of reperfusion before NEES. NEES device (PG6, ITO, Japan, 9V, current, 2Hz) was used to stimulate the right and left acupoint ST36 of the SD rats for 30 minutes while they were sedated with 3% isoflurane. An immunohistochemistry test was done on the forebrains of the GI induced rats. All the data collected from this study was symbolized and analyzed using a statistics processing program (SPSS 12.0K/PC). The level of significance was set at ${\alpha}$=0.05 and a T-TEST analysis was used to find out the effects of treatment on each of the groups: the normal group, the CVA induced group, and the treatment after CVA induction group. Results : Both PARP and C-fos immuno-reactive cells, related to apoptosis, were greater in the GI groups than the NEES group. Caspase and IL-6 immuno-reactive cells, related to inflammation, were greater in the GI and NEES groups than the control group. Conclusions : This research was conducted to study the effects of NEES on CVA due to ischemia. Occlusion and reperfusion was performed on the common carotid arteries of white rats, after which amounts of substances related to neuron necrosis and inflammation - PARP, IL-6, Caspase-3, and C-fos - were measured in the Hippocampus

• 공업화학
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• 제25권3호
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• pp.292-299
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• 2014

본 연구에서는 바나듐 레독스 흐름전지의 효율을 향상시키고자 탄소펠트에 열산화 반응과 암모니아수 처리를 이용하여 질소가 도핑된 탄소펠트 전극을 제조하였다. 또한 제조된 탄소펠트 전극의 전기화학적 특성평가를 위하여 CV 실험 및 충/방전 실험을 실시하였다. 암모니아수 처리온도가 증가함에 따라 탄소펠트 표면의 질소 관능기가 증가함을 XPS를 통하여 확인하였으며, CV 측정 결과 암모니아수 처리된 탄소펠트는 열산화된 탄소펠트에 비하여 산화/환원의 반응성이 우수함을 확인하였다. 충/방전 실험결과 $300^{\circ}C$에서 암모니아수 처리한 탄소펠트 전극은 열산화된 탄소펠트 전극보다 에너지효율, 전압효율, 전류효율이 각각 약 6.93, 1.0, 4.5%씩 향상됨을 알 수 있었다. 이는 질소 관능기가 탄소펠트 전극과 전해질 사이의 전기화학적 성능 향상에 도움을 주었기 때문으로 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.371.2-371.2
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• 2016

Graphene electronics is one of the promising technologies for the next generation electronic devices due to the outstanding properties such as conductivity, high carrier mobility, mechanical, and optical properties along with extended applications using 2 dimensional heterostructures. However, large contact resistance between metal and graphene is one of the major obstacles for commercial application of graphene electronics. In order to achieve low contact resistance, numerous researches have been conducted such as gentle plasma treatment, ultraviolet ozone (UVO) treatment, annealing treatment, and one-dimensional graphene edge contact. In this report, we suggest a fabrication method of one-dimensional graphene metal edge contact without using graphene exfoliation. Graphene is grown on Cu foil by low pressure chemical vapor deposition. Then, the graphene is transferred on $SiO_2/Si$ wafer. The patterning of graphene channel and metal electrode is done by photolithography. $O_2$ plasma is applied to etch out the exposed graphene and then Ti/Au is deposited. As a result, the one-dimensional edge contact geometry is built between metal and graphene. The contact resistance of the fabricated one-dimensional metal-graphene edge contact is compared with the contact resistance of vertically stacked conventional metal-graphene contact.